H01L 31/00 — Напівпровідникові прилади, чутливі до інфрачервоного випромінювання, світла, електромагнітному, коротковолновому або корпускулярного випромінювання, спеціально призначені або для перетворення енергії такого випромінювання в електричну енергію, або для управління електричною енергією за допомогою такого випромінювання; способи або пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки таких приладів або їх частин; конструктивні елементи приладів

Номер патенту: 49078

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Башта Олександр Іванович, Сафонов Володимир Олександрович, Кувшинов Володимир Владиславович

МПК: H01L 31/00

Мітки: сонячної, енергії, фототермоперетворювач

Формула / Реферат:

Фототермоперетворювач сонячної енергії, що містить підставу, жорстко з'єднану з каналами, скріпленими з теплопоглинальним покриттям, поверх якого розташоване захисне прозоре покриття, який відрізняється тим, що додатково містить сонячні елементи, загальна площа яких становить 1/2-1/3 частини поверхні теплопоглинального покриття.

Номер патенту: 49033

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Сафонов Володимир Олександрович, Кувшинов Володимир Владиславович, Башта Олександр Іванович

МПК: H01L 31/00

Мітки: модулів, сонячний, концентратор, фотоелектричних

Формула / Реферат:

Сонячний концентратор для фотоелектричних модулів, що містить прийомну поверхню й дві плоскі поверхні, що відбивають, однакового розміру, який відрізняється тим, що плоскі поверхні, що відбивають, розташовані під кутом 55°-65° до прийомної поверхні концентратора.

Номер патенту: 89744

Опубліковано: 25.02.2010

Автор: Капінус Євген Ілліч

МПК: H01L 31/00, H01L 31/18, C25D 3/02, C25D 9/00 ...

Мітки: метали, електрохімічного, кремнію, спосіб, осадження

Формула / Реферат:

1. Спосіб електрохімічного осадження кремнію на метали, що включає приготування електроліту розчиненням тетраетоксисилану, як джерела кремнію, у органічному розчиннику в присутності фонового електроліту, зокрема розчинів органічних солей, пропускання випрямленого електричного струму від графітового анода через електроліт до металевого катода при перемішуванні електроліту з осадженням на катоді кремнію, який відрізняється тим, що як розчинник...

Номер патенту: 47315

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович, Луцишин Ірина Григорівна, Лук'яненко Володимир Іванович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00, H01L 31/102 ...

Мітки: p-n-переходу, чутливої, охолоджуваних, області, структура, фотодіодів

Формула / Реферат:

Структура чутливої області p-n-переходу охолоджуваних (T=77 К) InAs фотодіодів, що складається з квазінейтральної області р-типу провідності, області просторового заряду та квазінейтральної області n-типу провідності, яка відрізняється тим, що з обох сторін межі p-n-переходу формується слаболегована область з концентрацією основних носіїв заряду ро=nо=(0.3-3.0)×1015 см-3, причому товщина ро-області повинна бути не менше глибини...

Номер патенту: 47274

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/24, H01L 31/00, G01T 1/02 ...

Мітки: інтегральній, дозиметр, змішаних, доз, нейтронних, гамма, полях, отримання

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого польового транзистора типу метал-окисел-напівпровідник (МОН) з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий МОН транзистор виконаний із вбудованим каналом...

Номер патенту: 47156

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Ковригін Володимир Іванович

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00, G01T 1/24 ...

Мітки: метал-окисел-напівпровідниковий, накопичувач, дози, іонізуючих, випромінювань

Формула / Реферат:

1. Метал-окисел-напівпровідниковий (МОН) накопичувач дози іонізуючих випромінювань, що складається з кремнієвої основи, на якій сформовано два МОН транзистори з товстим шаром підзатворного діелектрика та металічними затворами, який відрізняється тим, що згадані транзистори, наприклад р-канальні, виконані за єдиною технологією та мають спільний шар згаданого діелектрика (6) і на поверхні цього діелектрика сформовані поляризаційні електроди...

Номер патенту: 89075

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Добровольський Валентин Миколайович, Сизов Федір Федорович, Каменєв Юрій Юхимович

МПК: G01J 1/42, G01J 5/20, H01L 27/142 ...

Мітки: діапазонів, субміліметрового, болометр, міліметрового, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17  х  0,3, а лінійні розміри...

Номер патенту: 46297

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: H01L 31/00, H01L 23/28, G02B 1/10 ...

Мітки: оптичні, покриття, об'ємні

Формула / Реферат:

Об'ємні оптичні покриття, які виготовлені на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і містять сірку або селен, які відрізняються тим, що виготовлені із матеріалів багатокомпонентних систем Ge(Pb)-Ga(Sb, Bi)-S(Se) та містять хоча б один шар покриття, матеріал якого легований хоча б одним рідкісноземельним елементом (Cs, Pr, Tb, Dy, Sm, Eu, Er, Nd, La).

Номер патенту: 46296

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: H01L 23/28, H01L 31/00, G02B 1/10 ...

Мітки: покриття, об'ємні, оптичні, багатошарові

Формула / Реферат:

Багатошарові об'ємні оптичні покриття, які виготовлені на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і містять сірку або селен, які відрізняються тим, що не менше двох об'ємних шарів покриття виготовлені з різних за хімічним складом матеріалів багатокомпонентних систем Ge(Pb)-Ga(Sb,Bi)-S(Se), матеріал хоча б одного із шарів покриття легований хоча б одним рідкісноземельним елементом (Cs, Pr, Tb, Dy, Sm, Eu, Er, Nd, La), кожен...

Номер патенту: 46015

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/02, G01T 1/24, G01T 1/00 ...

Мітки: нейтронних, доз, змішаних, дозиметр, полях, виміру, інтегральній, гамма, отриманих

Формула / Реферат:

1. Інтегральний дозиметр для вимірювання отриманих доз в змішаних гамма-, нейтронних полях, що складається з гамма-чутливого МОН транзистора з потовщеним шаром підзатворного діелектрика і металевим або полікремнієвим затвором та нейтроночутливого P-I-N діода з подовженою базою, покритою шаром захисного діелектрика, який відрізняється тим, що згаданий транзистор та згаданий діод виконані на одній напівпровідниковій, наприклад, кремнієвій...

Номер патенту: 45977

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Петльований Петро Вікторович, Куценко Станіслав Васильович, Мусієнко Максим Павлович, Коваленко Анна Михайлівна

МПК: G01R 33/00, H01L 31/00

Мітки: вимірювальний, фотоелектричний, живлення, автономним, джерелом, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоелектричний вимірювальний пристрій з автономним джерелом живлення, що містить електронну схему, світлочутливий датчик, автономне джерело живлення, до складу якого входить перетворювач енергії вимірюваного параметра в електричний сигнал, яким здійснюють живлення електронної схеми, який відрізняється тим, що світлочутливий датчик і перетворювач енергії вимірюваного параметра автономного джерела живлення виконані у вигляді одного елемента,...

Номер патенту: 45374

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Крикун Костянтин Юрійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Лістратенко Олександр Михайлович, Тимчук Ігор Трохимович, Антонова Валентина Антонівна, Лісачук Георгій Вікторович, Борщов В'ячеслав Миколайович

МПК: H01L 31/00, H05K 3/46

Мітки: перетворювачів, гнучких, тандемних, спосіб, фотоелектричних, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гнучких тандемних фотоелектричних перетворювачів, що включає отримання електропровідного та прозорого електродного тильного шару на гнучкій прозорій підкладці, пошарове осадження необхідних для формування приладової структури тонкоплівкового фотоелектричного перетворювача шарів, отримання фронтального електрода, який відрізняється тим, що як підкладку використовують фольгований прозорий гнучкий діелектрик, у котрому перед...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Єлісєєв Валерій Андрійович, Кравченко Віктор Леонович, Куліковський Станіслав Володимирович

МПК: C01B 33/00, C30B 29/06, C30B 15/00 ...

Мітки: пристрій, розплаву, індикацією, сигналізації, одержання, протікання, кремнію

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 42422

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01T 1/00, H01L 31/00

Мітки: нейтроночутливий, чутливістю, керованою, p-і-n, діод

Формула / Реферат:

1. Нейтроночутливий P-I-N діод з керованою чутливістю, що виконаний на напівпровідниковій пластині, наприклад пластинці з n- кремнію високого опору, та має протяжну базу, вкриту шаром ізолятора (8), наприклад SiO2, для зменшення впливу поверхневих ефектів, р+ область (3) та n+ область (7) з відповідними контактними площадками, який відрізняється тим, що на обох поверхнях згаданої бази поверх ізолятора розташовані керуючі чутливістю металеві...

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/102, H01L 31/00 ...

Мітки: теплового, спосіб, напівпровідникового, виготовлення, діода

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Номер патенту: 86983

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Мар'їнських Юрій Михайлович, Мар'їнських Іван Юрійович

МПК: H01L 31/00, F03G 6/00

Мітки: сонячної, перетворювач, енергії, комбінований

Формула / Реферат:

1. Комбінований перетворювач сонячної енергії, що має теплосприймаючі поверхні та фотоперетворювачі, який відрізняється тим, що складається з двох частин, що мають теплосприймаючі поверхні, які створені двома паралельно розташованими із зазором 0,1 ширини прямокутними пластинами однакової пружності, кожна пластина розміщена в жорсткому каркасі, обрамляючому по дві подовжні та одну зовнішню торцеву коротку сторони, подовжні сторони скріплені...

Номер патенту: 86870

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Костенко Віталій Леонідович, Жаровцев Станіслав Олегович

МПК: G01N 21/62, H01L 31/00

Мітки: оптоелектронний, датчик, інтегральній

Формула / Реферат:

Оптоелектронний інтегральний датчик, що містить джерело оптичного випромінювання та фотосенсор, причому вхід датчика є входом джерела оптичного випромінювання, а вихід датчика є виходом фотосенсора, який відрізняється тим, що в нього додатково введений пристрій керування, причому вихід джерела оптичного випромінювання підключений до першого входу фотосенсора, а вихід пристрою керування підключений до другого входу фотосенсора, при цьому...

Номер патенту: 86625

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович

МПК: G01J 5/20, H01L 27/142, G01J 1/42 ...

Мітки: напівпровідниковий, болометр, гарячих, носіях, заряду

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/00, C30B 13/00, C01B 33/02 ...

Мітки: шляхом, виготовлення, зливка, кристалізації, одержуваного, еремнію, плавки, зонної, направленої, методом, полікристалічного, спосіб, чохральського

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 40445

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Юрчишин Любов Дмитрівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: р-типу, телуриду, германію, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду германію р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та пресують, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують...

Номер патенту: 86161

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Гур'єв Микола Вадимович, Почапський Сергій Миколайович, Полевой Віктор Іванович, Грищенко Леонід Вікторович

МПК: H01L 31/00, G01J 5/00, G01J 3/00 ...

Мітки: абсолютний, випромінювання, приймач

Формула / Реферат:

Абсолютний приймач випромінювання, який розміщений в термостатичному корпусі і виконаний у вигляді сферичного порожнинного приймального елемента з вмонтованим в ньому електронагрівачем, а на зовнішній поверхні сферичної оболонки приймального елемента розташовано N блоків термоіндикації, кожний з яких складається з mk послідовно з'єднаних термодатчиків, розташованих вздовж азимутального кола з полярною координатою qk, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 40076

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Головко Ольга Петрівна, Швець Євген Якович, Михайлін Вадим Миколайович, Турба Микола Миколайович, Зубко Євгенія Іванівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: твердотілий, елемент, гетерогенний, сонячний

Формула / Реферат:

1 Твердотілий гетерогенний сонячний елемент, що складається з пластини неорганічного напівпровідника, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з міді, на другій стороні - активний шар фталоціаніну міді з прозорим верхнім електродом, який відрізняється тим, що як неорганічний напівпровідник використано напівпровідниковий арсенід галію (GaAs) з пористою наноструктурою контактного шару, як верхній електрод - прозора плівка з оксиду...

Номер патенту: 40056

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович

МПК: H01L 31/00

Мітки: основі, метал-n-cdte, контакту, спосіб, виготовлення, фотодіодa

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіода на основі контакту метал-n-CdTe, що включає механічне та хімічне полірування підкладинки, створення омічних та випрямляючого контактів, який відрізняється тим, що перед нанесенням випрямляючого контакту підкладинки з омічними контактами відпалюють на повітрі при температурі 520±5 °С протягом 10±2 хв.

Номер патенту: 40000

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович

МПК: G01J 5/00, H01L 31/00

Мітки: інфрачервоного, фотоприймальний, неохолоджуваний, пристрій, фотовольтаїчний, випромінювання

Формула / Реферат:

Неохолоджуваний фотовольтаїчний фотоприймальний пристрій інфрачервоного випромінювання, що складається з напівпровідникової підкладинки, епітаксійної плівки з CdxHg1-хTe та електричних контактів до неї, який відрізняється тим, що підкладинка виконана з монокристалічного кремнію.

Номер патенту: 37586

Опубліковано: 10.12.2008

Автори: Атрошенко В'ячеслав Сергійович, Кузьо Назар Володимирович, Жарков Віктор Якович, Мисов Дмитро Миколайович, Слєпкін Євген Павлович, Манич Анастасія Олександрівна

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Мітки: пристрій, автостради, освітлення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для освітлення автостради, що містить фотоелектричні перетворювачі, з'єднані послідовно-паралельно в фотоелектричні модулі, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить акумуляторну батарею, приєднану через контролер до кожного фотоелектричного модуля, енергоекономічні лампи, приєднані через електронне фотореле до акумуляторної батареї, причому фотоелектричні модулі установлені на опорах на обочині автостради і...

Номер патенту: 37053

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Альошин Олександр Михайлович, Архипов Микола Іванович, Туренко Сергій Михайлович, Баглай Вадим Євгенійович, Матюхін Олександр Андрійович

МПК: G01S 7/36, F41G 1/00, F21K 7/00 ...

Мітки: термовипромінювач

Формула / Реферат:

1. Термовипромінювач, що містить основу, нагрівальний елемент, кварцову трубку та металевий електричний контакт, при цьому основа виконана з кварцу, нагрівальний елемент розміщений по поверхні основи на зразок спіралі, кварцова трубка розташована осесиметрично основі з зазором між спіраллю нагрівального елемента та внутрішньою поверхнею кварцової трубки, нагрівальний елемент приєднано до металевого електричного контакту, причому зазначена...

Номер патенту: 33505

Опубліковано: 25.06.2008

Автори: Мараховський Михайло Борисович, Лисенко Володимир Валерійович, Трохін Михайло Вікторович, Михайленко Володимир Григорович

МПК: C02F 1/00, H01L 31/00

Мітки: опріснювач

Формула / Реферат:

1. Опріснювач, що містить електродіалізатор, з'єднаний через перетворювач із джерелом електроживлення, який відрізняється тим, що електродіалізатор споряджений поповнюючою ємністю, джерело електроживлення включає щонайменше пару фотоелектричних сонячних модулів, з'єднаних із зарядним пристроєм, до якого підключена акумуляторна батарея, що зв'язана з електронасосом, з'єднаним із поповнюючою ємністю, при цьому як перетворювач використаний...

Номер патенту: 31870

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Хуснутдінов Сергій Володимирович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: цинку, гетерошарів, виготовлення, оксиду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал, який відрізняється тим, що підготовка підкладинок здійснюється шляхом механічної та хімічної обробок підкладинок, а їх відпал проводять на повітрі при температурах 650-1150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал підкладинок ZnTe проводять при температурах 650 – 850 °С.3....

Номер патенту: 28885

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Маслов Володимир Петрович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 31/00, H01L 33/00, H01L 21/04 ...

Мітки: виготовлення, спосіб, основі, сdte, фотоприймачів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі CdTe, що базується на термічному випаровуванні вихідної речовини - телуриду кадмію у вакуумному квазізамкненому об'ємі при температурах 480-550 °С та конденсації з парової фази шару на діелектричній підкладці при температурах 380-450 °С, який відрізняється тим, що джерело випаровування і підкладку розташовували на малій (0,5-3,0 мм) відстані одне над одним, використовуючи для цього...

Номер патенту: 27999

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Чернов Андрій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Апазов Едуард Сейярович

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, виготовлення, систем, емітера, термофотовольтаїчних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення емітера для термофотовольтаїчних систем на основі карбідокремнієвого композиційного матеріалу, який відрізняється тим, що заготівку емітера виготовляють з вуглеграфітової тканини, яку просочують розплавом кремнію у вакуумі ~5*10-3-1*10-3мм рт.ст. при температурі 1500...1800 °С.

Номер патенту: 27964

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Чернов Андрій Юрійович, Лубяна Марина Дмитрівна, Апазов Едуард Сейярович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Буряченко Володимир Іванович

МПК: H01L 31/00

Мітки: випромінювач, термофотовольтаїчних, систем

Формула / Реферат:

Випромінювач для термофотовольтаїчних систем у вигляді порожнистого циліндра, що  складається з трьох шарів: внутрішній -це карбід-кремнієвий шар, який випромінює енергію у широкому діапазоні, центральний - це шар, фільтруючий інфрачервоне випромінення дальнього діапазону, і зовнішній – селективно випромінювальний у відповідності зі спектром поглинання фотоприймальних комірок шар, який відрізняється тим, що центральний і зовнішній та...

Номер патенту: 25458

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: H01L 31/00

Мітки: приймач, випромінювання

Формула / Реферат:

Приймач випромінювання, який містить чутливий елемент у вигляді термобатареї, що розташована на тепловідводі, який відрізняється тим, що складається з двох батарей, зібраних з анізотропних термоелементів, одна з яких затемнена, при цьому батареї включені диференційно і розташовані на спільному тепловідводі, кожна з них споряджена резистором заміщення, а поверхня батареї, розташованої перед діафрагмою, яка обмежує вхідне вікно, діаметр якої...

Номер патенту: 20074

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, експонування, зображення, топографічного, мікроелектронних, пристроїв

Формула / Реферат:

1. Спосіб експонування топографічного зображення мікроелектронних пристроїв, який виконують методом матрично-емітерної літографії, що включає рухому напівпровідникову пластину, покриту фоторезистом, який експонують керованим випромінюванням матриці емітерів, при цьому експоновані емітерами піксели мають різні розміри, а потрібні величини експозицій пікселів (напівтоновість) набирають дискретною модуляцією тривалостей випромінювання емітерів,...

Номер патенту: 11160

Опубліковано: 15.12.2005

Автор: Добровольський Юрій Георгійович

МПК: G03B 41/00, H01L 31/00, G03B 17/00 ...

Мітки: розрядно-оптичний, пристрій

Формула / Реферат:

Розрядно-оптичний пристрій, який містить генератор високої напруги, діелектричний корпус, фотоприймач, розрядний проміжок у вигляді плоско-паралельної пластини та оптично прозорий електрод, який відрізняється тим, що фотоприймач представлений окремими чутливими елементами або однокристальною фоточутливою матрицею, топологія фоточутливих елементів відповідає топологічному малюнку засвічення, а оптично прозорий електрод виконаний з окислів...

Номер патенту: 11159

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Шабашкевич Борис Григорович

МПК: G03B 17/00, G03B 41/00, H01L 31/00 ...

Мітки: якості, контролю, прилад, поверхні

Формула / Реферат:

Прилад для контролю якості поверхні, який складається з розрядно-оптичного пристрою, джерела електричного поля високої напруженості переривника імпульсів напруги та засобу вимірювання, який відрізняється тим, що додатково містить блок порівняння вимірюваного сигналу з еталонним, а розрядно-оптичний пристрій об'єднаний з фотоприймальним блоком.

Номер патенту: 10345

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Прийменко Олександр Андрійович, Ковалевський Сергій Вадимович, Косенко Анатолій Григорович, Лещенко Сергій Олександрович, Залевська Христина Костянтинівна

МПК: H01L 31/00, C30B 31/00

Мітки: електроіскрового, легування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електроіскрового легування, що містить силовий трансформатор, випрямляч, накопичувальний конденсатор, електромагнітний вібратор, зміцнювальний електрод, контактну пластину, підсилювально-перетворювальний пристрій, підсумовувальний блок, два чутливих елементи, ходовий гвинт, каретку, причому до підсумовувального блока приєднані обидва чутливих елементи, а його вихід приєднаний до підсилювально-перетворювального пристрою, який...

Номер патенту: 6475

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Фотій Василь Давидович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод у металоскляному корпусі, що включає напівпровідникову підкладку, в якій сформовано фоточутливий елемент з охоронним кільцем, захисним ізолюючим покриттям та омічними металевими контактами, який відрізняється тим, що розміри світлового діаметра вхідного вікна фотодіода D1, загального діаметра фоточутливого елемента D2, відстані від поверхні фоточутливого елемента до зовнішньої поверхні вхідного вікна фотодіода С та плоский кут зору...

Номер патенту: 5735

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Фотій Василь Васильович, Фотій Василь Давидович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод, що містить метало-скляний корпус, в напівпровідниковій підкладці якого сформований чотириелементний квадрантний фоточутливий елемент із захисним ізолюючим покриттям та омічними металевими контактами, який відрізняється тим, що площа кожного фоточутливого елемента складає не менше 48 мм2, а діаметр вхідного вікна корпусу має бути не менше 17 мм.

Номер патенту: 4877

Опубліковано: 15.02.2005

Автор: Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/00

Мітки: фотодіод

Формула / Реферат:

Фотодіод, який містить підкладку одного типу провідності, фоточутливу область іншого типу провідності та омічні контакти, який відрізняється тим, що товщина напівпровідникової підкладки фотодіода - , глибина поглинання робочої довжини хвилі - , глибина поглинання довжини хвилі фонового випромінювання -

Номер патенту: 3324

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/00, H01L 31/00

Мітки: термостатований, фотоприймач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий термостатований фотоприймач, який містить фотоприймач, приєднаний до теплопоглинаючої сторони термоелектричного модуля, тепловиділяюча сторона якого з'єднана з тепловідводом, який відрізняється тим, що на зворотному боці напівпровідникового фотоприймача додатково розташований шар діелектрика з електрокомутаційними доріжками, до яких приєднані гілки термоелектричного модуля.