Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву і пристрій для його реалізації
Номер патенту: 71915
Опубліковано: 17.01.2005
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення вакууму компоненти суміщають, після чого ампулу запаюють.
2. Пристрій для реалізації способу за п. 1, що містить ампулу, який відрізняється тим, що він обладнаний привареною до ампули посудиною, з розміщеною в ній плоскою чашкою, встановленою з можливістю повороту.
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюA method for obtaining semiconductor crystals of the melt and a device for realizing the same
Автори англійськоюMorozov Leonid Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ получения полупроводниковых кристаллов из расплава и устройство для его реализации
Автори російськоюМорозов Леонид Михайлович
МПК / Мітки
МПК: C30B 30/00, C30B 28/00
Мітки: реалізації, пристрій, напівпровідникових, розплаву, спосіб, отримання, кристалів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-71915-sposib-otrimannya-napivprovidnikovikh-kristaliv-z-rozplavu-i-pristrijj-dlya-jjogo-realizaci.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву і пристрій для його реалізації</a>
Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів
Номер патенту: 10594
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Островський Петро Іванович, Островська Анастасія Степанівна, Байцар Роман Іванович, Красножонов Євген Павлович
МПК: C30B 29/06, C30B 29/00
Мітки: напівпровідникових, кристалів, резонаторів, вирощування, струнних, спосіб, ниткоподібних
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування напівпровідникових ниткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепаду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального питомого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...
Контейнер для термообробки летких напівпровідникових кристалів
Номер патенту: 25162
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Март'янов Генадій Сергійович, Сілін Віталій Іванович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович
МПК: C30B 35/00
Мітки: термообробки, кристалів, напівпровідникових, летких, контейнер
Формула / Реферат:
Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Нижникевич Володимир Всеволодович, Павлюк Любомир Ростиславович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: провідності, легованих, pbте, отримання, кристалів, спосіб, p-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...
Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів та пристрій для його реалізації
Номер патенту: 28250
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Гарапин Ірина Володимирівна, Антонів Іван Петрович, Дідик Роман Іванович
МПК: C30B 29/12, C30B 11/00
Мітки: спосіб, одержання, галогенідів, реалізації, металів, пристрій, монокристалів, лужних
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання монокристалів галогенідів лужних металів, який включає їх плавлення у вакуумі в присутності вуглецевого сорбенту в реакційній ампулі, розділення продуктів реакції та розплавленої солі в процесі транспортування розплаву з реакційної ампули а ростову та наступну направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що розділення продуктів реакції та солі проводять шляхом випаровування солі з реакційної ампули з наступною...
Пристрій для вирощування кристалів витягуванням з розплаву
Номер патенту: 48542
Опубліковано: 15.08.2002
Автор: Турок Іван Іванович
МПК: C30B 15/32
Мітки: витягуванням, пристрій, кристалів, розплаву, вирощування
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування кристалів витягуванням з розплаву, який включає затравкотримач, виконаний з можливістю вертикального переміщення і обертання навколо повздовжньої oсі з розміщеним в його нижній частині затравочним кристалом і гнучким пристосуванням для кріплення верхньої частини затравкотримача коаксіально до вузла, відповідального за обертання та переміщення, який відрізняється тим, що гнучке пристосування виконано в вигляді...
Попередній патент: Спосіб введення робочих особин бджоли медоносної (apis mellifera l) у стан штучного гіпобіозу
Наступний патент: Спосіб пренатальної підготовки вагітної
Випадковий патент: Похідні аміду, спосіб їх одержання (варіанти), фармацевтична композиція, способи лікування та застосування з використанням цих сполук