Спосіб виготовлення металізації напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - уменьшение боковых уходов размеров дорожек межсоединений и повышение процента выхода годных микросхем путем предотвращения анодного окисления алюминия под маской фоторезиста. Способ включает следующие операции. На полупроводниковую пластину 1 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель - уменьшение боковых уходов размеров дорожек межсоединений и повышение процента выхода годных микросхем путем предотвращения анодного окисления алюминия под маской фоторезиста. 16-89 осаждают последовательно пленку алю-. миния и слой тугоплавкого вентильного металла толщиной от 0,08 до 0,3 мкм. Наносят слой фоторезиста. Формируют из него конфигурацию дорожек межсоединений шириной не более 4 * 1 0 " M и контактных площадок. Травят не защищенный фоторезистом тугоплавкий металл. Создают разделительный окисел пористым анодным окислением слоя алюминия. Формируют пассивирующий окисел анодным окислением тугоплавкого металла. При этом анодное окисление проводят в потенциодинамическом режиме с ростом напряжения формовки до полного отслаивания фоторезиста на дорожках межсоединений. С контактных а площадок удаляют фоторезист и плазмохимически стравливают с них слой тугоплавкого металла. Способ отличается простотой благодаря использованию лишь одной фотолитографической операции. Металлизация характеризуется высокой коррозионной стойкостью. 4 ил. S (Л OS На фиг- 1-4 представлена технологическая последовательность изготовления металлизации. П р и м е р 1. На кремниевую подложку 1 со сформированной активной структурой осаждают пленку алюминия 2 толщиной 10*6м. Далее осаждают слой тугоплавкого вентильного металла 3, например ниобия, толщиной •8*10~'м (фиг.1). С помощью стандарт1 ных операций фотолитографии формируют 1477176 из фоторезиста марки Ф11-383 рисунок, соответствующий требуемым межсоединениям 4 и контактным площадкам 5 (фиг.2). Ширина межсоединений б не превышает 4'10~ м. Затем проводят травление не закрытого маской из фоторезиста слоя ниобия, после чего формируют разделительный окисел 6 между межсоединениями 7 и контактны- . ми площадками 8 пористым анодным окислением пленки алюминия. Анодирование проводят в потенциостатическом режиме при напряжении формовки 30 В. 8 качестве электролита используют 15 10%-ный водный раствор серной ты. Окончание процесса анодного пористого окисления фиксируют по спаду поля формовки до величины, составляющей 10% максимального тока 20 формовки в течение процесса. Далее проводят анодное окисление пленки ниобия в 1%-ном водном растворе лимонной кислоты, в потенциодинамическом режиме с ростом напряжения формовки (и ф ) до 80 В. Анодный оки- 25 сел ниобия имеет коэффициент объемного роста 2,5, в результате образования пассивирующего окисла ниобия 9 при U