Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію
Номер патенту: 44908
Опубліковано: 26.10.2009
Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович
Формула / Реферат
1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.
Текст
1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з 3 44908 блок піддають різанню на пластини. З кожної торцевої сторони пластини видаляють по периметру край не менший 0,1мм лазерною різкою. Нижче наведений приклад, що демонструє але не обмежує корисну модель. Приклад Зливок мультикристалічного кремнію вирощують у кварцовому тиглі квадратної форми розміром 690x690x420. Зливок вирощували методом спрямованої кристалізації кремнію знизу вверх в атмосфері аргону. Зростання зливку проводили зі швидкістю 1,5-2,5см/год. Охолоджений після кристалізації зливок розміщували на брикетері і розрізали на 16 блоків розміром 160x160x260. Кожний Комп’ютерна верстка А. Крулевський 4 блок розрізали за допомогою за допомогою багатодротового різака. Після відмивання і сушки з кожної торцевої сторони пластини за допомогою лазерної різки на установці LCS-300 (Synova) видаляють по периметру край по 2мм. Отримані кремнієві пластини з мультикристалічного кремнію зі стороною квадрата 156мм товщиною 160мкм, вихід придатних пластин - 51пл/кг. Торцева поверхня не має тріщин та сколів. Запропонований спосіб дозволяє отримати кремнієві пластини з мультикристалічного кремнію з товщиною 160мкм і нижче (до 100мкм) з високим виходом придатних пластин. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for production of silicon plates from multicrystal silicon
Автори англійськоюBerinhov Serhii Borysovych, Sukhostavets Volodymyr Markovych
Назва патенту російськоюСпособ изготовления кремниевых пластин из мультикристаллического кремния
Автори російськоюБерингов Сергей Борисович, Сухоставец Владимир Маркович
МПК / Мітки
МПК: C30B 29/06, C30B 33/00
Мітки: мультикристалічного, пластин, кремнієвих, виготовлення, спосіб, кремнію
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-44908-sposib-vigotovlennya-kremniehvikh-plastin-z-multikristalichnogo-kremniyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію</a>
Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію
Номер патенту: 74660
Опубліковано: 16.01.2006
Автори: Шульга Юрій Григорович, Скобаро Андрій Олексійович, Берінгов Сергій Борисович, Святелик Володимир Федосійович
МПК: H01L 31/18, C30B 29/06, H01L 21/02
Мітки: спосіб, сонячних, елементів, кремнію, пластин, мультикристалічного, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...
Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію
Номер патенту: 70408
Опубліковано: 15.10.2004
Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович, Скобаро Андрій Олексійович
МПК: H01L 31/18, C30B 29/00, C30B 29/06, H01L 21/304
Мітки: спосіб, пластин, сонячних, елементів, мультикристалічного, одержання, кремнію
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...
Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин
Номер патенту: 43896
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Берінгов Сергій Борисович, Сухоставець Володимир Маркович
МПК: C30B 29/06, C30B 33/00
Мітки: виготовлення, кремнієвих, монокристалічних, спосіб, пластин
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...
Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію
Номер патенту: 3412
Опубліковано: 15.11.2004
Автор: Крапивко Геннадій Іванович
МПК: H01L 31/036, H01L 21/26
Мітки: пластин, обробки, кремнію, спосіб, монокристала, поверхні
Формула / Реферат:
Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.
Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур
Номер патенту: 30568
Опубліковано: 15.11.2000
Автори: Бахрушин Володимир Євгенович, Ольховий Вадим Олексійович
МПК: H01L 21/203
Мітки: структур, кремнієвих, спосіб, виготовлення, одношарових
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...
Попередній патент: Кремнієва пластина для сонячних елементів
Наступний патент: Піч для обігрівання приміщень з варильною поверхнею
Випадковий патент: Поршнева машина рудваса