Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 42618

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Сушко Володимир Георгійович, Теселько Петро Олексійович, Новиков Микола Миколайович, Ременюк Петро Іванович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів, що полягає в реєстрації рентгенівської дифрактограми та визначенні ступеня досконалості кристала з відношення інтенсивностей розсіяння променів, який відрізняється тим, що від поверхні досліджуваного кристала записують трикристальну рентгенівську дифрактограму по методу Брегга в області кута повороту зразка a, при якому роздільно спостерігають дифузний та головний максимуми інтенсивності і реєструють пікові значення дифузного ID та головного IM максимумів інтенсивності, встановлюють співвідношення між ними і при відношенні ID/IM@0 кристали оцінюють як структурно досконалі, при відношенні ID/IM>1 - як сильно порушені, а при відношенні 0<ID/IM<1 - як реальні ретельно виготовлені.

Текст

Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів, що полягає в реєстрації рентгенівської дифрактограми та визначенні ступеню досконалості кристалу з відношення інтенсивностей розсіяння променів, який відрізняється тим, що від поверхні досліджуваного кристала записують трикристальну рентгенівську дифрактограму по методу Брегга в області кута повороту зразка а, при якому роздільно спостерігають дифузний та головний максимуми інтенсивності і реєструють ПІКОВІ значення дифузного Ь та головного їм максимумів інтенсивності, встановлюють співвідношення між ними і при відношенні l D /l M =0 кристали оцінюють як структурно досконалі, при Ь/Ім>1 кристали оцінюють як сильно порушені, а при 0100 сильно порушена поверхня, полірування пастою АСМ-10/14 на склі Кристали Чохральського, КДБ-2,0, хімічне полірування з видаленням шару товщиною ЗО мкм, (2,0-3,0)±0,1 відпалені при 1100°С 5-10 год Кристали Чохральського, КДБ-2,0, хімічне полірування з видаленням шару товщиною ЗО мкм,

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for integrally analyzing perfection of crystal structure of material

Автори англійською

Novykov Mykola Mykolaiovych, Teselko Petro Oleksiiovych, Sushko Volodymyr Heorhiiovych

Назва патенту російською

Способ комплексной оценки совершенства кристаллической структуры материала

Автори російською

Новиков Николай Николаевич, Теселько Петр Алексеевич, Сушко Владимир Георгиевич

МПК / Мітки

МПК: G01N 23/20

Мітки: структурної, спосіб, досконалості, інтегральної, кристалів, оцінки

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-42618-sposib-integralno-ocinki-strukturno-doskonalosti-kristaliv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб інтегральної оцінки структурної досконалості кристалів</a>

Подібні патенти