Спосіб отримання шарів mgo методом спрей-піролізу
Номер патенту: 113142
Опубліковано: 10.01.2017
Автори: Опанасюк Анатолій Сергійович, Д'яченко Олексій Вікторович, Курбатов Денис Ігорович
Формула / Реферат
Спосіб отримання шарів MgO методом спрей-піролізу, який включає виготовлення розчину прекурсору, розпилення його на поверхні нагрітої підкладки, піроліз розчину з утворенням покриття з оксиду металу на підкладці, який відрізняється тим, що як прекурсор використовують водний розчин хлориду магнію (MgCl2·4H2O), а розпилення відбувається імпульсно в герметизованій металевій камері з надлишковим тиском інертного газу.
Текст
Реферат: UA 113142 U UA 113142 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до галузі електроніки, а саме прозорої електроніки, сенсорики та геліоенергетики, зокрема до способів виготовлення однофазних полікристалічних шарів, в тому числі плівок, оксиду магнію великої площі на різних підкладках (скло, кераміка, пластик, метал), які використовуються в оптоелектронних пристроях. Відома наукова робота [Ji Ming Bian and others, 'Preparation of High Quality MgO Thin Films by Ultrasonic Spray Pyrolysis', Applied Surface Science, 228 (2004), 297-301], в якій наведені результати досліджень плівок MgO, товщиною 200 нм, виготовлених з використанням водного розчину ацетату магнію Mg(CH3COO)2·4H2O, на кремнієвих (Si) підкладках з орієнтацією (100). Плівки були отримані з використанням методу ультразвукового спрей-піролізу при температурі 580, 630 та 680 °C. Розпилення прекурсорів проводилося у повітрі. Після осадження плівки відпалювали при температурі 700 °C у кисні протягом 10 хв., щоб зменшити кількість кристалічних дефектів і видалити залишкові органічні речовини. Також відомі результати дослідження [Α. Μ. Ε. Raj and others, "Spray Pyrolysis Deposition and Characterization of Highly (100) Oriented Magnesium Oxide Thin Films", Crystal Research and Technology, 42.9 (2007), 867-75], в яких виготовляли плівки MgO на кварцових підкладках. При цьому як прекурсор використовувався ацетат магнію [Mg(CH3COO)2·4H2O] в розчині етанолу, хлороводень (НСl) та триетиленгліколь (TEG). За допомогою форсунки утворювались дрібні бризки водного розчину прекурсору, які спрямовувались потоком повітря на підкладки, що були розташовані у трубчастій пічці, де підтримувалась температура 400-600 °C. Плівки синтезувались зі швидкістю розпилення 5 мл/хв. у повітрі. Їх товщина змінювалася в діапазоні від 300 до 600 нм. Шари, отримані при Ts
ДивитисяДодаткова інформація
МПК / Мітки
МПК: B05D 5/12
Мітки: шарів, спосіб, отримання, спрей-піролізу, методом
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-113142-sposib-otrimannya-shariv-mgo-metodom-sprejj-pirolizu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання шарів mgo методом спрей-піролізу</a>
Спосіб отримання плівки sno2, легованої фтором методом спрей-піролізу
Номер патенту: 78436
Опубліковано: 25.03.2013
Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Хрипко Сергій Леонідович, Дяденчук Альона Федорівна
МПК: B29D 7/00
Мітки: отримання, спрей-піролізу, sno2, фтором, спосіб, методом, плівки, легованої
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання плівки SnO2, легованої фтором методом спрей-піролізу, який характеризується тим, що плівки SnO2:F на підкладинках діаметром 100 мм виготовлені з використанням технології спрей-піролізу спиртово-водного розчину на основі SnCl4 завтовшки 600 нм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що для виготовлення тонких плівок SnO2:F приготування розчину здійснюють розчиненням 2,3 г SnCl4×5H2O, 5 мл 2М НС1, 20 мл...
Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази
Номер патенту: 93097
Опубліковано: 25.09.2014
Автори: Боскін Олег Осипович, Цибуленко Вадим Володимирович, Євдокимов Олексій В'ячеславович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: C30B 19/00
Мітки: отримання, фазі, рідинної, епітаксійних, спосіб, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину, який відрізняється тим, що контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування.
Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів cu2znsns4 в розбірному реакторі
Номер патенту: 99210
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Момотенко Олександра Віталіївна, Кіріченко Михайло Валерійович, Любов Віктор Миколаєвич, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович, Клочко Наталя Петрівна
МПК: C25D 3/00, H01L 31/00
Мітки: cu2znsns4, отримання, однофазних, розбірному, спосіб, реакторі, шарів, кестеритів, плівкових
Формула / Реферат:
Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu2ZnSnS4 в розбірному реакторі шляхом пошарового електроосадження міді, олова та цинку з водних електролітів і наступним вакуумним відпалом в реакторі в парах сірки (сульфуризацією), який відрізняється тим, що електроосаджені металеві шари збагачують цинком і збіднюють міддю, а процес сульфуризації проводять протягом 50-80 хвилин при температурі 590-610 °C в розбірному реакторі...
Спосіб отримання тонких плівок pbte методом гарячої стінки
Номер патенту: 35210
Опубліковано: 15.03.2001
Автори: Калинюк Михайло Васильович, Варшава Славомир Степанович, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, гарячої, плівок, стінки, спосіб, методом, тонких
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких плівок РbТе методом гарячої стінки шляхом, нагріву підкладки до температури Тп=420-470 К, випаровуванні вихідної речовини РbТе при Тв=820 К, нагріві стінок камери до Тс=850 К, відрізняється тим, що вирощені плівки піддавалися ізохронному відпалу у вакуумі на протязі однієї години при температурі Тi=500 К.
Спосіб отримання тонких шарів а ііі в v
Номер патенту: 10404
Опубліковано: 15.11.2005
Автори: Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович
МПК: H01C 17/00
Мітки: тонких, отримання, ііі, спосіб, шарів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...
Попередній патент: Вихровий гранулятор
Наступний патент: Композиція для заповнення кісткових дефектів
Випадковий патент: Колонний екстрактор