Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10

Мітки: перестроюванням, елементів, матеріал, основі, активних, хромом, легованого, селеніду, частоти, середнього, лазерів, кристалічний, цинку, діапазону

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10

Мітки: легованого, селеніду, заліза, елементів, середнього, кристалічний, частоти, діапазону, активних, перестроюванням, лазерів, основі, цинку, іонами, матеріал

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 88517

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: G02F 1/35, C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: матеріал, zn1-xmgxse, твердого, основі, монокристалічний, розчину

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину Zn1-xMgxSe для нелінійних перетворювачів випромінювання середнього ІЧ діапазону, який відрізняється тим, що вміст магнію в ньому складає 0,13<х<0,6.

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/46, C30B 29/10

Мітки: одержання, активованого, цинку, напівпровідниковий, спосіб, матеріал, основі, селеніду, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: цинку, кристалічних, обробки, елементів, спосіб, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...