Патенти з міткою «магнетронного»

Номер патенту: 104556

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Казіміров Микола Миколайович, Кабін Євген Олександрович

МПК: C23C 14/00

Мітки: трубний, розпилення, пристрій, магнетронного, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Протяжний пристрій магнетронного розпилення матеріалів, що містить охолоджувану зсередини мішень з замкненою в ланцюг розпилюваною поверхнею, розміщеною між оберненими до цієї поверхні протилежними полюсами Ш-подібної магнітної системи, що розташовані на верхній поверхні периферійної і центральної стінок магнітопроводу, причому магнітні полюси на довгих периферійних стінках магнітопроводу нахилені до мішені ззовні її, який відрізняється...

Номер патенту: 104555

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Казіміров Микола Миколайович, Кабін Євген Олександрович

МПК: C23C 14/00

Мітки: пристрій, магнетронного, матеріалів, розпилення

Формула / Реферат:

1. Пристрій магнетронного розпилення матеріалів, що містить магнітну систему, яка складається з установлених з зазором один відносно одного щонайменше чотирьох елементів, щонайменше три з яких є постійними магнітами, а зовнішній магнітом'який магнітопровід виконаний в вигляді периферійної стінки, мішень з замкненою в ланцюги розпилюваною поверхнею, розміщеною між оберненими до цієї поверхні протилежними полюсами магнітів і магнітопроводу,...

Номер патенту: 84897

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Коваленко Леонід Леонідович, В'юнов Олег Іванович

МПК: H01M 2/16, H01M 4/86, H01M 4/66 ...

Мітки: спосіб, напилення, акумуляторів, плівок, lipon, фосфор-оксинітриду, літію, літієвих, синтезу, методом, твердотільних, високочастотного, магнетронного

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу плівок фосфор-оксинітриду літію (LiPON) для твердотільних літієвих акумуляторів методом високочастотного магнетронного напилення, який відрізняється тим, що для одержання одночасно високої іонної провідності () та відсутності тріщин синтез проводять при температурі підкладки 25-60 °C протягом 4-6 годин при ВЧ потужності напилення 2-2,5 В·см2 і тиску...

Номер патенту: 100822

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Кучеренко Євген Трохимович, Костюкевич Олександр Миколайович

МПК: H01J 17/00

Мітки: типу, магнетронного, катод, холодний, порожнинний

Формула / Реферат:

1. Порожнинний холодний катод, який виконаний у вигляді алюмінієвої циліндричної трубки з коаксіально встановленим всередині центральним електродом, що зв'язаний з анодом розрядного проміжку через опір, який більший за баластний опір розряду, та які розташовані у поздовжньому однорідному магнітному полі, який відрізняється тим, що введено додатковий циліндричний електрод більшого діаметра, ніж алюмінієва циліндрична трубка, який розташований...

Номер патенту: 62706

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Оберемок Олександр Степанович, Попов Валентин Георгійович, Хацевич Ігор Мирославович, Гудименко Олександр Йосипович, Романюк Борис Миколайович, Нікірін Віктор Андрійович, Голтвянський Юрій Васильович, Мельник Віктор Павлович

МПК: G02F 1/015

Мітки: термохромної, плівки, виготовлення, діоксиду, магнетронного, розпилення, методом, ванадію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію, який включає нанесення на підігріту до 200-250 °С підкладку у вакуумній камері шару аморфного оксиду ванадію і його кристалізацію шляхом термічного відпалу, який відрізняється тим, що шар аморфного оксиду ванадію наносять шляхом магнетронного розпорошення ванадієвої мішені в середовищі газової суміші Аr та О2, вміст якого складає 3-7 %, зі швидкістю напилення 5-15 нм/хв., а термічний...

Номер патенту: 49697

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Мухін Олексій Борисович, Ніколаєнко Юрій Макарович

МПК: C23C 14/35

Мітки: установка, магнетронного, мішеней, вакуумна, розпилення

Формула / Реферат:

1. Вакуумна установка для магнетронного розпилення мішеней, головним чином для забезпечення умов епітаксійного росту багатокомпонентних плівок, наприклад, на основі манганитів, що містить: три магнетрони з примусовим водяним охолодженням, підведенням високовольтної напруги і накидними гайками для кріплення мішеней, які розміщені в металевому корпусі циліндричної форми, що герметично закривається зверху вакуумним ковпаком з прозорими вікнами...

Номер патенту: 77061

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Бєрдиєв Курбан Ходжа огли, Казіміров Микола Миколайович, Кудлай Володимир Олександрович, Кабін Олександр Вікторович

МПК: C23C 14/35, H01J 25/00

Мітки: пристрій, магнетронного, розпилення, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Протяжний пристрій магнетронного розпилення матеріалів, що містить систему охолодження, Ш-подібну магнітну систему з периферійних і центральних магнітів, які замкнені протилежними полюсами з магнітопроводом і розташовані на внутрішній боковій поверхні периферійної і центральної стінок магнітопроводу, екрани над магнітною системою, замкнену в ланцюг мішень, розпилювана поверхня якої розміщена між оберненими до неї полюсами магнітів, який...

Номер патенту: 52326

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Чернолуцький Дмитро Леонідович, Бєрдиєв Курбан Ходжаєвич, Казіміров Микола Миколайович, Гончарук Ігор Михайлович, Кабін Олександр Вікторович

МПК: C23C 14/32

Мітки: пристрій, матеріалів, розпилення, магнетронного

Формула / Реферат:

1. Пристрій магнетронного розпилення матеріалів, що містить Ш-подібну магнітну систему з периферійних і центральних магнітів, які замкнені протилежними полюсами з магнітопроводом, кільцеподібну пласку мішень з катодом, розташовану паралельно площині верхніх країв магнітів в порожнині між стінками магнітної системи, який відрізняється тим, що магніти магнітної системи розташовані на внутрішній боковій поверхні периферійних стінок і боковій...

Номер патенту: 33751

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Кравченко Сергій Миколайович, Перекрестов В'ячеслав Іванович, Павлов Андрій Володимирович

МПК: C23C 14/35, H01J 25/00

Мітки: магнетронного, пристрою, розпилювального, магнітна, система

Текст:

...наступним. Рухома і нерухома пари магнітів створюють поблизу поверхні мішені, що розпилюється, магнітну індукцію, що паралельна поверхні мішені і перпендикулярна вектору напруженості електричного поля. Електрони, що знаходяться в цій області, рухаються по циклоїді поблизу поверхні мішені, і іонізують залишкові гази. Прискорені електричним полем іони бомбардують і при цьому розпилюють мішень. Більш високі значення індукції магнітного поля...

Номер патенту: 25437

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Кучеренко Євген Трофимович, Бедюх Олександр Радійович

МПК: H05K 3/14, C23C 14/35

Мітки: система, розпилюючого, магнітна, магнетронного, пристрою

Формула / Реферат:

1. Магнитная система для магнетронного распылительного устройства с чередующимися магнитными полюсами, ограничивающими замкнутый магнитный зазор, имеющая магнитопровод и закрепленный на нем по меньшей мере один постоянный магнит, отличающаяся тем, что магнитопровод снабжен замкнутым по периметру выступом и по меньшей мере еще одним дополнительным протяженным выступом от указанного замкнутого выступа внутрь контура, ограниченного этим...

Номер патенту: 13770

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Чорногорський Валерій Павлович, Голома Віталій Володимирович, Стеценко Борис Володимирович, Панченко Олег Антонович, Владимиров Вадим Володимирович

МПК: C23C 14/38

Мітки: магнетронного, розряду, спосіб, сполук, нанесення, здійснення, пристрій, покриття, багатокомпонентних, плазми

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения покрытия многокомпо­нентных соединений из плазмы магнетронного разряда, включающий напуск реагирующего газа в напылительную камеру и последующую его от­качку, а также управление потоком газа, отлича­ющийся тем, что скорость откачки газа устанав­ливают равной критическому значению, а отноше­ние скоростей откачки и натекания реагирующего газа устанавливают постоянным в течение процес­са напыления.2. Способ по п.1,...