H01L 31/00 — Напівпровідникові прилади, чутливі до інфрачервоного випромінювання, світла, електромагнітному, коротковолновому або корпускулярного випромінювання, спеціально призначені або для перетворення енергії такого випромінювання в електричну енергію, або для управління електричною енергією за допомогою такого випромінювання; способи або пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки таких приладів або їх частин; конструктивні елементи приладів

Номер патенту: 69980

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, виготовлення, сульфоселенідів, цинку, гетеропереходів, основі, кадмію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку, що включає відпал кристалів сульфіду кадмію або сульфіду цинку в парі селену, який відрізняється тим, що відпал проводять в атомарній парі селену.2. Спосіб за п. 1, в якому перевід пари молекулярного селену в атомарний стан здійснюють ультрафіолетовим випромінюванням.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал кристалів сульфіду кадмію...

Номер патенту: 69674

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Шевченко Денис Вячеславович, Кокозей Володимир Миколайович, Давиденко Микола Олександрович, Давиденко Ірина Іванівна

МПК: H01L 31/00, G02F 1/01, G11B 27/19 ...

Мітки: середовище, фотопровідне, оптоелектроніки, оптичне

Формула / Реферат:

Фотопровідне оптичне середовище для оптоелектроніки, що складається з твердої прозорої підкладки з послідовно нанесеними прозорим електропровідним шаром та світлочутливим шаром на основі олігомеру полі-N-епоксипропілкарбазолу (ПЕПК) з домішкою сполуки перехідного металу, яке відрізняється тим, що як домішка у світлочутливий шар введена гетерометалічна координаційна сполука [NiL][MnCl4] (L - 4,6,6-триметил-1,9-діаміно-3,7-діаза-нона-3-єн) при...

Номер патенту: 67809

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Стецько Сергій Михайлович, Голубенко Олександр Леонідович, Могила Валентин Іванович

МПК: B60L 8/00, F24J 2/00, H01L 31/00 ...

Мітки: установка, транспортного, енергетична, сонячна, засобу

Формула / Реферат:

1. Сонячна енергетична установка для транспортного засобу, що містить сферичні фотоелементи, об'єднані в матрицю, яка відрізняється тим, що в центрі міжсферичного простору встановлено геліоконцентратори, а внутрішню поверхню корпусу покрито світлорозсіювальним шаром.

Номер патенту: 66666

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Рюхтін В'ячеслав Васильович, Башкіров Сергій Юрієвич, Добровольський Юрій Георгійович, Дудницький Микола Павлович, Годованюк Василь Миколайович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод, що містить підкладку одного типу провідності, одну або декілька фоточутливих ділянок іншого типу провідності та омічні контакти, який відрізняється тим, що повинен відповідати системі нерівностей:де  - глибина залягання р-n переходу;

Номер патенту: 63549

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: дії, ультрафіолетового, детектор, біологічно, випромінювання, областей

Формула / Реферат:

1. Детектор областей біологічної дії ультрафіолетового випромінювання, що складається з фотоприймача та світлофільтра, який відрізняється тим, що як фотоприймач використовують поверхнево-бар'єрний фотодіод Ni-ZnSe та комплект змінних світлофільтрів.2. Детектор за п. 1, який відрізняється тим, що для виділення бактерицидної області у ньому як світлофільтр використовують абсорбційний світлофільтр типу БС3.3. Детектор за п. 1, який...

Номер патенту: 61824

Опубліковано: 17.11.2003

Автор: Микитюк Павло Дмитрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: пристроїв, спосіб, довготривалого, електронних, забезпечення, електричним, живленням

Формула / Реферат:

1. Спосіб довготривалого забезпечення електронних пристроїв електричним живленням, який включає в себе нагрівання води за допомогою сонячного колектора з радіатором, підтримання заданої різниці температури на робочих спаях термобатареї шляхом передачі тепла за допомогою нагрітої води від сонячного колектора до резервуара з гарячою водою в денний час, підведення тепла до гарячих спаїв термобатареї від резервуара з гарячою водою і відведення...

Номер патенту: 58941

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: цинку, контакту, спосіб, виготовлення, метал-халькогенід

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення контакту метал-халькогенід цинку, що включає створення омічного та випростовуючого контактів, який відрізняється тим, що діод додатково обробляють у розчині, який дозволяє отримати шар високоомного ZnO на вільній від контактів поверхні кристалу.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що обробку здійснюють у 3-6 % розчині Н2О2 при кімнатній температурі протягом 2,5±0,5 годин.

Номер патенту: 58063

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Комаров Євген Васильович, Годованюк Василь Миколайович, Біксей Михайло Петрович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод, ультрафіолетової, області, оптичного, випромінювання, спектра

Формула / Реферат:

Фотодіод для ультрафіолетової області спектра оптичного випромінювання на основі фосфіду галію з активним електродом, який відрізняється тим, що як активний електрод до фосфіду галію використовується провідний шар окислу металу або суміш окислів металів, оптично прозорих в діапазоні довжин хвиль 250 – 500 нм з показником заломлення в межах

Номер патенту: 56625

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Болібрух Борис Васильович, Ковалишин Василь Васильович, Мичко Анатолій Андрійович, Засорнов Олександр Сергійович, Злотніков Вадим Олександрович, Сарана Олександр Миколайович, Гаврилко Олександр Андрійович

МПК: H01L 31/00, G01N 33/36

Мітки: спосіб, матеріалів, оцінки, горючості

Формула / Реферат:

Спосіб оцінки горючості матеріалів при дії відкритого полум'я, який полягає в закріпленні проби в тримачі, встановленні тримача з пробою в фіксованому положенні, розташуванні пальника в певному положенні по відношенню до тримача з пробою, дії на пробу з нижньої її сторони відкритим полум'ям з певними параметрами  протягом визначеного терміну, визначення моментів проходження фронтом полум'я певної відстані від краю проби, який відрізняється...

Номер патенту: 55554

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Шайтер Томас, Фон Бассе Пауль-Вернер, Маркштайнер Штефан, Віллер Йозеф

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, знімання, зображення, ємнісного

Формула / Реферат:

1. Спосіб ємнісного знімання зображення, у якому:a) поверхню (1), що має бути знята як зображення, розкладають на растрові елементи зображення, яким ставлять у відповідність структуру електричних провідників, яка для кожного елемента зображення містить вимірювальний провідник (2) і щонайменше один екранувальний провідник (7, 8),b) поверхню (1), що має бути знята як зображення, розміщують навпроти вимірювальних провідників (2),...

Номер патенту: 54946

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Махній Віктор Петрович, Афанасьєва Сніжана Валентинівна, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00

Мітки: виготовлення, детектора, спосіб, ультрафіолетового, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі низькоомного селеніду цинку, що включає утворення омічного і випрямного контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямного контакту проводять додаткову обробку поверхні напівпровідникової підкладинки у травнику, який взаємодіє з ZnO і не взаємодіє з ZnSe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення здійснюють у оцтовій есенції при...

Номер патенту: 36423

Опубліковано: 16.04.2001

Автор: Шевчук Олег Борисович

МПК: G01T 1/24, H01L 31/00, G01J 5/20 ...

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Текст:

...фотопотоку Ф дорівнює нулю. При наявності фотопотоку Ф, що вимірюється, фотоприймач 6 освітлено додатково. Тому його опір менше, ніж фотоприймача 5. Через це струм Із збільшується, а її на стільки ж зменшується, бо І1+І 2=const. Тоді вихідна напруга приймача 8 зростає, а приймача 9 - падає. Так виникає показання приладу 10, яке пропорційне фотопотоку, що вимірюється. Оскільки обидва фотоприймача засвітлені, то темнові струми не вносять...

Номер патенту: 28569

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Зінченко Едуард Олексійович, Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Шепельський Георгій Анатолійович, Жадько Іван Павлович, Венгер Евген Федорович, Тарбаєв Микола Іванович, Романов Валентин Олександрович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/00

Мітки: двокоординатний, позиційно-чутливий, фотоелемент

Формула / Реферат:

Двокоординатний позиційно-чутливий фотоелемент, що вміщує сформований на підкладці напівпровідниковий фоточутливий шар з омічними контактами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий фоточутливий шар виконано у формі змійок, які поширюються від центрального контакту по двум взаємоперпендикулярним координатам та мають на кінцях контакти, і розташовано в зазорі мікромагніту, магнітне поле якого спрямовано під кутом 45° до координат, при...

Номер патенту: 313

Опубліковано: 30.04.1999

Автори: Мороз Юрій Віталійович, Живов Михайло Давидович, Дубина Віктор Григорович

МПК: H01L 31/00, H01M 10/42

Мітки: струм, сонячної, перетворювач, напівпровідниковий, електричний, енергії

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм, що містить лицьову панель у вигляді набору напівпровідникових елементів і клавіш керування, встановлених в корпусі, забезпеченому підпором для орієнтації на джерело світлової енергії, який відрізняється тим, що лицьова панель виконана у формі набору з'ємних напівпровідникових модулів.2. Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм за п. 1,...

Номер патенту: 14605

Опубліковано: 20.01.1997

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Коломоєць Володимир Васильович, Бобицький Ярослав Васильович, Вознюк Євгеній Федорович, Єрмаков Валерій Миколайович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04

Мітки: гетеропереходу, шаруватого, виготовлення, спосіб, основі, напівпровідника

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления гетероперехода на ос­нове слоистого полупроводника, включающий ме­ханический прижим монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке, отличающийся тем, что слоистый полу­проводник предварительно облучают одиночным импульсом технологического лазера в месте пред­полагаемого расположения электрического кон­такта, на это место наносят металл с соответству­ющей работой выхода, отслаивают по...