Патенти з міткою «схемі»

Номер патенту: 13110

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Азаров Олексій Дмитрович, Захарченко Сергій Михайлович, Лукащук Олександр Олександрович

МПК: G05B 1/00, H03K 5/22

Мітки: вхідний, пристрій, струмів, схемі, порівняння

Формула / Реферат:

Вхідний пристрій схеми порівняння струмів, який містить перший та другий вхідні транзистори, шину додатного живлення, шину від'ємного живлення, шину нульового потенціалу, двадцять два транзистори, перший та другий вихідні транзистори, три резистори, шину входу, шину виходу, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого і другого вхідних транзисторів, а їх бази - з колекторами та базами першого і другого транзисторів, емітери першого і...

Номер патенту: 9454

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Нагорний Олександр Вікторович, Огородник Игорь Стефанович, Мокін Андрій Олександрович, Аксьоненко Олександр Володимирович, Мокін Олександр Васильович, Пуртов Анатолій Олександрович

МПК: B64G 1/00, F42B 15/00

Мітки: ракета-носій, схемі, пакетної

Формула / Реферат:

1. Ракета-носій "пакетної" схеми, що містить центральний блок і периферійні блоки, які складаються з корпусів рушійних установок та носових частин конічної форми з вузлами кріплення, яка відрізняється тим, що вузол кріплення кожного периферійного блока виконаний у вигляді вузла повороту, вісь якого перпендикулярна поздовжній осі периферійного блока і розташована з протилежного боку від центрального блока, а між основою носової...

Номер патенту: 58516

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Хубер Міхаель, Штампка Петер, Удо Детлеф

МПК: G06K 19/077, H01L 21/60

Мітки: схемі, застосування, інтегральної, напівпровідниковий, картка, кристалом, кристал, картці, вмонтованим

Формула / Реферат:

1. Картка із вмонтованим кристалом інтегральної схеми (IC), із тілом картки і множиною виконаних з електропровідного матеріалу контактних площадок, які електрично з'єднані з контактними виводами, що  відповідають електронній схемі, виконаній на напівпровідниковій підкладці напівпровідникового кристала IC, яка відрізняється тим, що контактні площадки виготовлені у вигляді структурованого покриття на оберненій до електронної схеми головній...

Номер патенту: 57704

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Удо Детлеф, Кіршбауер Йозеф, Штампка Петер, Нідерле Хрістл, Штекхан Ханс-Хіннерк

МПК: H01L 23/28, G06K 19/073, G06K 19/077 ...

Мітки: оболонка, схемі, інтегральної, кристала

Формула / Реферат:

1. Оболонка кристала інтегральної схеми (ІC) для повного або часткового захисту електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристала ІC, яка відрізняється тим, що вона містить активатор, при активуванні якого звільнюється речовина, яка здатна повністю або частково зруйнувати електричні, електронні, оптоелектронні і/або електромеханічні компоненти кристала ІC, і який активується при спробі видалити з кристала...

Номер патенту: 57006

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Хубер Міхаель, Штампка Петер

МПК: H01L 23/12, G06K 19/077, H01L 23/48 ...

Мітки: модуль, інтегральної, схемі

Формула / Реферат:

1. Модуль інтегральної схеми, який містить множину оснащених на передній стороні контактними площадками (3), електрично ізольованих один від одного контактних елементів (4) і виготовлених з електропровідного матеріалу контактним шаром (2), із напівпровідниковим кристалом (7) із розташованими на головній поверхні (5) напівпровідникового кристала (7) виводами кристала, які через гнучкі дротові виводи (6), що мають максимальну монтажну довжину,...

Номер патенту: 57154

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Седлак Хольгер, Райнер Роберт

МПК: G06F 1/00, G06F 12/14, G06F 21/00 ...

Мітки: інтегральної, дію, керована, тактовим, спосіб, напівпровідникова, керованої, приведення, схема, варіанти, напівпровідникової, сигналом, схемі, інтегральна

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова інтегральна схема, що містить певну кількість керованих тактовим сигналом (СІint), здатних виконувати операції як паралельно, так і послідовно, функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), яка відрізняється тим, що вихід схеми формування тактового сигналу (СІint) через керовані перемикальні пристрої (МР1, МР2, МР3, МР4) з'єднаний з тактовими входами функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), керуючі входи перемикальних пристроїв...

Номер патенту: 55416

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Уілкош Стівен Дж., Сенечел Раймонд Р.

МПК: G05B 23/02, G05B 9/03

Мітки: схемі, ідентифікації, логічної, логічного, стану, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб ідентифікації логічного стану логічної схеми з множиною вузлових точок, кожна з яких має двійковий стан або «одиниці» або «нуля», причому кожна множина можливих однозначних логічних станів визначається відповідним набором двійкових значень вузлової точки, який відрізняється тим, що присвоюють однозначне двійкове розрядне значення кожній вузловій точці; підсумовують десяткове значення, що відповідає присвоєному двійковому...

Номер патенту: 46076

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Овшінскій Стенфорд Р., Вікєр Гай К.

МПК: H03K 19/20, H03K 19/00

Мітки: схемі, інтегральні, плоским, екраном, дисплеїв, елементи, халькогенідні, формувачів, застосовують, логічні

Формула / Реферат:

1. Схема, що виконує логічну операцію, яка включає: принаймні один логічний елемент, де кожен з таких логічних елементів включає:перший халькогенідний пороговий перемикач, з'єднаний одним кінцем з точкою активації і іншим кінцем з другим халькогенідним пороговим перемикачем;принаймні один вхідний резистор, і кожен такий вхідний резистор увімкнено одним кінцем між першим та другим пороговими перемикачами, а другим кінцем з'єднано...

Номер патенту: 42048

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Ханнеберг Армін, Темпель Георг

МПК: H03K 17/693, H03K 17/10, G11C 16/06 ...

Мітки: включення, напруг, мон-пристрій, схемі, напівпровідниковий, інтегральній, високих

Формула / Реферат:

1. МОН-пристрій включення високих напруг на  напівпровідниковій інтегральній схемі, який відрізняється тим, що він містить перший транзистор, що розташований послідовно з другим транзистором між першим виводом для позитивних напруг і другим виводом для високої негативної напруги, третій транзистор, що розташований послідовно з четвертим транзистором між першим виводом та другим виводом, причому перший і третій транзистори з'єднані...

Номер патенту: 26711

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Маніке Ульріх, Кнебель Міхаель, Стіава Ральф

МПК: H04M 3/02

Мітки: пристрій, відключення, напруги, електронний, абонентській, схемі, виклику

Формула / Реферат:

1. Устройство отключения напряжения вызова в электронной абонентской схеме, содержащее схему опознавания тока с подключенным фильтром нижних частот и первый компаратор для опознавания тока шлейфа и образования сигнала шлейфа, отличающееся тем, что к цепи из фильтра нижних частот и первого компаратора подключена цепь из второго компаратора, стробирующей схемы и бистабильной схемы, причем фильтр нижних частот, стробирующая схема и бистабильная...

Номер патенту: 11380

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Білоган Ярослав Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Гнип Микола Дмитрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: алюмінієвою, схемі, спосіб, створення, металізацією, захисту, поверхні, інтегральної

Формула / Реферат:

Способ создания защиты поверхности инте­гральной схемы с алюминиевой металлизацией, включающий последовательное формирование на поверхности интегральной схемы пленки фосфоросиликатного стекла и нанесение пленки нитрида кремния магнетронним распылением кремния в среде азота, отличающийся тем, что с целью повы­шения выхода годных и надежности интегральной схемы, предварительно на алюминиевой металли­зации осуществляют формирование...

Номер патенту: 6454

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Благий Богдан Степанович, Василів Ярослав Олексійович, Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: вивідної, інтегральної, схемі, рамки, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления выводной рамки для интегральной схемы, включающий рихтовку ленты из железоникелевого сплава, вырубку выводной рамки из ленты, отжиг рамки в среде водорода, металлизацию траверс внешних выводов и кристаллодержателя осаждением алюминия, отличающийся тем, что перед осаждением алюминия осаждают слой редкоземельного металла толщиной не менее 100А или при распылении алюминий легируют редкоземельным металлом в пределах 1-3...

Номер патенту: 3856

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Василів Ярослав Олексійович, Шретер Валерій Георгійович, Кульов Володимир Іванович, Бірковий Юрій Леонідович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: схемі, інтегральної, корпус

Формула / Реферат:

Корпус для интегральной схемы, содержащий выводную рамку из железоникелевого сплава, кристаллодержатель, алюминиевое основание и крышку, отличающийся тем, что на поверхности кристаллодержателя и внутренних траверс выводной рамки выполнена локальная металлизация из алюминия легированного редкоземельным металлом или из первого слоя редкоземельного металла и слоя алюминия, при этом на лицевой стороне основания нанесена пленка карбида...

Номер патенту: 3923

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H01L 21/70

Мітки: термострумового, інтегральної, спосіб, тренування, схемі

Формула / Реферат:

1. Способ термотоковой тренировки интегральной схемы, включающий нагрев интегральной схемы и подачу на нее переменного напряжения, отличающийся тем что нагрев интегральной схемы осуществляют на пластине после формирования на неї структуры металлизации при температуре 85-2500С, а переменное напряжение выбирают синусоидальное или импульсное, которое прикладывают между металлизацией на пластине и подложкой интегральное схемы.2. Способ по...

Номер патенту: 4205

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Хайнц Рембольд, Евальд Лозерт

МПК: G03C 1/74, H05K 3/00

Мітки: фоторезисту, печатної, відтулинами, нанесення, підложку, схемі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ нанесення фоторезиста на подлож­ку печатной схемы с отверстиями, основанный на поливе раствора фоторезиста в виде свободно пада­ющего потока на движущуюся подложку при ско­рости падения потока на подложку 60-160 м/мин, отличающийся тем, что, с целью повышения каче­ства покрытия и уменьшения закупорки фоторези­стом отверстий, при поливе используют раствор фоторезиста с вязкостью 500-1200 мПа·с. 2. Способ по п. 1, отличающийся...

Номер патенту: 2928

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Рябчук Олександр Пилипович, Бондаренко Людмила Петрівна

МПК: B81B 7/00

Мітки: схемі, корпус, частот, надвисоких, інтегральної, герметичний

Формула / Реферат:

Герметичный корпус для интегральной схемы СВЧ, содержащий диэлектрическую подложку, на противолежащих поверхностях которой размещены одноименные проводники внешних микрополосковых линий, образующих СВЧ выводы корпуса, и внутренних микрополосковых линий для соединения с интегральной схемой, и основание с углублением, герметично соединенное с заземляющими проводниками внешних микрополосковых линий по периметру углубления, отличающийся тем, что...

Номер патенту: 1777

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Хомін Ігор Богданович, Щербій Богдан Іванович

МПК: H01L 21/52

Мітки: спосіб, інтегральної, монтажу, схемі

Формула / Реферат:

1. Способ монтажа интегральной схемы, включающий размещение подложки на нагревательном столике, нанесение на подложку связующего в жидкой фазе, воздействие на связующее ультразвуковыми колебаниями, размещение на связующем кристалла, сжатие кристалла и подложки и отверждение связующего, отличающийся тем, что воздействие УЗ-колебаниями осуществляют со стороны нагревательного столика при нанесении связующего, которое осуществляют в течение...