Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns n-типу
Номер патенту: 26752
Опубліковано: 10.10.2007
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при парціальному тиску пари цинку PZn = (1.101 - 2.105) Па.
2. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу за п. 1, який відрізняється тим, що кристали отримують провідності n-типу .
Текст
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення 3 26752 температурі відпалу кристалів Т=(1170±3)К. Встановлено, що при цьому кристали володіють чітко вираженою електронною провідністю, тобто мають n-тип. Це пов’язано з тим, що при відпалі у парах цинку в кристалах ZnS домінують між вузлові атоми цинку Zni+ і Zn2 + , які є i ефективними донорами. Спосіб тримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу здійснюється наступним чином. Синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, на відстані 50мм від її плоских торців, на яких здійснюється кристалізація. Температура гарячої зони порошкоподібного джерела (1820-1870)К, температура зони кристалізації (1748-1773)К, тиск газу (0,91-1,2)·105Па. Крім того, одержані кристали віддають двотемпературному відпалу у парах цинку. Приклад конкретного виконання Синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, на відстані 50мм від її плоских торців, на яких здійснюється кристалізація. Температура гарячої зони порошкоподібного джерела (1820-1870)К, температура зони кристалізації (1748-1773)К, тиск газу (0,91-1,2)·105Па. Отримані кристали піддають двотемпературному відпалу при температурі Т=(1170±3)К і парціальному тиску пари цинку PZn=(1·101-2·105)Па. Отримані таким чином кристали мають n-тип провідності. Основними точковими дефектами є одно- і двозарядні між вузлові атоми цинку Zni+ , Zni2 + та вакансії у 2 аніонній підгратці VS + , які є донорами, а також вакансії у катіонній підгратці Кристалоквазіхімічна формула n-ZnS (Zn ) (S x '' (1-a )+ ag Va(1- g ) Zn ) (Zn x '' 1-a Va S 2VZn . буде ), . .. a(1- g )(1-d )Zn a (1- g )d i тут a - відхилення від стехіометричного складу; g - частка атомів цинку у вузлах кристалічної ґратки; Znx - цинк у вузлах кристалічної ґратки; d Zn коефіцієнт диспропорціювання міжвузлових атомів .. цинку; VS - двозарядні вакансії сірки; ".", "’", "х" позитивний, негативний та нейтральний заряди. Рівняння повної електронейтральності ( ) ( ) ( )( ) а (Zn )+ 2(Zn )+ 2(V )- 2(V ). '' .. 2 VZn + n Zn. + 2 Zn.. + VS , = i i концентрація nH n - p = = . i .. i .. S холлівська '' Zn Змінюючи парціальний тиск сірки PS2 при відпалі кристалів можна впливати на величину відхилення від стехіометричного складу b , а отже і концентрацію дефектів, які і визначають тип провідності і холлівську концентрацію носіїв струму. 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for zns semiconductor crystals of n-type obtaining
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Babuschak Halyna Yaroslavivna
Назва патенту російськоюСпособ получения полупроводниковых кристаллов zns n-типа
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Бабущак Галина Ярославовна
МПК / Мітки
МПК: C30B 1/00
Мітки: отримання, n-типу, кристалів, спосіб, напівпровідникових
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-26752-sposib-otrimannya-napivprovidnikovikh-kristaliv-zns-n-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns n-типу</a>
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns p-типу
Номер патенту: 26751
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Сташко Назар Васильович
МПК: C30B 1/00
Мітки: напівпровідникових, отримання, кристалів, p-типу, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву і пристрій для його реалізації
Номер патенту: 71915
Опубліковано: 17.01.2005
Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович
МПК: C30B 28/00, C30B 30/00
Мітки: кристалів, отримання, реалізації, розплаву, пристрій, напівпровідникових, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Никируй Любомир Іванович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованих, отримання, pbте, спосіб, кристалів, провідності, p-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів
Номер патенту: 40268
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01R 31/00
Мітки: напівпровідникових, визначення, спосіб, ниткоподібних, типу, кристалів, провідності
Формула / Реферат:
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...
Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності
Номер патенту: 24133
Опубліковано: 25.06.2007
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: спосіб, легованих, pbte:bi, провідності, отримання, кристалів, p-типу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...
Попередній патент: Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns p-типу
Наступний патент: Спосіб отримання соусу з бузини
Випадковий патент: Горілка особлива "львівський стандарт. крижана"