Пристрій для вирощування профільованих кристалів

Номер патенту: 16711

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Пищик Валер'ян Володимирович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Устройство для выращивания профилиро­ванных кристаллов, включающее тигель с крыш­кой, установленный в ней формообразователь, содержащий формообразующий элемент с отвер­стием в центре для затравливания и капилляры для подачи расплава в процессе роста, и механизм для вытягивания, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы и возможности выращи­вания кристаллов различного профиля, капилля­ры выполнены в виде отдельных трубок, собранных в пучок, а формообразующий элемент выполнен в виде съемной насадки, установленной на него сверху и имеющей внутри сквозную про­резь, форма которой соответствует форме выра­щенного кристалла.

Текст

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающее тигель с крышкой, установленный в ней формообразователь, содержащий формообразующий элемент с отверстием в центре для затравливания и капилляры для подачи расплава в процессе роста, и механизм для вытягивания, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения срока службы и возможности выращивания кристаллов различного профиля, капилляры выполнены в виде отдельных трубок, собранных в пучок, а формообразующий элемент выполнен в виде съемной насадки, установленной на него сверху и имеющей внутри сквозную прорезь, форма Которой соответствует форме выращенного кристалла. 2 3 762256 * , а формообразующий элемент выполнен Изобретеьие относится к технолов виде съемной насадки, установленгии получения профилированных мононой на него сверху и имеющей внутри кристаллов, в частности, к технолосквозную прорезь, форма которой соотгии получения профилированного сап5 ветствует форме выращенного кристалфира. ла. Известны устройства для получения профилированных кристаллов. Все они На фиг. 1 изображен общий вид содержат емкость с расплавом, в копредлагаемого устройства; на фиг.2 торой установлен формообразователь, 6 - варианты съемных насадок для выформа которого соответствует форме 10 ращивания кристаллов различного провыращиваемого кристалла. Например, филя: фиг. 2 - в виде круглых труб', по,методу А.В. Степанова в расплав фиг. 3 - в виде трехгранной призмы; погружают экран с профильной щелью фиг. 4 - в виде четырехгранного проили на поверхности расплава плавает филя; на фиг. 5 - в виде ленты£ фильера- В практике выращивания 15 фиг. 6 - в виде шестигранно'го профикристаллов это решение не получило ля , . . '. распространения, так как в процессе Устройство состоит из тигля 1 с кристаллизации понижается уровень крышкой 2, в которой установлен пурасплава, а следовательно, к полочок 3 капилляров. Торец пучка капилжение фронта кристаллизации, которое ляров выведен из тигля и на нем устадля сохранения стабильными формы и -новлена насадка 4, выполняющая роль свойств кристалла следует поддержиформообразующего элемента. Насадка вать неизменным. 4 состоит из внутренней и внешней •^аиболее близким техническим р е деталей с прорезью, форма которой шением является устройство для выра- 25 соответствует форме выращенного крисщивания кристалла на затравке трубталла, а "в центре насадки имеется .чатой формы, включающее тигель с • ' . отверстие 5 для затравливания. ' крышкой,'установленный в ней формообразователь, содержащий формообраУстройство работает следующим зующий элемент с отверстием в центре 30 образом. Через отверстия в крышке 2 для затравливания и капилляры для в тигель 1 загружают сырье. После подачи расплава в процессе роста, расплавления сырья и заполнения и механизм для вытягивания. Формокапилляров 3 к отверстию 5 насадки образователь проходит через весь 4 подводят затравочный кристалл и тигель. . Недостатки такого уст35 подплавляют его. Подплавление необройства:ходимо, чтобы соединить расплавом - при деформации кромки формокапилляр насадки 4 с капиллярами пучобразователя вся оснастка выходит •ка 3. Затем включают вытягивающее из строя и не подлежит восстановлеустройство и выращивают кристалл нию; - для изменения размера или формы 40 известным способом. Форма выращиваемого кристалла определяется формой выращиваемого кристалла необходимо •4 насадки 4. При деформации насадки ее менять всю оснастку. удаляют легким боковым ударом (наЭти недостатки весьма существенны, садка удерживается слоем затвердевтак как деформация формообразующей 45 шего расплава толщиной в несколько кромки может произойти на первой же микрон) или (при значительных разкристаллизации из-за раздавливания ° мерах насадки) снижают температуру кромки затравочным кристаллом, выустройства до примерзання кристалла крашивания формообразователя, вык насадке, после чего ее поднимают падения из него образовавшихся крис- 50| вытягивающим устройством вместе с таллов . кристаллом. Целью изобретения является увеличение срока службы и возможность вырацивания кристаллов различного профиля. Указанная цель достигается тем, что капилляры выполнены в виде отдельных трубок, собранных в пучок, К преимуществам предлагаемого устройства относится возможность 55 получения профилей сложного сечения (например спирали Архимеда), которое нельзя вырастить в известных устройствах, так как капиллярные системы з. 762256 таких сложных форм изготовить технически невозможно, в то время как насадку» высота.которой составляет несколько миллиметров, выполнить достаточно просто. . • 4 Предложенное устройство позволяет более, чем в 4 раза увеличить срок службы формообразователл и уменьшить расход тугоплавких материас. лов на его изготовление. • Фиг. 5 Фиг.З Фиг. 6 Редактор П. Горькова Техред Л.ОлеЙник Корректор В. Бутяга Заказ 4147/3 Тираж 349 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 " Производственно-полиграфическое предприятие,г.Ужгород,ул.Проектная, 4

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Device for growing shaped crystal

Автори англійською

Pyschyk Valerian Volodymyrovych, Lytvynov Leonid Arkadiovych

Назва патенту російською

Устройство для выращивания профилированных кристаллов

Автори російською

Пищик Валерьян Владимирович, Литвинов Леонид Аркадиевич

МПК / Мітки

МПК: B01D 9/00

Мітки: кристалів, вирощування, профільованих, пристрій

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-16711-pristrijj-dlya-viroshhuvannya-profilovanikh-kristaliv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для вирощування профільованих кристалів</a>

Подібні патенти