Спосіб виготовлення просторових армуючих структур

Номер патенту: 72926

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Завірохін Іван Георгійович, Завірохін Микола Іванович

МПК: B21D 47/00, B21D 21/00, B21D 13/00

Мітки: спосіб, складних, структур, однопрофільних, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення складних однопрофільних структур, що включає утворення у листовій заготовці складальних отворів, профілювання листової заготовки в одному напрямку і калібрування форми профілю, який відрізняється тим, що на листовій заготовці виготовляються формуючі отвори з визначеними конфігурацією, розмірами, спрямованістю і кроком одне від одного, а наступне профілювання здійснюється у різних напрямках по осях між формуючими...

Номер патенту: 55798

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Литвиненко Віктор Миколайович, Литвиненко Сергій Вікторович

МПК: H01L 29/40

Мітки: шотткі, бар'єром, діода, структур, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення структур діода з бар'єром Шотткі, що включає осадження нітриду і двооксиду кремнію на кремнієві пластини, фотолітографію, травлення меза-структур і їх термічне окислення, видалення нітриду кремнію з контактних майданчиків і формування на них випрямляючих контактів, який відрізняється тим, що перед видаленням нітриду кремнію проводять дифузію бору в робочу сторону пластин при Т = 950 -1050°С протягом 20-30 хвилин в...

Номер патенту: 54007

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Матюшин Володимир Михайлович, Мартинюк Роман Валентинович

МПК: H01L 21/223, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, структур, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.

Номер патенту: 30568

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Ольховий Вадим Олексійович, Бахрушин Володимир Євгенович

МПК: H01L 21/203

Мітки: виготовлення, кремнієвих, спосіб, структур, одношарових

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих одношарових структур, який включає осадження легованого епітаксіального шару кремнію на підкладку, виготовлену з легованого монокристалічного кремнію, та уведення в епітаксіальний шар або підкладку додаткової домішки, що компенсує різницю періодів кристалічних ґраток підкладки і шару, який відрізняється тим, що в якості підкладок використовуються кремнієві пластини з концентрацією кисню не більш 3×1017...

Номер патенту: 32784

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 27/12

Мітки: ізоляторі"-структур, спосіб, виготовлення, кремній

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення "кремній на ізоляторі"-структур, згідно якого на вихідній кремнієвій пластині послідовно формують шар ізолюючого окису кремнію, шар полікремнію, допоміжні капсулююче та антивідбиваюче покриття, проводять лазерну рекристалізацію шару полікремнію, методом травлення знімають допоміжні покриття, який відрізняється тим, що після зняття допоміжних покрить проводять термічне окислення рекристалізованого полікремнію і...