Спосіб виготовлення електронагріваючих приладів

Номер патенту: 65232

Опубліковано: 25.11.2011

Автор: Іванов Сергій Костянтинович

МПК: F21S 8/00

Мітки: приладів, світлодіодних, виготовлення, освітлювальних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення світлодіодних освітлювальних приладів, який включає підбір спорядженого світлопрозорим захисним екраном електроізольованого корпусу, розташування у корпусі монтажної панелі з світлодіодами та монтаж групи світлодіодів, а також розміщення струмопроводів до стабілізованого джерела живлення, який відрізняється тим, що за формою розташування в монтажній панелі кожнийокремий світлодіод розміщують на відстані один від одного...

Номер патенту: 11373

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бідник Дмитро Ілліч, Лабунов Володимир Архипович, Казінов Володимир Олександрович, Лазарук Сергій Костянтинович, Гуменюк Степан Дмитрович, Баранов Ігор Ліверійович, Ілюк Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/28

Мітки: приладів, інтегральних, напівпровідникових, мікросхем, виготовлення, металізації, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлизации полу­проводниковых приборов и интегральных микро­схем, включающий осаждение на полупро­водниковую пластину пленки алюминия, нанесе­ние слоя фоторезиста и формирование в нем кон­фигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разде­лительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных пло­щадок,...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/22

Мітки: областями, спосіб, приладів, напівпровідникових, виготовлення, кристалів, відокремлюючими, кремнієвих

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Віталій Вікторович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/225, H01L 21/306

Мітки: приладів, напівпровідникових, силових, виготовлення, кільцем, охоронним, спосіб, дифузійним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Номер патенту: 81588

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Пуд Олександр Аркадієвич, Дімітрієв Олег Петрович, Огурцов Микола Олександрович, Смертенко Петро Семенович

МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00

Мітки: м'якої, приладів, притискного, омічного, поверхні, спосіб, контакту, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...