Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів нвч-польових транзисторів

Корисна модель відноситься до галузі створення СВЧ-транзисторів, зокрема до способів формування субмікронної електродної системи затворів СВЧ-польових транзисторів. Корисна модель, що пропонується, належить до способів, що базуються на використанні неорганічних резистів на основі шарів халькогенідних стекол (ХС) для технологій створення СВЧ транзисторів. Неорганічні резисти на основі ХС володіють рядом переваг перед традиційними органічними резистами. Зокрема, вони наносяться методами вакуумного напилення, внаслідок чого забезпечується однорідність резистного шару по товщині, характеризуються дуже високою роздільною здатністю (>5000лін/мм), а також світлочутливі в широкому спектральному діапазоні (0,2-0,6мкм). Найбільш близьким за технічною сутністю є спосіб формування субмікронної електродної системи затворів СВЧ-польових транзисторів (див. заявка на видачу патенту РФ №1779202, дата подачі 1990.07.05, Научноисследовательский институт "Пульсар"), який включає створення маски, осадження у вакуумі на нерухомі напівпровідникові пластини, прикріплені до підложкотримачу, багатошарових плівок з тугоплавких і дорогоцінних металів, утворюючих управляючу і струмоведучу частини електродної системи, і віддалення маски. Проте недоліком цього способу є обмежений знизу розмір елементів електродної системи затвору, що обумовлено недостатньою розподільною здатністю фоторезиста на основі халькогенідних стекол, який використовується у цьому способі для створення маски. Задачею корисної моделі є створення способу формування електродної системи польового транзистора, який дозволяв би зменшити розміри електродної системи і за рахунок цього підвищити граничну частоту польового СВЧ транзистора, електродна система затвора якого сформована за цим способом. Технічний результат досягається тим, що у відомому способі формування субмікронної електродної системи затворів СВЧ-польових транзисторів, який включає формування маски, осадження у вакуумі і віддалення маски, згідно корисної моделі, для формування маски використовують фоторезист на основі шарів трійного з'єднання As40S60-xSex, де 5£х£25. Завдяки використанню фоторезиста на основі шарів трійного з'єднання As40S60-xSex, де 5£x£25, для формування маски забезпечується можливість зменшення розмірів електродної системи до субмікронних недосяжних при використанні відомого способу. Як показали дослідження інфрачервоних та комбінаційних спектрів ХС потрійної системи As-S-Se, вони мають псевдо бінарний характер (Аморфні напівпровідники. Під ред. М. Бродски. -М.: Мир, 1982. -с.419). Тобто вони являть собою неперервні тверді розчини заміщення, в яких атоми S і Se розміщені випадковим чином у положенням двокоординованих атомів сітки скла. Псевдо бінарний характер сплавів системи As-S-Se підтверджує також той факт, що потрійних хімічних сполук у цій системі не виявлено. Усі ці обставини вказують на більшу досконалість властивостей шарів ХС потрійного складу As-S-Se порівняно із шарами бінарного складу As2S3 (As40S60). Інтервал кількісного вмісту Se у складі фоторезисту As-S-Se, придатного для запису сигналограми оптичного диску, встановлений експериментальнo. При вмісті селену менше 5ат.% світлочутливість фоторезисту суттєво зменшується, наближаючись до величини світлочутливості фоторезисту на основі. Спосіб, що пропонується, As40S60, що призводить до зростання енергоємності процесу експонування. При х > 25 навпаки, зростає світлочутливість у довгохвильовому діапазоні видимого спектру. Ця обставини спричиняє вплив системи автофокусування, в якій використовується під світка за допомогою випромінювання допоміжного He-Ne лазера, на процес запису сигналограми. Це призводить до спотворення форми профілю рельєфної структури сигналограми, а отже, до зниження достовірності її запису. Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів СВЧ-польових транзисторів, що пропонується, реалізується наступним чином. На поверхні напівпровідникової пластини формують шар фоторезисту, експонують цей фоторезист через фотошаблон, витравлюють експоновані або неекспоновані ділянки фоторезисту та наносять металізацію на поверхню маски. Використання для формування маски фоторезиста на основі шарів трійного з'єднання As40S60-xSex, де 5£х£25 дозволяє зменшити розміри електродної системи і за рахунок цього підвищити граничну частоту польового СВЧ транзистора, електродна система затвора якого сформована за цим способом. Спосіб формування субмікронної електродної системи затворів СВЧ-польових транзисторів, що заявляється, може знайти широке застосування у галузі створення СВЧ-транзисторів.