Патенти з міткою «гетерування»

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Лущін Сергій Петрович, Точилін Дмитро Сергійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: лазерним, гетерування, спосіб, напівпровідникових, поверхні, контролю, випромінюванням, пластин

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Номер патенту: 48795

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Михалюк Ольга В'ячеславівна, Теселько Петро Олексійович, Новиков Микола Миколайович

МПК: H01L 21/02

Мітки: кисневмісних, кремнії, спосіб, гетерування, домішок

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування кисневмісних домішок у кремнії, що включає відпал пластин у температурній області їх кисневого пересичення, який відрізняється тим, що пластини вводять в напружений стисканням стан, після чого здійснюють їх відпал при температурі 500-700 °С.

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Єфремов Олексій Олександрович, Рассамакін Юрій Володимирович, Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович, Клюй Микола Іванович, Саріков Андрій Вікторович, Євтух Анатолій Антонович, Костильов Віталій Петрович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: домішок, полікристалічному, монокристалічному, рекомбінаційно-активних, кремнії, гетерування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Горбулик Володимир Іванович, Марченко Ростислав Іванович, Клюй Микола Іванович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: домішок, рекомбінаційно-активних, спосіб, гетерування, кремнії

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...