Термоелектричний матеріал

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками. (19) (21) a201004972 (22) 26.04.2010 (24) 25.05.2011 (46) 25.05.2011, Бюл.№ 10, 2011 р. (72) КОЗЬМА АНТОН АНТОНОВИЧ, ПЕРЕШ ЄВГЕН ЮЛІЙОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ГАЛАГОВЕЦЬ ІВАН ВАСИЛЬОВИЧ (73) ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ" (56) UA 200901946, 25.08.2009 SU 1814114, 07.05.1993 3 94673 SnSe2 і TlBiSe2, a також відповідна термограма, що характеризується на кривій нагрівання одним чітким ендотермічним ефектом. Полікристалічні зразки евтектичного композиту Tl0,45Bi0,45Sn0,55Se2 одержували методом спрямованої кристалізації за Бріджменом із шихти з співвідношенням (мол. %) вихідних компонентів TlBiSe2 та SnSe2 9:11. Термоелектричні властивості досліджували методом Хармана в температурному інтервалі 300-600 К на полікристалічних зразках циліндричної форми (d=7-8 мм, l=10-12 мм). Максимальне значення термоелектричної добротності евтектичного композиту складало -3 -1 1,5210 К (Табл.) при 564 К, що значно перевищує аналогічні показники для SnSe2 і TlBiSe2 ( у 9 та 2,5 разів відповідно) [1, 3]. Таблиця Сполука SnSe2 Tl0,45Bi0,45Sn0,55Se2 TlBiSe2 ZT10 , K 0,17 (569 K) 1,52 (564 K) 0,60 (568 K) -3 -1 4 Застосування полікристалічного сплаву Tl0,45Bi0,45Sn0,55Se2 як робочого елемента термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізико-технічними, так і економічними характеристиками. Винахід може бути використаний в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні додаткових джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах, що виділяють теплову енергію в атмосферу Землі. Джерела інформації: 1. Войнова Л. Г., Базакуца В. А., Дембовский С. А., Лисовский Л. Г., Сокол Е. П., Канцер Ч. Т. Термоэлектрические параметры тонких слоев TlBiS2, TlBiSe2, ТlВіТе2 // Изв. вузов. Физика. 1971. - Т. 14, № 5. - С. 154-155. - Прототип. 2. Козьма А. А., Переш Є. Ю., Барчій I. E., Цигика В. В. Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl2Se-SnSe2-Bi2Se3// Укр. хім. журнал. - 2010. - Т.76, № 4. - С. 8-12. 3. Busch G., Frohlich С, Hulliger F., Steigmeier E. Struktur, elektrische und thermoelektrische Eigenschaften von SnSe2 // Helv. Phys. Acta. - 1961. - Bd.34. - № 4. - S. 359-368. 5 Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко 94673 6 Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601