B81C 1/00 — Виготовлення або обробка пристроїв або систем, виконаних всередині загальної підкладки або на ній
Спосіб одержання ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (ag3ass3)0,6 (as2s3)0,4
Номер патенту: 90946
Опубліковано: 10.06.2014
Автори: Петраченков Олександр Євгенович, Раті Йосип Йосипович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Неймет Юрій Юрійович
МПК: B81C 1/00
Мітки: as2s3)0,4, спосіб, віскерів, ag-вмісних, плівки, поверхні, одержання, ag3ass3)0,6
Формула / Реферат:
Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...
Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію
Номер патенту: 87386
Опубліковано: 10.02.2014
Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович
МПК: B81C 1/00
Мітки: плазмохімічного, полікремнію, травлення, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівок фоторезисту, його сушку і експонування, проявлення експонованих областей, задублення плівки резисту плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, в склад якої входить: травильний газ SF6, галогеновмістимий газ, який...
Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах
Номер патенту: 62085
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович
МПК: B81C 1/00, B82B 3/00
Мітки: порожнин, кремнієвих, багаторівневих, пластинах, формування, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування горизонтальних порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію,...
Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах
Номер патенту: 43198
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович
МПК: B82B 3/00, B81C 1/00
Мітки: герметизованих, спосіб, кремнієвих, пластинах, формування, порожнин
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію та окислення...
Розчин для хімічного маркірування сталевих деталей
Номер патенту: 19277
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Ясногородська Елла Йосипівна, Бабушкіна Ірина Володимирівна
МПК: B81C 1/00
Мітки: розчин, хімічного, маркірування, сталевих, деталей
Формула / Реферат:
Раствор для химической маркировки стальных деталей, содержащий азотную (конц.) и соляную (конц.) кислоты, окись меди и растворитель, отличающийся тем, что он дополнительно содержит кислый сернокислый калий и аммоний лимоннокислый двухзамещенный, а в качестве растворителя - воду при следующем соотношении компонентов:
Розчин для травлення силіцидів кобальту на основі з арсеніду галію
Номер патенту: 9581
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Шевчук Петро Павлович, Ільченко Василь Васильович, Циганова Ганна Іскаковна, Тарасенко Сергій Олегович
МПК: B81C 1/00, C23F 1/10
Мітки: травлення, розчин, кобальту, арсеніду, силіцидів, галію, основі
Формула / Реферат:
Розчин для травлення силіцидів кобальту на основі арсеніду галію, що містить фтористоводневу і азотну кислоти, який відрізняється тим, що розчин додатково містить ортофосфорну і отцову кислоти при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: фтористоводнева кислота Н 2F2 (пит. вага 1,14) 35—45 азотна кислота НNОз (пит. вага...
Розчин для травлення силіцидів металів
Номер патенту: 5388
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Ільченко Василь Васильович, Тарасенко Сергій Олегович, Шевчук Петро Павлович
МПК: C23F 1/10, B81C 1/00
Мітки: травлення, металів, силіцидів, розчин
Формула / Реферат:
Раствор для травления силицидов металлов, преимущественно, для размерного, травления силицидов титана и молибдена на кремниевой основе, содержащий уксусную кислоту, фторидионы, окислитель и воду, отличающийся тем, что он дополнительно содержит ортофосфорную кислоту, в качестве фторидионов-фтористоводородную кислоту, а в качестве окислителя - азотную кислоту, при следующем соотношении ингредиентов (мас. %): Фтористоводородная...