Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази

Реферат: Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину. Контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування. UA 93097 U (12) UA 93097 U UA 93097 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до матеріалознавства напівпровідників та, зокрема, до технології отримання епітаксійних структур з рідинної фази і може бути корисною для подальшого приладового застосування. Найбільш близьким по технічній суті, є спосіб отримання епітаксійних шарів [Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Под. ред Ж.И. Алферова. - М.: Сов. радио, 1975. - 238 с., 71 с.], який полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті всією поверхнею та зниженні температури на задану величину. Цей спосіб взято за найближчий аналог. Однак, в такий спосіб неможливо отримати епітаксійні шари на підкладках, розміри яких більші за розміри розчину-розплаву. В основу корисної моделі поставлена задача по створенню способу отримання епітаксійних шарів на робочих підкладках, які не обмежені розмірами розчину-розплаву. Поставлена задача вирішується тим, що в способі отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчинурозплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину, контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування. Суттєвою відмінністю від найближчого аналога є те, що контакт робочої підкладки з розчином-розплавом відбувається сегментарно, що дозволяє використовувати робочі підкладки, не обмежені розмірами розчину-розплаву. Найбільш близьким по технічній суті, є установка для отримання епітаксійних шарів [Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. - Под. ред Ж.И. Алферова. - М.: Сов. Радио. - 1975, 238 с., 71 с.], що містить нагрівальний вузол, в який встановлена кварцова газова камера, з інертним газом, в яку встановлена касета з робочою підкладкою і з однією або більше комірками, що заповнені розчином-розплавом, а також термопару. Цю установку взято за найближчий аналог. До недоліків найближчого аналога належить те, що робоча підкладка обмежена розмірами касети і нагрівального вузла. В основу корисної моделі поставлена задача по створенню установки для отримання епітаксійних шарів на робочих підкладках, які не обмежені розмірами касети та нагрівального вузла. Поставлена задача вирішується тим, що в установці для отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що містить нагрівальний вузол, газову камера, з інертним газом, в яку встановлена касета з однією або більше комірками, що заповнені розчином-розплавом, робочу підкладку а також термопару, всередині газової камери робоча підкладка розташована ззовні від касети з однією або більше комірками, які розташовані в нагрівальному вузлі або вузлах, причому касета сполучена з пристроєм сканування комірок по поверхні робочої підкладки. Суттєвою відмінністю від найближчого аналога є те, що нагрівальний вузол охоплює безпосередньо комірки з розчином-розплавом, що не обмежує в розмірах камеру і дозволяє її виконання не із термостійкого матеріалу, а робоча підкладка знаходиться за межами касети з комірками, що разом дозволяє використовувати робочі підкладки не обмежені а ні розмірами касети, а ні розмірами нагрівального вузла. Суть корисної моделі подана на кресленні. Установка складається з газової камери 1, всередині якої розташовані: робоча підкладка 2, касета з однією коміркою 3, що заповнена розчином-розплавом 4, пристрій сканування 5 та термопара 6. Касета з коміркою 3, в свою чергу, розташована в нагрівальному вузлі 7. Спосіб реалізується наступним чином. Після процесу гомогенізації і виходу на задану температуру, за допомогою пристрою сканування 5 підводять касету з коміркою 3 з розчино-розплавом 4 до першого сегмента поверхні робочої підкладки 2. Проводять процес вирощування частини, по площі, епітаксійного шару одним з відомих способів рідиннофазної епітаксії, наприклад, примусовим охолодженням насиченого розчину-розплаву. Потім, за допомогою пристрою сканування 5 підводять касету з коміркою 3 до наступного сегмента поверхні робочої підкладки 2 і повторюють процес вирощування. Операцію підведення касети з коміркою 3 до певного сегмента поверхні і операцію росту проводять до тих пір, доки вся поверхня робочої підкладки 2 не буде покрита епітаксійним шаром. Великі по площі підкладки з епітаксійним шаром, які одержано запропонованими способом та запропонованою установкою, можуть бути використані для виготовлення широкого спектра 1 UA 93097 U напівпровідникових приладів мікро- і оптоелектроніки. Зокрема для створення дешевих фотоперетворювачів. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 5 10 Спосіб отримання епітаксійних шарів з рідинної фази, що полягає у процесі гомогенізації, виходу на задану температуру, підведенні розчину-розплаву до поверхні робочої підкладки і їх контакті та зниженні температури на задану величину, який відрізняється тим, що контакт робочої підкладки з розчином-розплавом проводять сегментарно по поверхні робочої підкладки за допомогою пристрою сканування. Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2