Спосіб управління іонно-плазмовим напиленням тонких плівок у вакуумі

Номер патенту: 55780

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Федорчук Олена Михайлівна, Куник Юрій Олександрович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб управління іонно-плазмовим напиленням тонких плівок у вакуумі, що включає підбір пробних значень вхідних параметрів, що регулюються, зокрема струму розряду дуги, струму зовнішнього магнітного поля та потенціалу підкладки, за допомогою яких здійснюють пробне напилення та вимірюють залежність температури від часу, після чого визначають стаціонарне значення температури напилення та за допомогою блока управління контролюють вихідні параметри, а саме товщину покриття, адгезію, залишкову напругу та експлуатаційні характеристики виробу, який відрізняється тим, що вводять проміжні параметри, зокрема ступінь іонізації, густину потоку іонів та енергію іонізації, а до вхідних параметрів для уточнення вводять додаткові величини тиску та часу, визначають температуру та швидкість напилення, які задовольняють необхідні вимоги процесу іонно-плазмового напилення.

Текст

Спосіб управління іонно-плазмовим напиленням тонких плівок у вакуумі, що включає підбір пробних значень вхідних параметрів, що регулюються, зокрема струму розряду дуги, струму зовнішнього магнітного поля та потенціалу підкладки, за допомогою яких здійснюють пробне напилення 3 55780 4 Поставлена задача досягається тим, що спорема струму розряду дуги, струму зовнішнього сіб управління іонно-плазмовим напиленням тонмагнітного поля, потенціалу підкладки. Провівши ких плівок у вакуумі включає підбір пробних знанапилення на пробному режимі і вимірявши залечень вхідних параметрів, що регулюються, жність зміни температури виробу від часу, визназокрема струму розряду дуги, струму зовнішнього чають стаціонарне значення температури напимагнітного поля та потенціалу підкладки, за дополення. Якщо інтервал зміни температури могою яких здійснюють пробне напилення та вимізадовольняє технічним вимогам для даного матерюють залежність температури від часу, після чого ріалу напилюваної деталі, дозволяє досягати ховизначають стаціонарне значення температури рошої адгезії з покриттям та необхідного значення напилення та за допомогою блоку управління контовщини покриття, тобто вихідних параметрів блотролюють вихідні параметри, а саме товщину покку 4, то можна перейти до наступних етапів іоннориття, адгезію, залишкову напругу та експлуатаплазмового напилення. Якщо визначають за доційні характеристики виробу, причому, вводять помогою блоку управління 3, що розглянуті умови проміжні параметри, зокрема ступінь іонізації, гусне виконуються, то, змінюючи підбирають значентина потоку іонів та енергія іонізації, а до вхідних ня блоку вхідних параметрів 1, зокрема струму параметрів для уточнення вводять додаткові верозряду, струму зовнішнього магнітного поля та личини тиску та часу, визначають температуру та потенціалу підкладки, знову проводять пробне швидкість напилення, які задовольняють необхідні напилення, при цьому використовують блок провимоги процесу іонно-плазмового напилення. міжних параметрів 2 та додаткові величини блоку На кресленні представлена структурновхідних параметрів 1, зокрема тиск та час. За розфункціональна схема пристрою, на якій реалізурахованими значеннями ступеня іонізації та густиється спосіб управління іонно-плазмовим напини струму іонізації частинок, визначають темпераленням тонких плівок у вакуумі. туру напилення та швидкість напилення, які Структурно-функціональна схема, на якій реазадовольняють умовам іонно-плазмового напилізується спосіб управління іонно-плазмовим налення та дозволяють знайти оптимальне значення пиленням тонких плівок у вакуумі, містить блок товщини покриття та інших експлуатаційних паравхідних параметрів 1, вихід якого з'єднаний з вхометрів покриття. дом блоку проміжних параметрів 2, серед яких Сформоване таким чином тонкоплівкове покступінь іонізації, густина потоку іонів та енергія риття має значно досконалішу структуру з необіонізації, та безпосередньо з входом блоку управхідними властивостями, а запропонована структуління 3, вихід блоку управління 3 з'єднаний з вхорна схема пристрою управління іонно-плазмовим дом блоку вихідних параметрів 4 та вихід блоку напиленням тонких плівок у вакуумі є досить уніпроміжних параметрів 2 з'єднаний з входом блоку версальною та не містить складних автоматичних вихідних параметрів 4. вузлів, а також забезпечує більш високий коефіціСпосіб здійснюється наступним чином. єнт виходу якісних виробів за рахунок отримання В залежності від маси виробу, його геометричбільш однорідних та оптимальних властивостей них розмірів і теплофізичних постійних підбирають тонких плівок. пробні значення блоку вхідних параметрів 1, зок 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 55780 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for control of thin films ion-plasma spraying in vacuum

Автори англійською

Kunyk Yurii Oleksandrovych, Fedorchuk Olena Mykhailivna

Назва патенту російською

Способ управления ионно-плазменным напылением тонких пленок в вакууме

Автори російською

Куник Юрий Александрович, Федорчук Елена Михайловна

МПК / Мітки

МПК: C23C 14/32

Мітки: тонких, управління, напиленням, плівок, спосіб, іонно-плазмовим, вакуумі

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-55780-sposib-upravlinnya-ionno-plazmovim-napilennyam-tonkikh-plivok-u-vakuumi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб управління іонно-плазмовим напиленням тонких плівок у вакуумі</a>

Подібні патенти