Патенти з міткою «селеніду»
Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром
Номер патенту: 51766
Опубліковано: 16.12.2002
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович
МПК: C30B 29/46, C30B 29/48
Мітки: спосіб, цинку, активованого, селеніду, телуром, сцинтилятора, основі, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...
Спосіб очистки селеніду цинку
Номер патенту: 29057
Опубліковано: 16.10.2000
Автор: Зінченко Віктор Федосійович
МПК: C03C 3/32
Мітки: селеніду, спосіб, очистки, цинку
Формула / Реферат:
Спосіб очистки селеніду цинку шляхом обробки його галогеновою сполукою при підвищеній температурі, який відрізняється тим, що як галогенову сполуку використовують вісмут фториду, а процес ведуть у II стадії, на І з яких суміш селеніду цинку і бісмуту фториду нагрівають у інертній атмосфері при 530-550°С протягом 30-60 хвилин, а на ІІ-оброблену таким чином суміш нагрівають у вакуумі при 830-850°С протягом 10-20 хвилин.
Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром
Номер патенту: 26697
Опубліковано: 12.11.1999
Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Галкін Сергій Миколайович, Носачов Борис Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович
МПК: C30B 29/48, C30B 33/00
Мітки: селеніду, сировини, одержання, телуром, термообробки, кристалів, активованій, спосіб, цинку
Текст:
...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...
Споіб просвітлення оптичних елементів із селеніду цинку
Номер патенту: 16719
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Кривошеін Валентин Миколайович, Комарь Володимир Корнійович, Росторгуєва Валерія Юріївна
МПК: C03C 23/00, G02B 1/10
Мітки: просвітлення, споіб, оптичних, селеніду, елементів, цинку
Формула / Реферат:
Способ просветления оптических элементов из селенида цинка путем отжига в 'воздушной атмосфере при 490-510°С и охлаждения до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм, отжиг ведут с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм и плотностью 0,05-1 Вт/см в течение 5-60 мин.
Спосіб одержання кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16678
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Бороденко Юрій Афанасійович, Носачев Борис Григорович, Кухтіна Ніна Миколаївна
МПК: C30B 29/48, C30B 11/02
Мітки: спосіб, кристалів, цинку, селеніду, одержання
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную направленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кислотой, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...
Спосіб одержання оптично прозорих кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16736
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович
МПК: C30B 33/00, C30B 29/48
Мітки: селеніду, спосіб, прозорих, кристалів, цинку, одержання, оптично
Формула / Реферат:
Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их нагрев в печи, отличающийся тем, что, с целью снижения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последовательно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, причем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...
Спосіб одержання кристалів селениду цинку
Номер патенту: 16716
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кулик Валерій Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Мітки: спосіб, селеніду, одержання, кристалів, цинку
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в условиях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизационное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...
Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку
Номер патенту: 16735
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна
МПК: C30B 29/48, C30B 33/02
Мітки: обробки, кристалічних, основі, селеніду, цинку, спосіб, елементів
Формула / Реферат:
Способ обработки кристаллических элементов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности элементов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке водорода в течение 3-10 ч для элементов с исходным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослабления л < 0.7 см' и с добавлением в...
Спосіб одержання кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16677
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Мітки: цинку, одержання, спосіб, кристалів, селеніду
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий сплавление исходных компонентов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элементов, исходный селенид цинка предварительно очищают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...
Спосіб термообробки оптичних елементів із селеніду цинку
Номер патенту: 16710
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Файнер Михайло Шайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович
МПК: C30B 29/46, C30B 33/02
Мітки: селеніду, термообробки, спосіб, елементів, оптичних, цинку
Формула / Реферат:
Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области, термообработку проводят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.