Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза
Номер патенту: 95882
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович
Формула / Реферат
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.
Текст
УКРАЇНА (19) UA (11) 95882 (13) C2 (51) МПК (2011.01) C30B 29/46 (2006.01) C30B 29/10 (2006.01) C30B 11/00 ДЕРЖАВНА СЛУЖБА ІНТЕЛЕКТУАЛЬНОЇ ВЛАСНОСТІ УКРАЇНИ ОПИС ДО ПАТЕНТУ НА ВИНАХІД (54) КРИСТАЛІЧНИЙ МАТЕРІАЛ ДЛЯ АКТИВНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ЛАЗЕРІВ СЕРЕДНЬОГО ІЧ ДІАПАЗОНУ З ПЕРЕСТРОЮВАННЯМ ЧАСТОТИ НА ОСНОВІ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ, ЛЕГОВАНОГО ІОНАМИ ЗАЛІЗА (13) тивні лазерні матеріали, котрі отримують на основі ІІ VI кристалів бінарних сполук AB (ZnS;ZnSe;ZnTe;CdS;CdSe;CdTe) та їх твердих розчинів (Cd0,9Zn0,1Te;Cd0,65Mg0,35Te;Cd0,85Mn0,15Te;Cd0,55Mn0 ,45Te) шляхом легування іонами перехідних мета2+ 2+ 2+ лів (Cr , Fe , Co та ін.). Відомий монокристалічний матеріал - селенід цинку, легований ізовалентною домішкою хрому, 2+ 18 Cr :ZnSe, при чому вміст хрому складає 2*10 см 3 [М.Е. Doroshenko, P. Koranda, Н. Jelinkova, J. Sulc, M. Nemec, T.T.Basiev, V.K.Komar, A.S.Gerasimenko, V.M.Puzikov.Cr:ZnSe prism for broadly tunable mid-infrared laser radiation generation // Laser Phys.Lett.2007. - Vol.4, Issue 7. P.503-506]. Вказаний матеріал призначений для виготовлення активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти, прозорий у видимому діапазоні спектру, має дос 95882 Винахід належить до області вирощування монокристалів і може бути використаний в лазерному приладобудуванні, зокрема, для виготовлення активних елементів лазерів середнього інфрачервоного (ІЧ) діапазону з перестроюванням частоти. Створення компактних лазерів з перестроюванням частоти, ефективно працюючих при кімнатних температурах в середньому ІЧ діапазоні, викликає великий інтерес для вирішення чисельних наукових і практичних задач. До основних областей використання таких лазерів відносяться: медицина (лазери з перестроюванням частоти середнього ІЧ діапазону, що випромінюють в інтервалі 2,0-5,0 мкм, необхідні для нейрохірургії, офтальмології, отоларингології, урології, пластичній хірургії та ін.), екологічний моніторинг складу газів в навколишньому середовищі, оптичні системи зв'язку, спектроскопічні та фотохімічні дослідження. Для створення таких лазерів використовують ак (11) V.V.Fedorov et al. Iron-doped CdxMn1-xTe crystals for mid-IR room-temperature lasers// Journal of Crystal Growth.–2008.-Vol.310. – P.4438-4442 A.A. Voronov et al. A continuous-wave Fe2+:ZnSe laser // QUANTUM ELECTRON. – 2008. – Vol.38, No. 12 – Abstract. N.N. Il’ichev Nonlinear transmittance of ZnSe:Fe2+ crystal at a wavelength of 2.92 ?m // Laser Phys. – 2007. - Vol.17, No.2. - P.130 M.E. Doroshenko at el. Tunable mid-infrared laser properties of Cr2+:ZnMgSe and Fe2+:ZnSe crystals // Laser Physics Letters. - Vol. 7, Is.1. - P. 38-45 (57) Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюCrystalmaterial for active elements of lasers of mediuminfredrange with frequency tuning based on zinc selenide alloyed by iron ions
Автори англійськоюZahoruiko Yurii Anatoliiovych, Kovalenko Nazar Olehovych, Herasymenko Andrii Spartakovych, Khrystian Volodymyr Anatoliiovych, Puzikov Viacheslav Mykhailovych, Komar Vitalii Korniiovych
Назва патенту російськоюКристаллический материал для активных элементов лазеров среднего ик диапазона с перестройкой частоты на основе селенида цинка, легированного ионами железа
Автори російськоюЗагоруйко Юрий Анатольевич, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрей Спартакович, Христьян Владимир Анатольевич, Пузиков Вячеслав Михайлович, Комар Виталий Корнеевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00
Мітки: середнього, основі, лазерів, активних, частоти, селеніду, перестроюванням, матеріал, кристалічний, цинку, легованого, заліза, іонами, елементів, діапазону
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-95882-kristalichnijj-material-dlya-aktivnikh-elementiv-lazeriv-serednogo-ich-diapazonu-z-perestroyuvannyam-chastoti-na-osnovi-selenidu-cinku-legovanogo-ionami-zaliza.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза</a>
Попередній патент: Швидке перемикання каналу і захист потокової передачі високої якості по широкомовному каналу
Наступний патент: Спосіб виготовлення панелей і виготовлена відповідно до способу панель
Випадковий патент: Спосіб визначення розвитку поліорганної дисфункції у хворих на гострий поширений перитоніт