Патенти з міткою «селеніду»

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: селеніду, телуром, сцинтилятора, активованого, основі, одержання, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 29057

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Зінченко Віктор Федосійович

МПК: C03C 3/32

Мітки: очистки, селеніду, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки селеніду цинку шляхом обробки його галогеновою сполукою при підвищеній температурі, який відрізняється тим, що як галогенову сполуку використовують вісмут фториду, а процес ведуть у II стадії, на І з яких суміш селеніду цинку і бісмуту фториду нагрівають у інертній атмосфері при 530-550°С протягом 30-60 хвилин, а на ІІ-оброблену таким чином суміш нагрівають у вакуумі при 830-850°С протягом 10-20 хвилин.

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Лисецька Олена Костянтинівна, Носачов Борис Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: кристалів, термообробки, телуром, спосіб, сировини, селеніду, одержання, активованій, цинку

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 16719

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Росторгуєва Валерія Юріївна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Володимир Корнійович, Кривошеін Валентин Миколайович

МПК: C03C 23/00, G02B 1/10

Мітки: цинку, просвітлення, елементів, оптичних, селеніду, споіб

Формула / Реферат:

Способ просветления оптических элементов из селенида цинка путем отжига в 'воздушной ат­мосфере при 490-510°С и охлаждения до комнат­ной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм, отжиг ведут с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм и плотностью 0,05-1 Вт/см в течение 5-60 мин.

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Кухтіна Ніна Миколаївна, Носачев Борис Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: селеніду, одержання, спосіб, кристалів, цинку

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, оптично, кристалів, одержання, прозорих

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 16716

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: кристалів, селеніду, одержання, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в услови­ях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизаци­онное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: цинку, селеніду, елементів, основі, кристалічних, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Номер патенту: 16677

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: цинку, селеніду, спосіб, кристалів, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий сплавление исходных компонен­тов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте темпе­ратур, отличающийся тем, что, с целью улучше­ния оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элемен­тов, исходный селенид цинка предварительно очи­щают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Файнер Михайло Шайович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: цинку, оптичних, термообробки, спосіб, селеніду, елементів

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.