Патенти з міткою «кристалічних»
Спосіб визначення внеску окремого типу розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони кристалічних твердих розчинів
Номер патенту: 87498
Опубліковано: 27.07.2009
Автор: Студеняк Ігор Петрович
МПК: G01N 21/59, G01N 25/00, H01L 21/66 ...
Мітки: розупорядкування, спосіб, розчинів, внеску, ширину, зони, окремого, оптичну, забороненої, визначення, кристалічних, твердих, типу
Формула / Реферат:
Спосіб визначення внеску окремого типу розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони кристалічних твердих розчинів, який включає експериментальне визначення внесків температурного та структурного розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих розчинів, визначення за результатами температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих розчинів оптичної ширини...
Застосування способу подрібнення кристалічних гірських порід енергією вибуху для індикації нелінійних магнітних сигналів від глибинних джерел літосфери
Номер патенту: 21927
Опубліковано: 10.04.2007
Автори: Чепурний Володимир Іванович, Мантула Юрій Макарович
Мітки: магнітних, гірських, нелінійних, індикації, енергією, застосування, способу, кристалічних, вибуху, подрібнення, порід, глибинних, літосфери, сигналів, джерел
Формула / Реферат:
Застосування способу подрібнення кристалічних гірських порід енергією вибуху для індикації нелінійних магнітних сигналів від глибинних джерел літосфери.
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 77464
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Мигаль Валерій Павлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович
МПК: G01N 21/63, G01J 1/10
Мітки: спосіб, матеріалах, визначення, центрів, фотоактивних, кристалічних
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...
Пристрій та спосіб групового вирощування профільованих кристалічних виробів з внутрішньою порожниною
Номер патенту: 76573
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Євгеній Петрович
МПК: C30B 35/00, C30B 15/34
Мітки: спосіб, порожниною, групового, пристрій, виробів, внутрішньою, профільованих, вирощування, кристалічних
Формула / Реферат:
1. Пристрій для групового вирощування профільованих кристалічних виробів з внутрішньою порожниною, що містить тигель з розміщеним в ньому пучком капілярів і встановлений на його верхньому торці формоутворювач, який відрізняється тим, що формоутворювач має дві зв'язані формоутворюючі поверхні, розташовані під кутом одна до одної, причому поверхня для вирощування бічної частини виробу розташована горизонтально, а кут нахилу до неї...
Спосіб спорудження стволів в міцних кристалічних породах
Номер патенту: 14898
Опубліковано: 15.06.2006
Автор: Жмуденко Олександр Сергійович
МПК: E21D 1/00
Мітки: стволів, породах, спорудження, кристалічних, міцних, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб спорудження стволів в міцних кристалічних породах, який включає проходку ствола прямокутної форми перерізу без кріплення, крім технологічної частини, та армування, який відрізняється тим, що виконують блочну вибірку породи з проходкою випереджувальної траншейної виробки з суцільним буропідривним руйнуванням з контурним відбиванням блоків і відколу в випереджувальній траншейній виробці.2. Спосіб за п. 1, який...
Спосіб еліпсометричного контролю якості поверхні кристалічних підкладок
Номер патенту: 68913
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович
Мітки: спосіб, еліпсометричного, поверхні, якості, підкладок, контролю, кристалічних
Формула / Реферат:
Спосіб еліпсометричного контролю якості полірування кристалічних підкладок, який полягає в тому, що установлюють кут падіння світла та азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра, вимірюють еліпсометричні параметри порівнянням з еталоном, який відрізняється тим, що для еталона установлюють кут падіння світла, що дорівнює куту Брюстера даного матеріалу, а азимут поляризатора та аналізатора еліпсометра установлюють під кутом 90°, потім...
Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 66107
Опубліковано: 15.04.2004
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколаєвич, Абашин Сергій Леонідович, Сулима Сергій Віталійович, Мигаль Валерій Павлович
МПК: G01N 13/10
Мітки: фотоактивних, центрів, кристалічних, матеріалах, визначення, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективних діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині, який відрізняється тим, що вимірювання послідовно виконують при поверхневій та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку та його збудження, граничні довжини хвиль
Спосіб акустичної обробки п’єзоелектричних кристалічних матеріалів
Номер патенту: 62757
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Фомін Олександр Сергійович, Клименко Ігор Андрійович, Мигаль Валерій Павлович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович
МПК: H01L 21/00, H01L 21/263
Мітки: п'єзоелектричних, акустичної, матеріалів, кристалічних, спосіб, обробки
Формула / Реферат:
Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом послідовного збудження найбільш нестабільних власних пружних коливань та вимірювання при цьому їх частоти, амплітуди та стабільності в часі, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку збуджують високочастотні власні пружні коливання, які промодульовані прямокутними імпульсами при одночасному монохроматичному підсвічуванні з області максимуму домішкової...
Кристалічна форма n-(4-трифторметилфеніл)-5-метилізоксазол-4-карбоксаміду та спосіб одержання кристалічних форм
Номер патенту: 54411
Опубліковано: 17.03.2003
Автори: Хедтманн Удо, Фааш Хольгер, Вестенфельдер Уве, Паулус Еріх
МПК: A61P 1/00, A61K 31/42, A61P 11/00 ...
Мітки: одержання, кристалічних, форма, n-(4-трифторметилфеніл)-5-метилізоксазол-4-карбоксаміду, спосіб, форм, кристалічна
Формула / Реферат:
1. Кристалічна форма 2 сполуки формули І (І),яка на діаграмі рентгенівського структурного аналізу на пропускання з фокусуючим ходом променів Дібай-Шеррер (Debye-Scherrer) та Сu--випромінюванням має лінії при таких кутах дифракції 2тета (°): лінії великої інтенсивності: ...
Спосіб синтезу кристалічних матеріалів, переважно оксидних
Номер патенту: 31415
Опубліковано: 17.06.2002
Автори: Климович Андрій Профирович, Гурін Володимир Григорович, Куц Віктор Олексійович, Свято Василь Петрович, Бархоленко Вячеслав Олександрович, Малоштан Сергій Миколайович, Смоляр Анатолій Сергійович, Архіпов Олександр Петрович, Развадовський Микола Альозійович
МПК: C01B 13/14, C30B 28/00, C30B 29/16 ...
Мітки: кристалічних, спосіб, матеріалів, оксидних, переважно, синтезу
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу кристалічних матеріалів, переважно оксидних, згідно з яким вихідну шихту розміщують у газовому середовищі при надкритичних значеннях тиску і температури, який відрізняється тим, що використовують газове середовище з щільністю не менш 0,4 значення щільності цього середовища у рідкому стані.
Пристрій для отримання аерозолів із кристалічних речовин
Номер патенту: 44466
Опубліковано: 15.02.2002
Автор: Зяблов Валерій Григорович
МПК: B05B 17/00
Мітки: аерозолів, речовин, пристрій, кристалічних, отримання
Формула / Реферат:
1. Пристрій для отримання аерозолів із кристалічних речовин, що містить основний та допоміжний вентилятори, основний та допоміжний повітропостачальники, млин з кришкою, яка має засувку, відсік з кришкою для розміщення млина, підігрівач, розташований на допоміжному повітропостачальнику, який з'єднаний з робочою зоною млина, фільтр-електризатор, вихідний патрубок з розташованими на ньому на діелектричних опорах сіткою-екраном у вигляді конічної...
Спосіб визначення залишкових напружень в кристалічних матеріалах
Номер патенту: 40763
Опубліковано: 15.08.2001
Автори: Клименко Ігор Андрійович, Чугай Олег Миколаєвич, Мигаль Валерій Павлович
МПК: G01N 21/21, G01L 1/06, G01B 11/16 ...
Мітки: залишкових, кристалічних, визначення, напружень, спосіб, матеріалах
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення залишкових напружень в кристалічних матеріалах шляхом оптико-поляризаційних вимірювань в кристалічних зразках, який відрізняється тим, що в зразках правильної геометричної форми збуджують низькочастотні сильні власні коливання, вимірюючи при цьому їх частоти і амплітуди, та фотографують їх оптико-поляризаційні голограми і вимірюють локальний зсув нейтральних вузлових .ліній на голограмах, який пропорційний величині...
Спосіб акустичної обробки п’єзоелектричних кристалічних матеріалів
Номер патенту: 40800
Опубліковано: 15.08.2001
Автори: Клименко Ігор Андрійович, Мигаль Валерій Павлович
МПК: H01L 21/26, H01L 21/00
Мітки: обробки, акустичної, спосіб, кристалічних, п'єзоелектричних, матеріалів
Формула / Реферат:
1. Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом збудження акустичних коливань, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку, вміщеному в змінне електричне поле, за рахунок зворотного п'езоефекту збуджують низькочастотні власні пружні коливання, вимірюючи при цьому їх частоти, амплітуди та стабільність в часі, далі визначають сильні п'езорезонанси, швидкість зміни частоти яких з часом максимальна, і послідовно...
Спосіб одержання кристалічних цеолітних алюмосилікатів з мольним відношенням sio2/al2o3 не менше 20
Номер патенту: 26909
Опубліковано: 29.12.1999
Автори: Томе Роланд, Прешер Дітер, Шмідт Хубертус, Тіслер Арно
МПК: B01J 29/00, C01B 39/00
Мітки: кристалічних, відношенням, одержання, мольним, цеолітних, менше, алюмосилікатів, спосіб
Формула / Реферат:
(57) 1. Способ получения кристаллических цеолитных алюмосиликатов с мольным отношением SiO2/AI2O3 не менее 20, включающий перемешивание источников диоксида кремния, оксида алюминия, минеральной кислоты и зародышей кристаллизации в водной щелочной среде и гидротермальную кристаллизацию, о т л и чающийся тем, что перемешивание проводят при следующих мольных отношениях компонентов:SiO2/AS Оз = 20-60OH/SiO2 = 0,1 -...
Спосіб одержання кристалічних модифікацій купрогалогенідних пі-комплексів з алільними похідними
Номер патенту: 25450
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Михалічко Борис Миронович, Миськів Мар'ян Григорович
Мітки: купрогалогенідних, пі-комплексів, похідними, алільними, модифікацій, одержання, кристалічних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання кристалічних модифікацій купрогалогенідних p-комплексів з алільними похідними, який включає змінно-струмне електрохімічне відновлення галогеніду міді (II) до міді (I), що протікає у водно спиртовому розчині солі CuCl2 × 2H2O або CuBr2, котру беруть в кількості 0,02 - 0,1моль%, і ліганду в кількості 10 - 20% від маси розчину, який відрізняється тим, що як ліганд використовують алільні похідні, а електроліз проводять при...
Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку
Номер патенту: 16735
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович, Лисецька Олена Костянтинівна, Бороденко Юрій Афанасійович
МПК: C30B 33/02, C30B 29/48
Мітки: основі, цинку, селеніду, обробки, елементів, кристалічних, спосіб
Формула / Реферат:
Способ обработки кристаллических элементов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности элементов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке водорода в течение 3-10 ч для элементов с исходным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослабления л < 0.7 см' и с добавлением в...
Спосіб стабілізації вин проти кристалічних помутнінь
Номер патенту: 10811
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Дорофтій Віталій Іванович, Таран Микола Георгійович, Зінченко Василь Іванович
МПК: C12H 1/06
Мітки: вин, стабілізації, помутнінь, спосіб, кристалічних
Формула / Реферат:
Способ стабилизации вин против кристаллических помутнений, предусматривающий его охлаждение и фильтрацию, отличающийся тем, что часть охлажденного вина через распылитель подают в надвинное пространство, в котором одновременно создают разряжение.
Спосіб одержання кристалічних солей ацетоацетамід-n-сульфофториду
Номер патенту: 1782
Опубліковано: 25.10.1994
Автори: Дітер Ройшлинг, Адольф Линкис
МПК: B01J 27/00, B01J 27/20, A23L 1/236 ...
Мітки: спосіб, солей, кристалічних, одержання, ацетоацетамід-n-сульфофториду
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллических солей ацетоацетамид-N-сульфофторида общей формулыгде М — литий, натрий или калий, отличающийся тем, что дикетен формулыподвергают взаимодействию с аминосульфоф-торидом формулы H2NSO2F и с карбонатом или бикарбонатом лития или натрия, или калия в среде ацетона, или ацетонитрила, или диметилформа-мида при температуре от—10 до 0 °С в течение 15—90 мин, а затем при 30—50 °C в течение...