Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання
Номер патенту: 39071
Опубліковано: 10.02.2009
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович
Формула / Реферат
Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію в розплаві вісмуту, причому товщина активного n-GaAs шару становить 120 μм, а концентрація носіїв заряду становить 1010 см-3.
Текст
Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рент 3 39071 ці до температури інверсії спочатку формують буферний n шар, потім при температурі інверсії формують високо опірний активний n шар, а після температури інверсії сильно легований р шар. Це відбувається в результаті особливостей формування атомів кремнію в решітці GaAs, тобто прояву амфотерних властивостей. До температури інверсії атоми кремнію формуються на вакансіях галію, а після, на вакансіях миш'яку, що й призводе до формування шарів різного типу провідності при різних температурах в єдиному те хнологічному циклі. Наявність кремнію дає змогу виростити активний шар n типу з концентрацією носіїв заряду 1010см -3 при температурі інверсії в результаті перекомпенсації донорних та акцепторних рівнів, що Комп’ютерна в ерстка І.Скворцов а 4 призводить до збільшення збідненої області, а використання вісмуту в розплаві дає змогу отримати товщину активного шару 120mм (без збільшення дефектів в вигляді пірамід росту), що веде до збільшення довжини поглинання рентгенівських фотонів. Все це й призводить до збільшення чутливості детектора. Таким чином, дані технологічні особливості в порівнянні з відомими технічними рішеннями дають змогу отримати структури арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому за рахунок технологічних особливостей можливо було б отримати більшу чутливість пристрою. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for obtaining epitaxial gallium arsenide structures for photovoltaic detectors of x-ray radiation range
Автори англійськоюLebed Oleh Mykolaiovych, Shutov Stanislav Viktorovych, Krasnov Vasyl Oleksandrovych
Назва патенту російськоюСпособ получения эпитаксиальных структур арсенида галия для фотовольтаических детекторов рентгеновского диапазона излучения
Автори російськоюЛебедь Олег Николаевич, Шутов Станислав Викторович, Краснов Василий Александрович
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/20
Мітки: випромінювання, діапазону, отримання, фотовольтаїчних, структур, детекторів, арсеніду, рентгенівського, спосіб, епітаксійних, галію
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-39071-sposib-otrimannya-epitaksijjnikh-struktur-arsenidu-galiyu-dlya-fotovoltachnikh-detektoriv-rentgenivskogo-diapazonu-viprominyuvannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання</a>
Спосіб отримання епітаксійних p-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання
Номер патенту: 34736
Опубліковано: 26.08.2008
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович
МПК: H01L 21/02
Мітки: інфрачервоного, структур, спосіб, арсеніду, світлодіодів, діапазону, отримання, епітаксійних, галію, випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...
Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію
Номер патенту: 28402
Опубліковано: 10.12.2007
Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/20
Мітки: гомоепітаксійних, арсеніду, отримання, шарів, товстих, галію, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш’яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію
Номер патенту: 57444
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Коваленко Віктор Федорович, Літвінова Марина Борисівна
МПК: G01J 3/28
Мітки: нелегованого, спосіб, вакансій, арсеніду, співвідношення, миш'яку, величини, визначення, концентрацій, монокристалах, галію
Формула / Реферат:
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, регістрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за...
Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію
Номер патенту: 50883
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Круковський Семен Іванович, Ваків Микола Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович
МПК: H01L 21/208
Мітки: галію, отримання, арсеніду, напівізолювального, спосіб, шару
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання шару напівізолювального арсеніду галію шляхом нарощування епітаксійного шару на напівізолювальній підкладці арсеніду галію із насиченого миш'яком розчину-розплаву галію при його примусовому охолодженні, який відрізняється тим, що розчин-розплав легують одночасно ітербієм та алюмінієм, а нарощування шару здійснюють в інтервалі температур 500-800°С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що підкладку підрозчиняють...
Спосіб одержання епітаксійних шарів арсеніду галію на кремнієвих основах рідкофазною епітаксією
Номер патенту: 25348
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/20
Мітки: епітаксійних, спосіб, шарів, основах, рідкофазною, епітаксією, одержання, галію, арсеніду, кремнієвих
Формула / Реферат:
Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...
Попередній патент: Спосіб шинування рухомих зубів телескопічними коронками
Наступний патент: Спосіб застосування інформаційних технологій із використанням електронного цифрового підпису
Випадковий патент: Циклон