Спосіб виготовлення мікросхем на основі мдн-транзисторів

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

(57) Способ изготовления микросхем на основе МДП-транзисторов, включающий химическую обработку пластин кремния, окисление, фотолитографию, диффузию примеси в областях стоков и истоков, отличающийся тем, что после формирования маскирующего окисла проводят контроль изменения удельного сопротивления пластины кремния, и диффузию примеси проводят при температуре окисления на глубину, определяемую выражением

где rmax - максимальное удельное сопротивление кремния;

±Drтд - изменение удельного сопротивления кремния электронного (дырочного) типа проводимости;

 - минимально допустимая фотолитографическая длина канала;

Vcт- напряжение на стоке МОП-транзисторов;

m - подвижность носителей тока;

e и eо - диэлектрические проницаемости кремния и вакуума соответственно.

Текст

Спос об изготовления микросх ем на ос нове МДП-транзис торов, включающий х и мичес к у ю о бр аб о тк у п лас ти н к ре мн ия, окисление, фотолитографию, диффузию при меси в областях стоков и ис токов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что пос ле формирования мас киру ющ его окис ла провод ят контроль изменения у дельного с опротивления пла стины кремния, и диффузию примеси прово дят при температу ре окис ления на глу бину, опред еляемую выражением W= {LtDmin - [ VCT 2 Е Єо ±Аргд)]1/2>. где/Этах - максимальное удельное сопротивление кремния; ±А р тд - изменение уд ельного с опротивления кремния э лектронного (д ырочного) типа проводимос ти; Lomin - минимально допустимая фотолитографическая д лина канала; VCT - напряж ение на с токе МОП-транзисторов; /г - подвижнос ть носителей тока; £ и £о- д иэлектрические проницаемос ти кремния и вакуу ма соответс твенно. С> со о ел Изобретение относ итс я к э лектронной технике, а именно, к технологии изготовления интегральных микросх ем на ос нове МДПтранзис торов с длинным каналом р-типа. Известен способ изготовления микросхем (прототип), который включает операции химической обработки плас тин кремния, окис ления, фотолитографии, диффузии примес и в облас тях с токов и ис токов, металлизации. Ди ффу зию прим ес и производ я т при температу ре окисления на глу бину, определяемую выражением W —^ {La>mln - [ VCT 2 Є ЄоЦРср) "% (1) 1/2, где pep - сред нее удельное с опротивление кремния; Іфтіп - минимальная д опус тимая фотолитографическая длина канала; VCT- напряжение на с токе МОП транзис торов, fi подвижнос ть нос ителей заряд а; є, ео - д иэ лек тричес кие проницаемос ти кремния и вакуума с оответс твенно. К - коэ ффициент бок овой диффу зии примеси. Однако в э том спос обе не учтено изменение у д ельного с опротивления кремния относ ительно его макс имального значения в резу льтате рас пад а термод оноров и " новых" д оноров в процессе цикла термообрабо ток при изго тов лени и микрос х ем . В резу льтате ис тинное значение уд ельного О A3Z * хАэ го ,ог+єхі + і .ofr-zo.si э0оои deu 0 . 02+ €Xl + 0t7 + xAa2 O9l Эо 00И un io io d u доэоиэ 2 wx w 90 = OIS V еі/ зих о ojatncxAdMMoew динеаойиігміоф (Ш WD wo %OZTg> фЄ>0 них зеіш exx ogedgowwx nnt iedauo э инеаонэ ниен ИЯЮ8К{/8ВЄ£ Zі uu ІЛ4ИЖ8СІ ИИХЭЭЬИЛО1/ОНХЭХ ен 'ИИНЭЮИН -io моняі/ах изонхо a %09-0Ь wax oodx ww xis Ht/ oj et foxna ex Hatiodu ош натіяаои x oi/ % оэоио aandu oi£ (wxw c'9-8 - *l) (9 иічілшкі/ otf авеє) wxw C'0+ 0' I (unioxodu) wx w г'0+ 8Ч э 1 edog ииєА ффиЬ іянидЛі/j иинэгпянэшЛ ndu эинэтянэмЛ oi/еєехои ниюеі/u ou io ao doi on eH edi -u oiA l мо юи -оі ою и go КИНВМІЯІЛІО niooHibodae ahnugei а Aunioiodu ou едоэоиэ и ^^9ЛЄУ S9Z.X юэхэ -od>»nw ьинаиаоюієи вдоэоиэ ОС -эи OHhodogwa од иі/ 'waxaodam* -є и aooatiodu а од иі/ lirtt oB enodu 'ьинэ иэ ияо adAiedauwai ndu 'июонюеь а 'иомаьниоиіча 'nx iogedgo t fOHdAiedauwaiox oona noadau ai/эои BMHai/anioduoo ojOHiuaWA иинанамєи wnie о иєвао д BHHaiadgoen auA w а іліічннеєеиА іліаинажегіїяа о ииаізхааю -оэ a qiHi/atfaduo noawndu ииєА ффиіґ АнидАі/j oiA wnioA uot f омиїґохд оан WOMOIOH Э ех ою иаюеі/д о вине>і»ямо ojo^ei 4iooHibodaa чіиь -ОІІ/ХОИ »ядоіь aodOHOt fowdai et/euoed ai/oou anHai/ anioduoo аоняі/ at/A оня«/емиэ леи at fj 'XBioet/ go а еняі/еїліизх ем винехіяиіз яхэон lBOdaa 'эинeaodинoиt ^)^нA ф єн waxoodMnw aMdaeodu ибц иаюеі/ до аинехіямо іиї/ ох ои -odu чхээ oi 'ехох эи ЯХЄІИІЗ ОЇҐ іажом et ft fdee OJOHHaax oHedioodu яю еі/д о яою є н винаж BdueH аие^ои ndy anHai/ anioduooaoHSi/at fA ОНЯІ/ ЄИ »ИЗХЄІЛ/ at fj эх 'иоэ имйи B HhBdiHah нох ЄНЯІ/ВМИНИИІ at/j пнихоеі/u ихоеі/до а єн яі/ewnoxew aodoiOMCHedi-uoiAl емоюи и ехою июеі/д о а иоаиийи ииє А ффиіґ енид А і/ j их аеюои aot f -ondau хо и «HHwadx aoxnt naex oou хо хиоиа еє нихоеі/и edxawentr яі/оїїа B HHai/aMxoduoo OJOняt/эtґA anHai/atfaduoed 'OJOX awod>j etfod l ai/jA и et fodouonx wэинeжdэto oэ д|, 190ЄІ о иєказ a нихзеі/u A dxawentf ou и х ех аниіЛґ ou хех аічньииєей винанаїлієи их £ «ин -wad» 8оххи1/э ьинєаиїтієгїіяа ииаоі/аА хихэ Vi et/odai/jA eWodoi/оих х о хьэ иаее с/ у аж о и ^о ^у к инзи -anxoduoo 0J0H4t/atfA эинэнииэаА эоняиэхио -онхо noawndu natnoiAdHjau nantiediHatiHOx x nwabi/ at / aduo 'у инэьене ot f x aex oedeoa anHai/ anxoduoo аоняі/ at fA охэ ь эxex яl/Aєэ d a 'aodOHOt/ „х»яаон(| и aodOHOt/owdax tfeuoed XMt fox3HOdu э тна и Эо 0001-008 x exxogedgo XHHdAx edauwax oxooRa ndy •OJOx oяl/ edx oh Atfoxaw ou woHHdtnedna 'MMHwadx а вэхиУп 'aodoHOt/ „хіяаон,, и aodOHOt/owdax и он noawndu n -anx oduoo оіОняі/а^А аинаьенє ох£ adx Hati a wo. wo g'£ - g'g ot f внихоеі/и edx awentf o»edx єн wo. wo f'G xo OHandaduaH взхавнаиієи аин -ai/ anx oduoa аоняі/ aV A '%0Z+ 9> Ф ЄХ винаі/ uadx ві/ t / dawndue H w ox det / нвх о wnHHaaxodet fA ooj взхаві/ at faduo ueadax HH иіяннеєехд иинанене хихє edxxauo OJOHaeuu и ojOHandaduaH at fna a Adiawent f ou и мех 'еххииэ аниі/t/ ou хєх иинаьенє t/eadaxHH xa awn B HHwadx dMHdi/anxoduoo аончі/ аї/д wax oodxnw хіянУох et foxtta exnatiodu аин атіяаои вох аві/ ав винах айд оє и с няі/ аТ) waxoodxnw XRHW OJ еіґох іяа exHaliodu э инэ тянэмА x ntfox oModu ojox e anax ot rai/ og члах оеі/д о х ихє ьинех 4 «wo nxooHXBodaa снинаьииааА х оняі/ахеаоУ ai/э и 'B HHai/anxoduoo охоняиэ ^А ех а нА є ад (|) at / A wd o ф ou n -uo ионидАі/j э oinHaHaedo ou aodoxoneHedx -LJOI/M вохохэи и аохохэ хвхэеидо a noawndu ииєА ффиїґ іянидАі/J о

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Manufacturung method for based mis field-effect transistor-integrated circuits

Автори англійською

Kutovoi Ihor Vasyliovych, Pundyk Stepan Vasyliovych, Shurduk Borys Kostiantynovych

Назва патенту російською

Способ изготовления микросхем на основе мдп-транзисторов

Автори російською

Кутовой Игорь Васильевич, Пундик Степан Васильевич, Шурдук Борис Константинович

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/22

Мітки: спосіб, виготовлення, мікросхем, мдн-транзисторів, основі

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/6-13051-sposib-vigotovlennya-mikroskhem-na-osnovi-mdn-tranzistoriv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення мікросхем на основі мдн-транзисторів</a>

Подібні патенти