Спосіб отримання кристалів n-znse
Номер патенту: 29699
Опубліковано: 25.01.2008
Формула / Реферат
Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe n-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку PZn>0,8 атм.
Текст
Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і 3 29699 Zni+ Zn2 + , i міжвузлові атоми цинку і які є ефективними донорами. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnSe n-типу здійснюється наступним чином. Вихідні компоненти - цинк і селен поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трьохсекційною піччю. При цьому дві крайні секції служать для випаровування компонентів, а середня виконує функцію для кристалізації сполуки. Крім того, одержані кристали віддають двотемпературному відпалу у парах цинку. Приклад конкретного виконання: Вихідні компоненти - цинк і селен - високого класу чистоти поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трьохсекційною піччю. Одна секція використовується для випаровування цинку, друга - для випаровування селену, середня секція пічки являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки ZnSe. Отримані кристали ZnSe піддають двотемпературному відпалу при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку PZn>0,8атм., які мають вже n-тип провідності. Основними точковими дефектами у n+ 2+ ZnSe є міжвузлові атоми цинку Zni , Zni та 2+ вакансії у аніонній підгратці VSe , які є донорами, а також вакансії у Кристалоквазіхімічна ( катіонній підгратці формула n-ZnSe ) ( 2 Zn(x - a )+ ag Va (- - g ) 1 1 Zn ) ( x 2 Se1- a Va + Se Zn + (1- g ) 1-)d a ( 2VZn . буде ) + Zn 2 (1- g )d a i , тyт a - відхилення від стехіометричного складу; g - частка атомів цинку у вузлах кристалічної x ґратки; ZnZn - цинк у вузлах кристалічної ґратки; d - коефіцієнт диспропорціювання міжвузлових ( ) 2 + 2+ Zni ® Zn(1- d )Znd + + (1 + d )e¢; VSe i атомів цинку двозарядні вакансії селену; "+", "-", "х" - позитивний, негативний та нейтральний заряди. Рівняння повної електронейтральності у цьому випадку матиме вигляд 22+ = [ Zni+ ] + 2[ Zn2 + ] + 2[ VSe ] , а холлівська 2[ VZn ] + n i концентрація визначатиметься із співвідношення 2+ 2nH = n - p = [ Zni+ ] + 2[ Zni2 + ] + 2[ VSe ] - 2[ VZn ] . Таким чином, змінюючи парціальний тиск цинку PZn при відпалі кристалів можна впливати на величину відхилення від стехіометричного складу a, а отже і концентрацію дефектів, які і визначають тип провідності і холлівську концентрацію носіїв струму nH. 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for obtaining n-znse crystals
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Babuschak Halyna Yaroslavivna
Назва патенту російськоюСпособ получения кристаллов n-znse
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Бабущак Галина Ярославовна
МПК / Мітки
МПК: C30B 1/00
Мітки: спосіб, n-znse, кристалів, отримання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-29699-sposib-otrimannya-kristaliv-n-znse.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання кристалів n-znse</a>
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns n-типу
Номер патенту: 26752
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна
МПК: C30B 1/00
Мітки: кристалів, отримання, спосіб, напівпровідникових, n-типу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns p-типу
Номер патенту: 26751
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна, Сташко Назар Васильович
МПК: C30B 1/00
Мітки: p-типу, отримання, кристалів, напівпровідникових, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву і пристрій для його реалізації
Номер патенту: 71915
Опубліковано: 17.01.2005
Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович
МПК: C30B 30/00, C30B 28/00
Мітки: напівпровідникових, спосіб, реалізації, отримання, кристалів, розплаву, пристрій
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...
Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності
Номер патенту: 24133
Опубліковано: 25.06.2007
Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: кристалів, спосіб, p-типу, легованих, провідності, pbte:bi, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованих, спосіб, отримання, p-типу, кристалів, pbте, провідності
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...
Попередній патент: Ключовий елемент на діодах шотткі зі структурами “кремній-на-ізоляторі”
Наступний патент: Спосіб отримання кристалів p-znse
Випадковий патент: Установка для термоциклічних досліджень зразків матеріалів "лускунчик"