Патенти з міткою «алмазу»

Номер патенту: 41467

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Середа Анатолій Павлович, Дяденко Аркадій Ігоревич

МПК: C10C 3/00, C30B 1/00, C01B 31/06 ...

Мітки: гетерогенної, спосіб, кристалізації, рідкофазної, алмазу

Формула / Реферат:

Спосіб гетерогенної рідкофазної кристалізації алмазу шляхом взаємодії вуглеводнів з каталізатором, який відрізняється тим, що як вуглеводні використовують дегідровані компоненти бітуму і процес здійснюють адсорбційною взаємодією цих компонентів з гідридною поверхнею каталізатора, що утворюється хемосорбцією водню при високотемпературному і каталітичному дегідруванні полідисперсних високомолекулярних компонентів бітум-смол і асфальтенів з...

Номер патенту: 41187

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Петренко Валентин Іванович, Мінченко Григорій Васильович, Олейніков Борис Андрійович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, варіанти, синтезу, алмазу

Формула / Реферат:

1.Спосіб синтезу алмазу, який здійснюють при високих температурі та тиску з реакційного складу, що містить вуглецевмісний матеріал і каталізатор, який відрізняється тим, що у периферійну частину реакційного складу вводять добавки, а такі використовують кальцити і/або оксиди у кількості. щоб забезпечити питомий опір, який перевищує- опір реакційного, складу центральної частинну у 1,1...1,5 рази.2.Спосіб синтезу алмазу, який здійснюють...

Номер патенту: 16718

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02

Мітки: одержання, алмазу, спосіб, плівок

Формула / Реферат:

Способ получения пленок алмаза, включаю­щий бомбардировку подложки потоком атомов или ионов углерода с энергией 10-100 эВ при комнат­ной температуре, отличающийся тем, что, с целью обеспечения монокристаллической структуры пленок, подложку размещают под углом 10-80° к потоку атомов или ионов углерода.   "

Номер патенту: 11294

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кацай Маргарита Яківна, Івлєв Алєксандр Алєксєєвіч, Івахненко Сергій Олексійович, Доценко Василь Михайлович, Ушаков Валєрій Константіновіч

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06

Мітки: синтезу, спосіб, алмазу

Формула / Реферат:

Способ синтеза алмаза, включающий воздей­ствие высокого давления и температуры, соответст­вующих области термодинамической стабильности алмаза, на реакционную смесь металла-растворите­ля с графитом, отличающийся тем, что используют металл-растворитель пластинчатой формы, размеры частиц которого имеют толщину d=30-600 мкм, длину а=500-4000 мкм, ширину с = (0,2-1,0)а.

Номер патенту: 10503

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Лойченко Сергій Валентинович, Поздняк Олег Федорович, Харламов Олексій Іванович, Селюков Сергій Миколайович, Кудрявцев Клавдій Клавдійович, Кирилова Наталія Василівна

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, матеріал, полікристалічhий, осhові, hадтвердий

Формула / Реферат:

1. Надтвердий полікристалічний матеріал на основі алмазу з додатками бору та алюміній-вміщуючої речовини, який відрізняється тим, що матеріал в якості алюмінійвміщуючої речовини містить борид або карбоборид алюмінію при слідуючому співвідношенні компонентів, мас.%:бор                                                     0,5-1,5борид або карбоборид алюмінію    1,0-2,0алмаз                                                ...

Номер патенту: 6823

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтезу, алмазу, затравці, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1.Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную затравку нагревают до температуры,...

Номер патенту: 5088

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Боримський Олександр Іванович, Нагорний Петро Арсенійович, Гетьман Анатолій Федорович

МПК: C01B 31/06

Мітки: монокристалів, алмазу, синтеза, шихта

Формула / Реферат:

Шихта для синтеза монокристаллов алмаза, включающая кристаллическую фазу из гексагональной и ромбоэдрической модификации графита и металлический катализатор, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода алмаза, она содержит кристаллическую фазу при массовом со­отношении в ней гексагональной и ромбоэдриче­ской модификации графита 70-90:10-30 и дополнительно графит гексагональной модифика­ции при следующем соотношении составляющих...

Номер патенту: 2911

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Поляков Владімір Прокофьєвіч, Терентьєв Сергій Олександрович, Кацай Маргарита Яківна, Черних Роман Олеговіч, Чіпенко Георгій Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Давидов Микола Олексійович, Доценко Василь Михайлович

МПК: B01J 3/06, C01B 31/06

Мітки: спосіб, одержання, алмазу

Формула / Реферат:

1. Способ получения алмаза путем воздействия высокого давления, и температуры в области термодинамической стабильности алмаза на шихту, содержащую графит и катализатор-растворитель, отличающийся тем, что в шихту предварительно вводят добавку, разлагающуюся в условиях процесса с образованием водорода в количестве, обеспечивающем содержание водорода 0,002-0,03 масс. % от массы катализатора-растворителя, а графит и катализатор-растворитель берут...

Номер патенту: 2399

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Петров Юрій Сергійович, Одесюк Іван Тимофійович, Нагірна Ганна Нестерівна

МПК: B28D 5/00

Мітки: деформованого, огранки, спосіб, алмазу, кристалу

Формула / Реферат:

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза, преимущественно при изготов­лении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22 "З0', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристалло­графических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование гра­ней,...

Номер патенту: 1680

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Шульженко Олександр Олександрович, Осипов Олександр Сергійович, Воронін Георгій Олексійович

МПК: B22F 7/04, C01B 31/06

Мітки: спосіб, одержання, кремнію, алмазу, карбіду, композиційного, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Способ получения композиционного ма­териала из алмаза и карбида кремния, включа­ющий формирование трехслойной системы из слоя алмазного порошка, пластины из кремния и проме­жуточного между ними слоя, нагрев этой системы под воздействием давления не менее 25 кбар до температуры, достаточной для плавления кремния, и выдерживание при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости алмазосодержащего слоя...

Номер патенту: 1372

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович, Заневський Олег Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Вітюк Віктор Іванович

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, синтезу, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза путем воздействия высокого давления и темпера­туры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостой­кости монокристаллов алмаза, в качестве источ­ника углерода используют алмазные зерна разме­ром не менее 100 мкм, предварительно пропитан­ные металлом или сплавом, растворяющимся в...

Номер патенту: 1374

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Білоусов Ігор Святославович, Будяк Олександр Ананійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, монокристалів, спосіб, затравці, синтезу

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализато­ра-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источ­ника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращива­емого...

Номер патенту: 1377

Опубліковано: 25.03.1994

Автори: Шульженко Олександр Олександрович, Кацай Маргарита Яківна

МПК: C01B 31/06

Мітки: алмазу, монокристалів, спосіб, синтезу

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза, включающий послойное размещение в контейнере камеры высокого давления металла или сплава-растворителя, меди и графита и последующее воз­действие давления при температуре в области термодинамической стабильности алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и уменьшения количества включений в кристаллах, слой меди размещают между слоями растворителя при содержании ее 2—25 % от массы...

Номер патенту: 1104

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Кацай Маргарита Яківна, Шульженко Олександр Олександрович, Гетьман Анатолій Федорович

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, алмазу, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов алмаза, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамичес­кой устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя-сплава углеро­да с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения тер­мостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04-0,4 мас.% углерода.

Номер патенту: 2

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Новіков Микола Васильович, Будяк Олександр Ананійович, Івахненко Сергій Олексійович, Чіпенко Георгій Володимирович

МПК: B01J 3/00, C30B 1/00, C01B 31/06 ...

Мітки: алмазу, монокристалів, затравці, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке, включающий создание начального перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, которые разделены расположенной между ними массой металлического катализатора-растворителя, заключающийся в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источнику углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке, причем алмазную...