Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск вибирають не менший за 0,1 мм, оброблений після квадратера зливок піддають різанню на пластини, а припуск видаляють з торцевої поверхні пластини лазерним різанням.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск вибирають в діапазоні 0,1...10 мм.

Текст

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального 3 43896 4 перерізу прсевдоквадратованого зливку відповідає різанню на пластини. З кожної торцевої поверхні заданому розміру пластини з припуском, видаленпластини видаляють припуск лазерною різкою. ня припуску, різання псевдоквадратованого зливка Нижче наведений приклад демонструє, але не на пластини, в якому при обробці на квадратері обмежує корисну модель. припуск вибирають не менший за 0,1 мм, обробПриклад. лений після квадратера зливок піддають різанню Зливок монокристалічного кремнію довжиною на пластини, а припуск видаляють з торцевої по1300 мм, вирощений за методом Чохральського, верхні пластини лазерною різкою. Краще, при обдіаметром 195 мм, обробляють на квадратері робці на квадратері припуск вибирають в діапазоні шляхом попарного зрізування чотирьох сегментів 0,1...10 мм. зливка за допомогою дротової різки з отриманням Експериментально нами було встановлено, псевдоквадратної форми в горизонтальному пещо якщо при обробці зливка монокристалічного рерізі зливка. При цьому, для отримання пластин з кремнію на квадратері залишати припуск, розпусрозміром сторони псевдоквадрата 156 мм, дроти кати псевдоквадратований зливок на пластини і встановлюють таким чином, щоб розмір сторони видаляти припуск за периметром пластини лазерпсевдоквадрата у горизонтальному перерізі прсеною різкою, то торцева поверхня пластини за всівдоквадратованого зливка становив 158 мм. Далі єю периферією не містить мікротріщин, які привооброблений після квадратера зливок піддають дять до руйнації пластини. Це дозволило різанню на пластини за допомогою багатодротовозменшити товщину однієї пластини до 160 мкм і го різака. Після відмивання і сушки з кожної пласменше при хорошому виходу придатних пластин. тини за допомогою лазерної різки на установці Спосіб здійснюється таким чином. LCS-300 (Synova) видаляють припуск з торцевої Вирощений зливок монокристалічного кремнію поверхні пластини. обробляють на квадратері з наданням псевдокваОтримано монокристалічні кремнієві пластини дратної форми в горизонтальному перерізі зливка. товщиною 160 мкм. Вихід придатних пластин - 49 При цьому обробку на квадратері здійснюють так, пл./кг. Торцева поверхня пластини не має тріщин щоб розмір горизонтального перерізу прсевдоквата сколів. дратованого зливка відповідав заданому розміру Запропонований спосіб дозволяє отримати пластини з припуском не меншим за 0,1 мм. Далі кремнієві пластини з монокристалічного кремнію оброблений після квадратера зливок піддають товщиною 160 мкм і нижче (до 100 мкм) з високим виходом придатних пластин. Комп’ютерна верстка В. Мацело Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for production of monocrystal silicon plates

Автори англійською

Berinhov Serhii Borysovych, Sukhostavets Volodymyr Markovych

Назва патенту російською

Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин

Автори російською

Берингов Сергей Борисович, Сухоставец Владимир Маркович

МПК / Мітки

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: пластин, спосіб, кремнієвих, виготовлення, монокристалічних

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-43896-sposib-vigotovlennya-monokristalichnikh-kremniehvikh-plastin.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин</a>

Подібні патенти