Спосіб отримання бар`єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування
Номер патенту: 31067
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Лазько Галина Вікторівна, Афанасьєва Марія Вікторівна, Алімов Валерій Іванович, Дурягіна Зоя Антонівна
Формула / Реферат
Спосіб одержання бар'єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування, що включає підготовку поверхні, нанесення покриття й наступний лазерний вплив, який відрізняється тим, що лазерний вплив із продувкою азотом здійснюють до одержання в бар'єрному шарі квазіаморфної структури.
Текст
Спосіб одержання бар'єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування, що включає підготовку поверхні, нанесення покриття й наступний лазерний вплив, який відрізняється тим, що лазерний вплив із продувкою азотом здійснюють до одержання в бар'єрному шарі квазіаморфної структури. UA (21) u200712837 (22) 19.11.2007 (24) 25.03.2008 (46) 30.12.1899, Бюл.№ , 1899 р. (72) ДУРЯГІНА ЗОЯ АНТОНІВНА, UA, ВАЛЕРІЙ ІВАНОВИЧ, UA, ЛАЗЬКО ВІКТОРІВНА, UA, АФАНАСЬЄВА ВІКТОРІВНА, UA (73) ДУРЯГІНА ЗОЯ АНТОНІВНА, UA, ВАЛЕРІЙ ІВАНОВИЧ, UA, ЛАЗЬКО 2 (19) 1 3 31067 бар'єрного шару, а отже й опір корозійному зношуванню. Поставлена задача вирішується тим, що в способі одержання бар'єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування, що включає підготовку поверхні, нанесення покриття й наступний лазерний вплив, лазерний вплив із продувкою азотом здійснюють до одержання в бар'єрному шарі квазіаморфної структури. Новими істотними ознаками способу одержання бар'єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування є те, що лазерний вплив із продувкою азотом здійснюють до одержання квазіаморфної структури. Завдяки новим ознакам у бар'єрному шарі формується квазіаморфна структура, підвищується мікротвердість бар'єрного шару і, як наслідок, опір корозійному зношуванню. Спосіб одержання бар'єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування здійснюють у такий спосіб. Поверхню виробу зі спеціальних сталей і сплавів готують до одержання необхідної шорсткості й чистоти. Потім на неї наносять покриття, після чого впливають лазером із продувкою азотом, причому параметри лазерного впливу підбирають так, щоб у бар'єрному шарі одержати квазіаморфну структуру. Приклад 1. Спосіб одержання бар'єрного шару здійснювали на сталі ЭП823, використовуваної для виготовлення елементів атомного енергетичного устаткування. Після підготовки поверхні на неї наносили покриття, що складається з 20% Fe, 40% Ni, 30% В, 10% Si, на основі рідкого скла, потім впливали СО2 - лазером безперервної дії потужністю 6,5 кВт із довжиною хвилі випромінювання 10,6мкм при 100% - вій продувці азотом і швидкості сканування луча по поверхні порядку 2м/хв. Одержали мікротвердість бар'єрного шару 1416ГПа й квазіаморфну структуру в ньому. Приклад 2. Спосіб одержання бар'єрного шару здійснювали на сталі 12Х18Н ЮТ, використовуваної для виготовлення елементів атомного енергетичного устаткування. Після підготовки поверхні на неї наносили покриття з ніобію на основі графіту, потім впливали СО2 лазером безперервної дії потужністю 6,5кВт із довжиною хвилі 10,6мкм при 100% -вій продувці азотом і швидкості сканування луча по поверхні порядку 2м/хв. Одержали мікротвердість бар'єрного шару 1317ГПа й квазіаморфну структуру в ньому. Для порівняння провели обробку сталі 12Х18Н9Т по способу найближчого аналога. Одержали мікротвердість 6 - 6,5ГПа й кристалічну структуру бар'єрного шару. Таким чином, заявляємий спосіб одержання бар'єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування забезпечує істотне підвищення мікротвердості бар'єрного шару, а отже і зносостійкість, а квазіаморфна структура підвищення корозійної стійкості в агресивних середовищах. 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing barrier layer on components of nuclear power equipment
Автори англійськоюDuriahina Zoia Antonivna, Alimov Valerii Ivanovych, Lazko Halyna Viktorivna, Afanasieva Mariia Viktorivna
Назва патенту російськоюСпособ получения барьерного слоя на элементах атомного энергетического оборудования
Автори російськоюДурягина Зоя Антоновна, Алимов Валерий Иванович, Лазько Галина Викторовна, Афанасьева Мария Викторовна
МПК / Мітки
МПК: B21F 21/00
Мітки: устаткування, елементах, енергетичного, отримання, шару, спосіб, бар'єрного, атомного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-31067-sposib-otrimannya-barehrnogo-sharu-na-elementakh-atomnogo-energetichnogo-ustatkuvannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання бар`єрного шару на елементах атомного енергетичного устаткування</a>
Спосіб безпечного відведення енергії із аварійного атомного енергетичного об’єкта
Номер патенту: 22918
Опубліковано: 25.04.2007
Автор: Пилипенко Петро Матвійович
МПК: A62B 37/00, G21F 7/00, H01M 8/00, F01K 1/00
Мітки: об'єкта, безпечного, енергії, енергетичного, атомного, спосіб, аварійного, відведення
Формула / Реферат:
Спосіб безпечного відведення енергії із аварійного атомного енергетичного об'єкта, який включає відвід продуктів розпаду через отвір у верхній частині атомного реактора до укриття енергоблока, які виводять на редуктор, що виконує функцію регулятора тиску, який відрізняється тим, що через отвори у боковій частині корпусу енергоблока виводять суміш піску з гранулами свинцю, засипану до аварійного енергоблока, а продукти розпаду з постійним...
Структурний бар’єр на поверхні конструктивних елементів атомного енергетичного обладнання
Номер патенту: 17292
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Алімов Валерій Іванович, Дурягіна Зоя Антонівна, Штихно Алла Петрівна, Тепла Тетяна Леонідівна
МПК: B21C 9/00, B21F 21/00
Мітки: поверхні, бар'єр, елементів, обладнання, енергетичного, структурний, конструктивних, атомного
Формула / Реферат:
Структурний бар'єр на поверхні конструктивних елементів атомного енергетичного обладнання, що містить змінений дією плазми шар, який відрізняється тим, що модифікований азотною плазмою шар додатково містить зовнішню оболонку з перерізом структурних комірок 0,1-0,3 мкм, яка складає за товщиною 5-10 % від товщини модифікованого шару.
Спосіб отримання плівки кубічного gan на підкладці з поруватого шару gaas
Номер патенту: 21939
Опубліковано: 10.04.2007
Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Віталійович
МПК: H01L 21/00
Мітки: кубічного, плівки, підкладці, поруватого, шару, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...
Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію
Номер патенту: 50883
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Ваків Микола Михайлович, Круковський Семен Іванович, Ніколаєнко Юрій Єгорович
МПК: H01L 21/208
Мітки: шару, спосіб, арсеніду, напівізолювального, отримання, галію
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...
Спосіб отримання надтонкого шару оксиду для транзисторів з ефектом пам’яті
Номер патенту: 22865
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович
МПК: H01L 21/265, H01L 21/70
Мітки: шару, транзисторів, спосіб, ефектом, оксиду, отримання, надтонкого, пам'яті
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.