Патенти з міткою «монокристалічному»
Спосіб отримання сонячних елементів на монокристалічному кремнії з використанням нанорозмірного поруватого кремнію
Номер патенту: 116768
Опубліковано: 12.06.2017
Автори: Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович
МПК: H01L 31/00, C30B 29/06, H01L 21/00 ...
Мітки: кремнії, кремнію, сонячних, поруватого, використанням, елементів, отримання, нанорозмірного, монокристалічному, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...
Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії
Номер патенту: 97884
Опубліковано: 10.04.2015
Автори: Войтович Марія Володимирівна, Литовченко Володимир Григорович, Лісовський Ігор Петрович, Злобін Сергій Олександрович
МПК: H01L 21/66
Мітки: кремнії, визначення, спосіб, монокристалічному, преципітованого, концентрації, кисню
Формула / Реферат:
Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії, який включає хімічну обробку полірованої з обох сторін пластини кремнію в розчині HF, опромінення її ІЧ світлом і вимірювання смуги ІЧ пропускання в діапазоні 1000-1200 см-1 на валентних Si-Ο зв'язках, який відрізняється тим, що пластину кремнію при вимірюванні смуги ІЧ пропускання додатково охолоджують до температури рідкого азоту 77 К, із зареєстрованої...
Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії
Номер патенту: 63399
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Костильов Віталій Петрович, Попов Валентин Георгійович, Саріков Андрій Вікторович, Литовченко Володимир Григорович, Клюй Микола Іванович, Рассамакін Юрій Володимирович, Євтух Анатолій Антонович, Єфремов Олексій Олександрович
МПК: H01L 21/322, H01L 21/265
Мітки: гетерування, рекомбінаційно-активних, кремнії, домішок, монокристалічному, полікристалічному, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...