Фотоклей для кріплення напівпровідникових кристалів в гібридних мікросхемах
Номер патенту: 21585
Опубліковано: 15.03.2007
Автори: ГРАНЧАК ВАСИЛЬ МИХАЙЛОВИЧ, КУЧМІЙ СТЕПАН ЯРОСЛАВОВИЧ, Сисюк Валентина Григорівна, Клочай Оксана Іванівна
Формула / Реферат
Фотоклей для кріплення напівпровідникових кристалів в гібридних мікросхемах, що включає полімеризаційноздатний компонент, поліефірізоціануратімідну смолу молекулярної маси 75280, фотоініціатор - метиловий ефір бензоїну та цільові домішки, який відрізняється тим, що з метою покращення фізико-механічних властивостей, водостійкості та хімічної стійкості при експлуатації гібридних мікросхем фотоклей як полімеризаційноздатний компонент містить -біс-диметакрилат-ді-діетиленглікольфталат МЛ-654 і додатково як цільові домішки містить γ-амінопропілтриетоксисилан і диметиланілін при наступних співвідношеннях компонентів, мас. %:
-бис-диметакрилат-ді-діетиленглікольфталат МЛ-654
73-82
поліефірізоціануратімідна смола MM 75280
10-15
γ-амінопропілтриетоксисилан
2-4
метиловий ефір бензоїну
2-3
диметиланілін
4-5.
Текст
Фотоклей для кріплення напівпровідникових кристалів в гібридних мікросхемах, що включає полімеризаційноздатний компонент, поліефірізоціануратімідну смолу молекулярної маси 75280, фотоініціатор - метиловий ефір бензоїну та цільові домішки, який відрізняється тим, що з метою покращення фізико-механічних властивостей, водо 3 21585 4 рми "Карл-Цейс" (Німеччина), в якому підкладка дять п оліме ри за ці йн оз да тн і о лі гоме ри - a, v фіксується за допомогою вакууму. би с-дим е так ри ла т-ді -діетиленглікольфталат Час експонування 20-30с при використанні ке(МДФ-2) (ТУ-6-01-1217-79); поліефірізоціануратіміраміки "Полікор" і 3-5с -кераміка "Сапфір". дна смола (поліімідний лак Б-ІД-9127 за ТУ 6-504Ко м п о з и ці ю для фо то к ле ю го т ува ли 038-77); фотоініціатор-метиловий ефір бензоїну і шля хо м р е те ль н о го перемішування відповіддодатково включені мономериних наважок компонентів композиції. амінопропілтриетоксісилан (АГМ-9) формули СН3Ча с ек спон ува н ня шар у фо то к ле ю визн а СН2-СН-NН2Sі(СНзСН 2 О) 3 та димети ланілін при ча ли п о з а твер ді нн ю нанесеного шару товщинаступни х співвідно шення х компонентів, мас.%: ною 1-3мкм між склом та керамікою і встановленa, v -бис-диметакрилат-діням моменту відсутності зсуву двох площин. діетиленглікольфталат МЛ-654 (МДФВологопоглинання затверділої плівки клею 2) -73-82 оцінювали кількістю води, що сорбується плівкою поліефірізоціануратімідна смола MM при заданій температурі, визначається в 5. 75280 -10-15 Адге з і ю п о л іме р но ї п л і вк и до к ер ам іки g -амінопропілтриетоксісилан (АГМ-9) -2 -4 ви з н а ча ли ме то дом нормального відриву - меметиловий ефір бензоїну -2 -3 тод грибків [ГОС Т 14760-69]. Розрив здійснювали диметиланілін -4 -5 на розривній машині. Включення до складу фотоклею мономеру Теплостійкість плівки фотоклею оцінювали амінопропілтриетоксісилану АГ М-9 приводить до величиною відносної де формації (%) за термомезначного підвищення світлочутли вості. Спостеріханічними кривими при температурі 200°С. гається зменшення індукційного періоду при Ме то дика визначення хімічно ї стійкості по опроміненні шару фотоклею, що обумовлено лімеризовано ї плівки фотоклею включає виготозменшенням інгібуючої ді ї кисню повітря за рахувлення зразків мікросхем та витримку їх в різних нок комплексоутворення з амінними групами АГМхімічних середови ща х у вибраному режимі. Стій9. Окрім сказаного АГМ-9 може виступати як пінокість фотоклею до дії ци х середови щ оцінюють гасник та деаератор. відносною зміною ваги зразка після витримки До слі дже нн ям и вста но вле н о , що п і д ійого у відповідному агресивному середовищі пробр а н е спі вві дн о ше н ня компонентів АГ М-9 та тягом 1год. і виражають у %. МДФ-2 забезпечує високу теплостійкість полімеЕкспериментально встановлено, що зміна ваги ру при 200°С, водостійкість, адгезію до керамічплівки до 1% відповідає достатній хімстійкості поної основи, хімічн у стійкість у во дн и х роз чин а х лімеру; при значеннях більше 1% - спостерігаєтьа зо тно ї, сір чано ї, фо сфо рн о ї, ща вле во ї к и сся руйнування клейової плівки, зрушення адгезійло ти , лугостійкість. ного контакту повер хонь, що поєднуються Включення до складу композиції диметилафотоклеєм. міну також забезпечує утворення міцної клейової Прийнята наступна система оцінки стійкості плівки, що є стійкою до дії вологи . плівки: В якості підкладки використовують кераміку до 1% - до бра (д); "Полікор" і "Сапфір". Нанесення фотоклею на підвід 1 до 2% - задовільна (з); кладку здійснюють трафаретним способом друку. більше 2% - погана (п). Нанесений трафаретним способом фотоклей Конкретні склади композиції в порівнянні з залишається в потрібних м і сця х і ма є по тр ібн у композицією прототипу та результати визначення п ло щу та к он фі гура ці ю для кожн о го кр иста лу основних показників фотоклею наведені в табгібридної мікросхеми, отримують однорідний відлиці. биток товщиною 1-3мкм. Наведе ні дані показують, що високі експлуПісля переносу кристалів на підкладку здійсатаці йні показники за бе зпе чують к омпоз и ці ї 2нюють їх закріплення. Закріплення здійснюється в 4 , також вон и є н ай бі ль ш чутли ві до фотоакрезультаті експонування через підкладку, що є тинічного опромінення (зменшений час експонупрозорою для УФ-сві тла . З цією ме тою викоривання). Таким чином досягається значне підвистовують експон уючий пристрій типу 830-03 фіщення показників адгезії, тепло-, вологостійкості (в порівнянні з прототипом). 5 21585 6 Таблиця a, v a, v бисдиметакрилат-ді№ діеп/п тиленглікольфталат МДФ2 1 2 82 3 77,5 4 73 5 65 6 88 Показники Поліе фірізоціану ра тімідна смола Амінопро-пілтрието-ксісилан АГМ-9 по прототипу 10 2 12,5 3 15 4 20 5,0 7 1,0 Метилов ий е фір Бензоїну Д и-метиланілін 2 2,5 3 4,0 1,0 4 4,5 5 6,0 3,0 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело Хі мічна стійкість Час екс понув ання, с Теп- лостійкість при 200°С,% Аджезія, 2 кг/см Кое фіцієнт в олого поглинання, % 140 20 15 22 110 80 -9,5 2,3 1,70 1,9 12,8 -18,4 20 36 48 53 15 22 24 2,0 1,4 1,6 12,4 5,8 Підписне 10% роз-чин азотної кислоти 10% розчин сірчаної кислоти 10% розчин фосфорної кислоти Щав лев а кислота з д д д д д п д д д з з п д д д 3 п п д д д д з 10% 10% розроз-чин чин NaOH КОН п д д д з п Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 п д д д з п
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPhotoglue to fix the semiconductor crystals in hybrid microcircuits
Автори англійськоюHranchak Vasyl Mykhailovych, Sysiuk Valentyna Hryhorivna, Klochai Oksana Ivanivna, Kuchmii Stepan Yaroslavovych
Назва патенту російськоюФотоклей для крепления полупроводниковых кристаллов в гибридных микросхемах
Автори російськоюГранчак Василий Михайлович, Сысюк Валентина Григорьевна, Клочай Оксана Ивановна, Кучмий Степан Ярославович
МПК / Мітки
МПК: G03F 7/033, C09D 131/00
Мітки: кристалів, гібридних, фотоклей, кріплення, мікросхемах, напівпровідникових
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-21585-fotoklejj-dlya-kriplennya-napivprovidnikovikh-kristaliv-v-gibridnikh-mikroskhemakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Фотоклей для кріплення напівпровідникових кристалів в гібридних мікросхемах</a>
Попередній патент: Пристрій для контролю технічного стану коліс електропоїзда
Наступний патент: Процес хірургічного лікування ахалазії кардії
Випадковий патент: Інтегрована система пошуку, наведення, стабілізації та керування вогнем "триада-бт"