Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: легованого, основі, термообробки, селеніду, ізовалентною, кристала, матеріалу, цинку, сцинтиляційного, домішкою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/46, G01T 1/202, C30B 29/10

Мітки: сцинтиляційний, основі, напівпровідниковий, активованого, одержання, цинку, спосіб, селеніду, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 88517

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, G02F 1/35, C30B 29/00

Мітки: розчину, основі, монокристалічний, матеріал, твердого, zn1-xmgxse

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину Zn1-xMgxSe для нелінійних перетворювачів випромінювання середнього ІЧ діапазону, який відрізняється тим, що вміст магнію в ньому складає 0,13<х<0,6.

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: спосіб, основі, селеніду, цинку, обробки, кристалічних, елементів

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Файнер Михайло Шайович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: оптичних, селеніду, цинку, спосіб, елементів, термообробки

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.