Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази

Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчинурозплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчиномрозплавом не більш ніж 0,25°С, нарощування наступних епітаксійних шарів циклічним повтором операцій переведення теплопоглинача в зону з низькою температурою, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж 0,25°С, без переривання контакту підкладки і розчинурозплаву між циклами нарощування, переведення теплопоглинача в зону з низькою температурою та переривання контакту підкладки з розчиномрозплавом по закінченні процесу, який відрізняється тим, що контакт поверхні підкладки, протилежної робочій, з теплопоглиначем здійснюють через шар технологічного газу, що заповнює реактор при умові одержання суцільних епітаксійних шарів та оптимальної' товщини шару газу 5 - 1 0 ~ 5 < К 3 < 3 Ю" 4 , 0,07 < К 4 < 0,1, де ат.частка 52к2тТн °с -, см , Де 5 1 - товщина теплопоглинача, см; 5 2 - товщина розчину-розплаву, см; d g - товщина шару газу, см; d - товщина епітаксійного шару, см; КЇ температуропровідність теплопоглинача, см г /с; к2 - температуропровідність розчину-розплаву, см 2 /с; Kg - температуропровідність газу, см2/с; ДТ - різниця температур розчину-розплаву і теплопоглинача у мюмент здійснення контакту останнього з підкладкою, °С; оТ . . . . . . m=— - нахил лінії ліквідує розчин-розплав, dC т °С ат.частка Тн - температура насичення розчину-розплаву, Рі - густина матеріалу теплопоглинача, г/см3; О) 3 Р2 - густина розчину-розплаву, г/см ; Рз - густина матеріалу епітаксійного шару, г/см 3 ; М-, - молекулярна маса матеріалу епітаксійного шару; М 2 - молекулярна маса матеріалу розчинника; Хд теплопровідність Вт/{см°С); Х2 теплопровідність Вт/(см °С). технологічного ю 5 °С; газу, розчину-розплаву, 9615 Корисна модель відноситься до галузі фізичної електроніки, а саме до технології одержання напівпровідникових матеріалів і може бути використана для вирощування гомо- та гетероепітаксійних шарів сполук третьої та п'ятої груп Періодичної' системи хімічних елементів Менделєєва (АЗВ5) методом рідкофазної епітаксії (РФЕ). Методи РФЕ широко використовуються для вирощування субмікронних гомо- і гетероепітаксійних шарів сполук АЗВ5. Однак, завдяки високим швидкостям кристалізації для отримання однорідних за товщиною субмікронних шарів, що використовуються у приборних структурах оптоелектроніки, необхідний прецизійний контроль зміни температури у зоні росту. Флуктуації технологічних параметрів у зоні росту, що викликаються похибками датчиків системи регулювання температури, похибками вимірювання температури, контролю часу процесу, призводять до неконтрольованої' зміни товщини епітаксійних структур як у локальних точках так і по всієї поверхні. Це позначається на якості та відтворюваності отриманих шарів. Відомо, що значно підвищити вихід придатних тонких гетероепітаксійних шарів з гладкою поверхнею і розкидом за товщиною менше 5% можливо при використанні способу отримання епітаксійних шарів АЗВ5, запропонованого в роботі [Ac. SU 1566807 А1, МРК СЗОВ 19/04, 29/40]. Спосіб містить нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт із робочою поверхнею підкладки, нагрітої до такої ж температури, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт Із теплопоглиначем при умові: (1) К 2