Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних нвч – великих інтегральних схем
Номер патенту: 77223
Опубліковано: 11.02.2013
Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович
Формула / Реферат
1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц) електронно-циклотронного резонансу при потужності розряду 450-750 Вт з використання металоорганічних сполук триметил- (триетил) миш'яку, галію та арсену.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що між кремнієвою підкладкою та гетероепітаксійним шаром арсеніду галію осаджується градієнтний буферний шар кремній-германію, причому формування такого шару відбувається в єдиному технологічному процесі при температурі реактора менше 400 °C зміною потужності розряду та витратами інгредієнтів, а концентраційний профіль германію змінюється відповідно до газового режиму витрат моносилану і моногерману у водні при вакуумі (2,7-30)×10-2 Па, температурі плазмового росту 250-370 °C.
3. Спосіб за пп. 1, 2, який відрізняється тим, що арсенідгалієвий епітаксійний шар легується до питомого опору 0,5-2 Ом∙см в епіпроцесі шляхом введення в реакційну зону електронно-циклотронного резонансу - реактора водневої суміші моносилану за програмованою витратною характеристикою, а для формування напівізолюючого арсенідгалієвого шару з питомим опором 108-1010 Ом-см, останній легується алюмінієм або киснем з використанням триметилалюмінію.
Текст
Реферат: Спосіб формування арсенід-галієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ великих інтегральних схем, який включає в себе підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні. Процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for formation of arsenide-gallium hetero-epitaxial structures for submicron shf-large integrated circuits
Автори англійськоюNovosiadlyi Stepan Petrovych, Melnyk Liubomyr Vasyliovych, Varvaruk Vasyl Mykolaiovych, Kindrat Taras Petrovych
Назва патенту російськоюСпособ формирования арсенид-галлиевых структур для субмикронных свч-больших интегральных схем
Автори російськоюНовосядлый Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович, Варварук Василий Николаевич, Киндрат Тарас Петрович
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/00
Мітки: гетероепітаксійних, формування, великих, субмікронних, структур, інтегральних, арсенідгалієвих, нвч, схем, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-77223-sposib-formuvannya-arsenidgaliehvikh-geteroepitaksijjnikh-struktur-dlya-submikronnikh-nvch-velikikh-integralnikh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних нвч – великих інтегральних схем</a>
Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації субмікронних структур великих інтегральних схем
Номер патенту: 68204
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Атаманюк Роман Богданович
МПК: H01L 21/00
Мітки: багатошарової, великих, структур, інтегральних, формування, субмікронних, теплостійкої, схем, металізації, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...
Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем (віс)
Номер патенту: 64898
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Кіндрат Тарас Петрович, Сорохтей Тарас Романович, Атаманюк Роман Богданович
МПК: H01L 21/00
Мітки: субмікронних, планаризації, структур, спосіб, вісь, інтегральних, металевої, розводки, схем, великих
Формула / Реферат:
1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...
Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних к-мон-структурах великих інтегральних схем
Номер патенту: 72058
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович
МПК: H01L 21/00
Мітки: низькоомних, інтегральних, формування, контактів, к-мон-структурах, субмікронних, схем, спосіб, великих
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...
Спосіб виготовлення структур біполярних інтегральних схем
Номер патенту: 11382
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Малайдах Володимир Якович, Скріпов Федір Олександрович, Новосядлий Степан Петрович, Матюшин Євген Васильович
МПК: H01L 21/70
Мітки: виготовлення, спосіб, біполярних, структур, інтегральних, схем
Формула / Реферат:
Способ изготовления структур биполярных интегральных схем, включающий окисление подложки из р-кремния, формирование маски из оксида кремния с окнами для скрытых областей, формирование в подложке скрытых n+-областей, осаждение эпитаксиального n-слоя кремния, формирование маски из оксида кремния с окнами для разделительных областей, формирование разделительных областей, формирование маски из оксида кремния с окнами для базовой диффузии,...
Спосіб виготовлення великих інтегральних схем
Номер патенту: 11379
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Насипайко Олександр Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович, Когут Ігор Тимофійович
МПК: H01L 21/18
Мітки: великих, виготовлення, спосіб, інтегральних, схем
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления больших интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей стороне соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирование контактов и герметизирующего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...
Попередній патент: Процес проведення периопераційної аналгезії при оперативних втручаннях на судинах нижніх кінцівок
Наступний патент: Пристрій для отримання двошарових структур
Випадковий патент: Установка ударно-канатного буріння