Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних сполук

Спосіб гетероепітаксійного вирощування шарів напівпровідникових багатокомпонентних спо 3 38628 4 Таким чином, наведені особливості способу хні, потім формуванні шляхом піролітичного осаELO накладають певні обмеження щодо кристалодження захисного маскуючого шару, наприклад, хімічної якості гетероепітаксійних шарів, що погірSi3N4 або SiO2, нанесенні шару фоторезисту та шує електрофізичні параметри приладів мікро- та створенні системи вікон у захисному маскуючому оптоелектроніки на їх основі. шарі за допомогою фотолітографії та хімічного або Задачею корисної моделі є розробка способу плазмо-хімічного травлення для забезпечення отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідвільного доступу травника до поверхні підкладки, никових сполук, за допомогою якого внаслідок після цього проводять формування електрохімічтехнологічних особливостей способу можливо ним травленням поруватого шару у вікнах; видабуло б формувати гетероепітаксійні шари із підленні залишків захисного шару за допомогою севищеною якістю структури. лективного хімічного або плазмо-хімічного Це досягається тим, що у способі, який вклютравлення та реалізують вирощування гетероепічає первісну хімічну підготовку підкладки, нанетаксійного шару з відмінним значенням параметру сення на планарну поверхню захисного маскуючокристалічної ґратки. го шару Si3N4 або SiО2, формування за допомогою Таким чином уздовж межі розділу підкладка фотолітографії і хімічного або плазмохімічного гетроепітаксійний шар формують шар, що містить травлення вікон у захисному маскуючому шарі, фрагменти поруватого кристалу, що компенсує після формування вікон у захисному шарі провомеханічні напруження, які виникають внаслідок дять формування у вікнах поруватого шар у за донеузгодженості за сталою ґратки. В цьому перехіпомогою електрохімічного травлення, здійснюють дному шарі й відбувається релаксація механічних видалення залишків захисного шару і лише потім напружень, що додатково поліпшує кристалогравиконують латеральне вирощування суцільного фічну якість приладового гетероепітаксійного шагетероепітаксійного шару. ру. На відміну від найближчого аналога, у якому Приклад: латеральне вирощування суцільного гетероепітакПісля проведення первісної хімічної підготовки сійного шару виконують поверх захисного шару та на підкладці Si (100) піролітично формують захиспризводить до виникнення механічних напружень і ний маскуючий шар SiO2. Після цього, за допомодефектів структури при коливаннях температури, гою фотолітографії та хімічного травлення ствотехнологічне рішення, що пропонується, дозволяє рюють у захисному маскуючому шарі SiO2 систему позбавитися недоліків, які виникають при зарощувікон. Наступною операцією є проведення електванні захисного шару, шля хом формування у вікрохімічного травлення підкладки у вікнах для нах поруватого шару, видалення залишків захисстворення порувати х ділянок підкладки. Після цьоного шару за допомогою селективного хімічного, го селективних хімічним травленням видаляють або плазмо-хімічного травлення та наступного залишки захисного маскуючого шару і проводять латерального вирощування суцільного гетероепіепітаксійний ріст шару стибніду галію при певних таксіального шару безпосередньо на планарній технологічних умовах, що забезпечують початкоповерхні підкладки, що містить локальні ділянки вий ріст епітаксійного шару на планарній поверхні поруватої поверхні. підкладки і подальший ріст суцільного шару над Таким чином, сукупність відмінних ознак запоруватими ділянками підкладки. пропонованої корисної моделі дозволяє покращиТонкі гетероепітаксійні шари, одержані запроти кристалічну якість гетероепітаксійних шарів та понованим способом, можуть бути використані для зменшити впливи термічних обробок на формувиготовлення термофотовольтаїчних перетворювання дефектів у епітаксійній структурі. вачів. Сутність способу полягає в проведенні наступних операцій: первісній хімічній підготовці повер Комп’ютерна в ерстка В. Мацело Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601