Шпирко Григорій Миколайович

Номер патенту: 81324

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C22B 30/00

Мітки: виділення, сульфіду, спосіб, миш'яку

Формула / Реферат:

Спосіб виділення миш'яку із його сульфіду, який включає окислення сульфіду і наступне введення в контакт з утвореним оксидом миш'яку відновника, який відрізняється тим, що як відновник беруть титан, а процес відновлення здійснюють в герметичному контейнері при температурі 300-500 °С.

Номер патенту: 75726

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Гаврилко Петро Петрович, Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: G01B 11/26

Мітки: контролю, спосіб, геометричної, ограненого, форми, виробу

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю геометричної форми ограненого виробу, який включає направлене освітлення виробу, одержання світлових фігур на екрані та визначення геометричної форми виробу, який відрізняється тим, що освітлення виробу здійснюють паралельним пучком світла та одержують світлові плями на екрані в результаті відбивання світла від граней виробу, а визначення геометричної форми виробу здійснюють по величині відхилення положення світлових плям...

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, одержання, кристалу, тіогалату, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Номер патенту: 62129

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 28/00, C30B 29/52, C30B 29/46 ...

Мітки: селеноалюмінатів, синтезу, спосіб, тіоалюмінатів, цинку, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу тіоалюмінатів та селеноалюмінатів цинку й кадмію, який включає сплавлення елементарних компонентів, взятих у стехіометричних кількостях у вакуумованих ампулах з плавленого кварцу, який відрізняється тим, що спочатку сплавляють алюміній з цинком або кадмієм, одержаний сплав розміщують у кварцову ампулу разом з наважкою сірки або селену і нагрівають суміш до одержання розплаву алюмінату.

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 9/00

Мітки: кристала, тіогалату, одержання, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Номер патенту: 60990

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C01B 17/02

Мітки: очистки, спосіб, сірки

Формула / Реферат:

Спосіб очистки сірки вакуумною дистиляцією в присутності стимулятора сегрегації, який відрізняється тим, що як стимулятор сегрегації використовують пари етанолу при тиску 0,10-10,0 Па.

Номер патенту: 61041

Опубліковано: 15.10.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич, Ткаченко Віктор Іванович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, зонної, плавки

Формула / Реферат:

Пристрій для зонної плавки, який містить нагрівач та горизонтально розміщений герметичний контейнер продовгуватої форми з поперечними перегородками, установлений з можливістю повороту відносно горизонтальної осі контейнера, зонний нагрівач, механізм зворотно-поступального переміщення, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить принаймні одну поздовжню перегородку довжиною не менше віддалі між поперечними перегородками, розміщену на...

Номер патенту: 37089

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Проц Лариса Анатолієвна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: B28D 5/00

Мітки: ріжучий, елемент

Текст:

...середнього шару припайкою під пресом. Товщина ріжучого елементу 0,3 мм, ширина 18,0 мм, довжина 200 мм. Проведено процес різання монокристалу парателуриту циліндричної форми з діаметром поперечного перерізу 30,0 мм. Як абразивний матеріал застосовували корундовий порошок М 28, перемішаний з машинним маслом. Витрати порошку склали 4,5 г. При використанні ріжучого елементупрототипу, виготовленого із стальної полоси товщиною 0,3 мм, для...

Номер патенту: 36476

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C01B 19/00

Мітки: очистки, телуру, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки телуру, який включає роз плавлення телуру та його кристалізації, який відрізняється тим, що розплав телуру перед кристалі­зацією пропускають через порожнину ємності, заповненої склоподібним або кристалічним двоокисом кремнію.

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Проц Лариса Анатоліївна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, пристрій, кристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатолієвна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: направленою, розплаву, кристалізацією, вирощування, кристалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Номер патенту: 32987

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 33/00, G01N 23/20

Мітки: спосіб, орієнтування, монокристалу

Текст:

...згідно винаходу, на монокристалі виконують принаймні дві пари паралельних зрізів , визначають взаємне розміщення виконаних зрізів , розділяють монокристал на дві частини, кожна з яких містить принаймні два непаралель-них зрізи, після чого визначають просторове положення по відношенню -до кристалографічних напрямків монокристалу зрізів однієї , переваж 2. но, меншої частини монокристалу 1 по ньому судять про орієнтацію зрізів на другій...

Номер патенту: 32979

Опубліковано: 15.02.2001

Автор: Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пристрій, зонної, плавки

Текст:

.... Частина теплової енергії розподіляється через ділянку перерізу труби , не перекриту канавкою 1 поглинається поверхнею наступної , більш глибокої канавки. Температура в контейнері вздовж труби по мірі від далення від нагрівача зменшується , за вийнятком ділянок поблизу ка навок, де вона більш висока, ніж фонова. На маяюн*у схематично зображена запропонована конструкція при строю для зонної плавки. Контейнер 1 з речовиною 2...

Номер патенту: 32882

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: G01K 7/02

Мітки: температури, термоелектричний, датчик

Текст:

...за межами порожнини наконечника. При цьому можливо реалізувати достатньо малу товщину проміжку між кулею та зовнішнім тілом, що дає змогу зменшити інерційність термоелектричного датчика температури. На малюнку схематично представлена конструкція запропонованого термоелектричного датчика температури. Термоелементи І, виготовлені із різних матеріалів, з'єднані спаєм 2 сферичної форми. Спай ? розмішений в порожнині наконечника 4. З, в якому є...

Номер патенту: 32857

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Коложварі Марія Василівна, Проц Лариса Анатолієвна, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 15/30

Мітки: витягуванням, кристалів, пристрій, вирощування, розплаву

Текст:

...кристалу U~t , а його гори зонтальний переріз St , тигель з горизонтальним перерізом $І, , то для забезпечення постійності рівня розплаву по відношенню до нагріваючрго елементу необхідно тигель піднімати зі швидкістю Ол'—-fs—~ І . При перемінному перерізі тиглю відповідно повинна змінюватися і швид кість його піднімання. На початковій і кінцевій стадіях росту криста лу переріз його по висоті змінюється , що також вимагає зміни швидкості...