Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 87331
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович
Формула / Реферат
Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі 600-900 °С протягом 12-48 годин.
Текст
Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000°С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10°С зі швидкістю 100±10°С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3°С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі 600-900°С протягом 12-48 годин. Винахід відноситься до галузі отримання кристалічних сцинтиляційних і n-типу напівпровідникових матеріалів, зокрема, активованих селеніду цинку, які знаходять застосування у різноманітних галузях науки та техніки. Селенід цинку, активований ізовалентною домішкою телуру або кисню, є одним з найбільш ефективних матеріалів для використання в детекторах типу „сцинтилятор фотодіод" [Л.В.Атрощенко, С.Ф.Бурачас, Л.П.Гальчинецький, Б.В.Гриньов, В.Д.Рижиков, М.Г.Старшинський. Кристали сцинтиляторів і детектори іонізуючих випромінювань на їх основі, Київ, "Наукова думка", 1988, с.167-223]. Активовані кристали ZnSe n-типу з р
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for heat treatment of activated crystals of zinc selenide
Автори англійськоюStarzhynskyi Mykola Hryhorovych, Hryniov Borys Viktorovych, Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych, Halchinetskyi Leonid Pavlovych, Sylin Vitalii Ivanovych, Trubaeva Olha Hennadiivna, Lalaiants Oleksandr Ivanovych, Ryzhykov Volodymyr Diomydovych
Назва патенту російськоюСпособ термообработки активированных кристаллов селенида цинка
Автори російськоюСтаржинский Николай Григорьевич, Гринев Борис Викторович, Катрунов Константин Алексеевич, Гальчинецкий Леонид Павлович, Силин Виталий Иванович, Трубаева Ольга Геннадиевна, Лалаянц Александр Иванович, Рыжиков Владимир Диомидович
МПК / Мітки
МПК: C30B 33/02, C01G 9/00, C30B 29/00, C01B 19/00
Мітки: селеніду, термообробки, кристалів, спосіб, цинку, активованих
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-87331-sposib-termoobrobki-aktivovanikh-kristaliv-selenidu-cinku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку</a>
Спосіб легування кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 65074
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/00
Мітки: спосіб, селеніду, цинку, кристалів, легування
Формула / Реферат:
Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою
Номер патенту: 76387
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович
МПК: C30B 33/02
Мітки: селеніду, основі, легованого, матеріалу, спосіб, кристала, сцинтиляційного, термообробки, домішкою, ізовалентною, цинку
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...
Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром
Номер патенту: 26697
Опубліковано: 12.11.1999
Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Носачов Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович
МПК: C30B 33/00, C30B 29/48
Мітки: цинку, активованій, сировини, одержання, кристалів, термообробки, спосіб, телуром, селеніду
Текст:
...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...
Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням
Номер патенту: 66046
Опубліковано: 15.04.2004
Автори: Ткаченко Ірина Володимирівна, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович
МПК: C30B 31/00
Мітки: отримання, спосіб, свіченням, цинку, селеніду, шарів, зеленим
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.
Спосіб одержання кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16678
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Носачев Борис Григорович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Лисецька Олена Костянтинівна
МПК: C30B 29/48, C30B 11/02
Мітки: спосіб, цинку, селеніду, одержання, кристалів
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную направленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кислотой, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...
Попередній патент: Автоматичний регулятор режимів гальмування
Наступний патент: Відмітник гальмівного шляху транспортного засобу
Випадковий патент: Спосіб одержання казеїну