Спосіб отримування тонких напівпровідникових плівок

Спосіб отримування тонких напівпровідникових плівок, який полягає в реактивному магнет 3 33539 4 результаті цього атоми металу вибиваються з помічне випаровування активатора з розчину рідкого верхні металічної мішені вступаючи в хімічні зв'язGa. Тут використовується та властивість, що рідки з активним газом і утворюють сполуку, яка конкий Ga підвищує розчинність введених в нього денсується на підкладці 5 у вигляді тонкої плівки 6. активаторів. Ефективність випаровування активаХарактерним є те, що розпилюється тільки перитора з Ga є функцією його температури , яку легко ферична частина мішені у вигляді кільця. Центраконтролювати. Суттєвим є те, що зона РМР мішені льна частина мішені 2 не піддається розпиленню. і зона термічного випаровування активатора розТому в центральній частині мішені 2 розмішується міщені концентрично. Це приводить до того, що рідкий Ga з активатором 3. Так як рідкий Ga підактиватор розподіляється рівномірно по об'єму вищує розчинність введених в нього металів, то плівки в процесі її конденсації на відповідній підможна випаровувати незначні об'єми активатора. кладці. В результаті, отримані плівки мають високі Ефективність термічного випаровування активатоексплуатаційні характеристики. ра з рідкого Ga 3 є функцією температури, тому На Фіг. приведена схема технологічної устаноможна здійснювати контрольоване і дозоване ввевки для реалізації запропонованого способу отридення активатора в процесі росту плівки 6 при мування тонких напівпровідникових плівок. ВведеРМР. При цьому, зона термічного випаровування ні слідуючі позначення: магнетрон - 1, на катоді (К) активатора знаходиться в центральній частині якого розміщена металічна мішень - 2, в центрі металічної мішені 2, тобто навпроти діелектричної металічної мішені розміщено рідкий Ga з активапідкладки 5, і концентрично зоні магнетронного тором-3, під металічною мішенню розміщено елекрозпилення металічної мішені. В результаті, актитропідігрівач - 4, зверху над мішенню розміщена ватор буде рівномірно розподілятись по об'єму діелектрична підкладка - 5, на яку наноситься наплівки 6 в процесі її конденсації на підкладці 5. півпровідникова плівка - 6, діелектрична підкладка Вказаним способом можна термічно випаровувати з плівкою закріплені на аноді - 7, між анодом і каактиватори з температурою випаровування нижтодом прикладена електрична напруга - (UА), на чою ніж у Ga. котушку магнетрона - 1 подається напруга - (UА). Таким чином, розміщуючи джерело рідкого Ga Отримування тонких напівпрвідникових плівок з активатором в центральній частині металічної відбувається слідуючим чином: в резервуарі знамішені, яка не піддається РМР і проводячи термічходиться суміш активного (наприклад: кисень, не випаровування активатора з нього, можна проазот), та інертного (наприклад: аргон) газів при водити контрольоване, і рівномірне по об’єму, левакуумі 10-1-10-2Па. Під дією магнітного поля маггування плівок в процесі їх росту при РМР. нетрону 1 і електричного поля утвореного між каЗапропонованим способом можна отримувати летодом (К) і анодом 7, відбувається іонізація суміші говані напівпровідникові плівки для потреб мікроактивного та інертного газів. Суттєвим є те, що в електроніки оптоелектроніки та систем відобрамагнетроні циліндричної форми магнітне поле ження інформації. концентрується у вигляді кільця. При цьому, елекВикористані джерела при складанні заявки: трони прискорюються магнітним полем магнетрону 1. Магнетронне отримування тонких плівок. 1, та додатково іонізують атоми газової суміші по Мікроелектроніка. М., 2002р. кільцевому простору. Утворені позитивні іони при2. Спосіб отримування тонких плівок при РМР. скорюються і бомбардують металічну мішень 2, Основи мікроелектроніки. К., 1999р. яка знаходиться під негативним потенціалом. В 5 Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков 33539 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601