Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази

Спосіб одержання гетероепггаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчинурозплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення теплопоглинача в зону з низькою тем Винахід відноситься до області технології одержання напівпровідникових матеріалів і, зокрема, може бути використаний для вирощування гетероепггаксійних шарів сполук третьої та п'ятої груп Періодичної системи ХІМІЧНИХ елементів Менделєєва (АЗВ5) методом рідкофазної епггаксм (РФЕ) Методи РФЕ широко використовуються для вирощування гомо- і гетероепітаксійних шарів сполук АЗВ5 і структур на їх основі Теоретичний опис процесів рідкофазного вирощування ґрунтується на допущенні термодинамічної рівноваги на межі рідина-тверде і використовується для прогнозування різних властивостей одержуваних матеріалів з добрим узгодженням з експериментальними даними Однак термодинамічний ПІДХІД не враховує кінетичні явища на початковій стадії росту, які визначають якість і відтворюваність отриманих шарів Відомо, ЩО одержання об'ємних шарів можливе при застосуванні способу вирощування гетероепітаксійних структур, який базується на покроковому охолодженні розчину-розплаву [Patent U S 206324, Intem'l Class H01L021/208, "Homogeneous liquid phase epitaxial growth of heteroj unction materials'] У даному способі однорідні об'ємні шари створюються шляхом нарощування на підкладці ряду окремих надтонких шарів (близько 20нм) однакового складу Спосіб містить контакт підкладки з розчином пературою та переривання контакту підкладки з розчином-розплавом по закінченні процесу, який відрізняється тим, що контакт поверхні підкладки, протилежної робочій, з теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів здійснюють до контакту розчину-розплаву з робочою поверхнею підкладки, а після проведення кристалізації першого гетероепітаксійного шару здійснюють нарощування наступних епітаксійних шарів циклічним повтором операцій переведення теплопоглинача в зону з низькою температурою, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, без переривання контакту підкладки і розчину-розплаву між циклами нарощування розплавом при температурі нижче температури ліквідусу, але недостатній для спонтанного зародкоутворення в переохолодженій рідкій фазі, на період часу, що є менший за час встановлення дифузійного режиму росту, виведення підкладки з розчину-розплаву на час, достатній для того, щоб компоненти розчину-розплаву прийшли в рівновагу, повторення кроків контакту і виведення підкладки з розчину-розплаву достатню КІЛЬКІСТЬ разів до досягнення бажаної товщини гетероепітаксі йного шару Використання даного способу дозволяє одержувати однорідні по складу об'ємні гетероепітаксіині шари з високою відтворюваністю товщини епітаксійних шарів Однак, початкове переохолодження рідкої фази не завжди достатнє для запобігання підрозчинення підкладки у випадку систем «підкладка - розчинрозплав», схильних до розчинення підкладки на початкових стадіях росту Підрозчинення підкладки веде до неконтрольованої зміни складу шарів, порушенню планарності межі, а за певних умов - до порушення суцільності гетероепітаксійних шарів Таким чином, даний спосіб не завжди може бути застосований при вирощуванні гетероепітаксійних шарів Відомо, ЩО значно підвищити вихід придатних гетероепітаксійних шарів можливо використанням ю C O (О 62235 способу вирощування, запропонованого в роботі [Ac SU 1566807 А1, МПК С30В19/04,29/40] Спосіб містить нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксіиних шарів 5 4 5-10