Споіб просвітлення оптичних елементів із селеніду цинку

Изобретение относится к ИК-технике и может быть использовано при изготовлении элементов проходной оптики для среднего диапазона ИК-излучения. С целью повышения пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм отжиг оптических элементов из селенида цинка проводят при 490-510 С в течение 5-60 мин с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм и плотностью 0,051,0 Вт/см 2 . Обработанные элементы имеют пропускание 97,5-99% в интервале длин волн 2,5-11 мкм. СО СО ел 00 1 1349543 Изобретение относится к инфракрасУФ-излучением с длиной волны 0,27 мкм ной (ИК) технике и может быть испольи плотностью излучения на поверхнос2 зовано при изготовлении элементов проти элемента 0,1 Вт/см , после чего ходной оптики для среднего диапазона оптический элемент охлаждают на воз5 ИК-излучения, в частности выходных духе до комнатной температуры. окон С0 2 -лазеров, при эксплуатации их После охлаждения измеряют спектр в жестких температурных режимах и в припускання оптического элемента. Максложных климатических условиях. симальное значение пропускания полуЦелью изобретения является повыше- 10 чается на длине волны 5,5 мкм и сосние коэффициента пропускания в диапатавляет 98,8%. Коэффициент поглощезоне длин волн 2,5-11 мкм.Способ ния элемента на длине волны ИК-излувключает отжиг оптических элементов чения 10,6 мкм после отжига составпри температуре 490-510°С с одновреляет 0,02 см~' . менным облучением ультрафиолетовыми 15 П р и м е р 2 . Оптический элемент, лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм и как в примере 1, отжигают при 500 С 2 в течение 30 мин при одновременном плотностью 0,05-1 Вт/см в течение облучении оптической поверхности эле5-60 мин и последующее охлаждение до мента УФ-излучением с длиной волны комнатной температуры. Воздействие УФ-облучения в процес- 20 0,2537 мкм и плотностью на поверхсе термообработки приводит к положиности образца 0,4 Вт/см^, после чего тельному эффекту вследствие того, что оптический элемент охлаждают на возизлучение УФ-диапазона эффективно духе до комнатной температуры. поглощается в очень тонкой приповерхПосле охлаждения измеряют спектр ностной области данного полупровод25 пропускания оптического элемента. Максимальное пропускание получается никового материала и увеличивает адна длине волны 2,5 мкм и составляет сорбционные свойства поверхности крис98,0%. Коэффициент поглощения на длиталла. Кроме того, воздействуя на не волны 10,6 мкм составляет ft=0,02± воздух, в котором находится подвергае30 ±25% см~ (как до отжига, так и помый термообработке оптический элесле) . мент, УФ-излучение способствует дисП р и м е Р 3. Оптический элемент, социации молекул кислорода на атомы, как в примере 1, отжигают при 490 С что также приводит к более активному в течение 5 мин при одновременном обокислению поверхности оптического элемента из селенида цинка и образова-35 лучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны нию на ней плотной и однородной по 0,3 мкм и плотностью излучения на посоставу и толщине окисной пленки ZnO, верхности образца 1,0 Вт/см 2 , после что и приводит к увеличению пропусчего оптический элемент охлаждают на кания оптического элемента в диапа40 воздухе до комнатной температуры. зоне длин волн 2,5-11 мкм. ПрименеПосле охлаждения изменяют спектр ние отжига при одновременном воздействии УФ-облучения увеличивает скорость пропускания оптического элемента. образования окисной пленки, что позМаксимальное значение пропускания воляет существенно уменьшить продолполучается на длине волны 2,5 мкм жительность отжига. В результате это- 45 и составляет 98,0%. Коэффициент поглощения элемента на длине волны го и удается достичь поставленной це10,6 мкм до отжига и после него сосли - получить оптические элементы с тавляет р=0,01±25% см"'. повышенным пропусканием в интервале П р и м е р 4. Оптический элемент, длин волн 2,5-11 мкм без увеличения 50 как в примере 1, отжигают при 490 С их коэффициента поглощения ИК-излув течение 60 мин при одновременном чения. облучении УФ-излучением с длиной волП р и м е р 1, Оптический элемент ны 0,4 мкм и плотностью излучения из кристаллического ZnSe диаметром на поверхности оптического элемента 20 мм и толщиной 4 мм с коэффициен1 55 0,05 Вт/см 2 , после чего элемент охлажтом поглощения ( =0,02±25% см" поме3 дают на воздухе до комнатной темперащают в муфельную электропечь с темтуры. пературой 510 С и отжигают в течение Измеряют спектр пропускания опти30 мин. Одновременно с отжигом оптического элемента. Максимальное значеческую поверхность элемента облучают 1349543 ниє пропускания получается на длине волны 3 мкм и составляет 98,0Z. Коэффициент поглощения на длине волны 10,6 мкм до отжига и после отжига составляет р =0,Ot±25% см~" . П р и м е р 5. Оптический элемент, как в примере 1, отжигают при 500 С в течение 15 мин при одновременном облучении оптической поверхности эле- і мента УФ-иэлучением с длиной волны 0,24 мкм и плотностью на поверхности 2 образца 0,4 Вт/см , после чего оптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры, 15 П р и м е р 6. Оптический элемент, как в примере 1, отжигают при 500 С в течение 15 мин при одновременном облучении оптической поверхности элемента УФ-излучением с длиной волны 20 0,4 мкм и плотностью излучения на по2 верхности образца 0,4 Вт/см , после чего оптический элемент охлаждают на воздухе до комнатной температуры. Редактор Е.Зубиетова Заказ 1350/ЛСП I После охлаждения измеряют спектры пропускания образцов. Максимальное значение пропускания образцов из примеров 5 и 6 получается на длине волны 2,5 мкм и составляет 98,0%. Коэффициент поглощения образцов на длине волны 10,6 мкм составляет р=0,02±25% см" (как до отжига, так и после него). Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Способ просветления оптических элементов из селенида цинка путем отжига в воздушной атмосфере при 490510 С н охлаждения до комнатной температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 2,5-И мкм, отжиг ведут с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм 2 и плотностью 0,05-1 Вт/см в течение 5-60 мин. Составитель О.Самохина Техред Л.Сердкжова Корректор М.Шароши Тираж 405 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, 'г.Ужгород, ул.Проектная, 4