G01R 31/26 — випробування окремих напівпровідникових приладів

Номер патенту: 36152

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Білоусов Сергій Михайлович, Олексенко Павло Феофанович

МПК: G01R 31/26

Мітки: визначення, активної, температури, області, світловипромінюючих, приладів, пристрій

Текст:

...причому вихід другого суматора з'єднаний з другим входом першого суматора і з першим входом шостої схеми порівняння, а вихід третього - зв'язаний із другим входом шостої схеми порівняння, вихід якої підключений до першого входу сьомої схеми порівняння, другий вхід якої з'єднаний із виходом першого суматора, а вихід є ви ходом пристрою у цілому. На фіг 1 подана схема запропонованого пристрою. Пристрій містить генератор...

Номер патенту: 33400

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Поремський Олег Віталійович, Ніколаєв Володимир Якович, Кофанов Віктор Леонідович

МПК: G01R 31/26, G01R 23/16

Мітки: спосіб, частоти, надвисокочастотних, транзисторів, виміру, граничної

Текст:

...(1) - шукана гранична частота, - частота на який проводиться вимір, - фаза коефіцієнта передачі. При вимірах, відповідно до даного методу, виникає методична похибка, обумовлена неідеаль ністю короткого замикання на виході транзистора, неточністю калібрування й установки точки зняття сигналу. Для зменшення цих похибок необхідно проведення допоміжних механічних маніпуляцій, що знижують продуктивність вимірів і утрудняють автоматизацію вимірів....

Номер патенту: 26626

Опубліковано: 11.10.1999

Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Викторівна, Горєв Микола Борисович, Уколов Олексій Тихонович, Еппель Володимир Ілліч

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: широкозонному, gaalas, транзистора, центрів, напівпровіднику, легуванням, селективним, польового, гетероструктурі, концентрації, глибоких, прямій, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...

Номер патенту: 21228

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Власюк Віталій Анатолійович, Свєчніков Сергій Васильович, Смертенко Петро Семенович, Починко Нестор Васильович, Демченко Ірина Миколаївна, Цимбал Анатолій Йосипович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, якості, польового, контролю, транзистора

Формула / Реферат:

Способ контроля качества полевого транзистора, включающий измерение вольт-амперной характеристики исток-сток, отличающийся тем. что измеряют величину дифференциального наклона вольт-амперной характеристики в двойном логарифмическом масштабе a =dlnl/dlnV при двух значениях напряжения: V1=Vp, соответствующего рабочему току Ір, и V2=Vр/n при n=2...5, и отбирают полевые транзисторы, сопоставляя параметры a1, a2, I1, I2 с эталонными, где a1 и a2,...

Номер патенту: 21194

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Смертенко Петро Семенович, Чех Михайло Борисович, Цимбал Анатолій Йосипович, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H01L 29/72, H01L 21/66, G01R 31/26 ...

Мітки: стабільності, спосіб, польового, транзистора, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля стабильности полевого транзистора, включающий измерение напряжения затвор-исток, отличающийся тем, что измеряют напряжение между затвором и истоком Uз-и при определенном напряжении между стоком и истоком Uc-м, затем пропускают прямой ток Iс через стоковый переход в течение времени t при определенном Uз-и и снова измеряют U~з-и, а о стабильности полевого транзистора судят по величине DUз-и = U~з-и – Uз-и.

Номер патенту: 12412

Опубліковано: 28.02.1997

Автор: Галенко Віктор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: придатності, спосіб, дії, контролю, дискретної, галенка, елементів

Формула / Реферат:

1. Способ контроля годности элементов диск­ретного действия, состоящий в том, что измеряют значения электрических параметров элемента и определяют их соответствие ожидаемым значени­ям, отличающийся тем, что в качестве упомяну­тых электрических параметров измеряют амплитудный и временной пороги при переключе­нии элемента из 0 в 1 и/или при переключении элемента из 1 в 0.2. Способ контроля годности элементов дискретно­го действия по п.1,...

Номер патенту: 10548

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Івахів Орест Васильович, Шигера Ігор Юрійович

МПК: G01R 31/26, H01L 29/93

Мітки: сортування, варікапів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для сортування варікапів, що містить генератор високої частоти, з'єднаний з входом керованого атенюатора, вихід якого з'єднано з першим виводом зразкового конденсатора та входом другого селективного підсилювача, вихід якого з'єднано з входом другого амплітудного детектора, зразковий конденсатор другим виводом з'єднано з першим виводом досліджуваного варікапа, другий вхід якого заземлено, і через послідовно з'єднані перший селективний...

Номер патенту: 9783

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович, Чекмезов Олександр Миколайович, Молчанов Костянтин Вікторович

МПК: G01R 31/01, G01R 31/26, G01R 31/28 ...

Мітки: ненадійних, спосіб, інтегральних, відбраковки, схем, кмон

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки ненадежных КМОП интегральных схем, включающий пропускание стабильного тока между одним из питающих выводов, объединенным с входными выводами интегральной схемы, и другим питающим выводом интегральной схемы, измерение напряжения между питающими выводами интегральной схемы, отбраковку интегральной схемы по результатам измерений, отличающийся тем, что измеряют напряжение между питающими выводами интегральной схемы при...

Номер патенту: 7149

Опубліковано: 30.06.1995

Автори: Воронцов Володимир Анатолійович, Молчанов Костянтин Вікторович, Чекмезов Олександр Миколайович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович, Остапчук Анатолій Іванович

МПК: G01R 31/26

Мітки: ненадійних, кмон, відбраковки, спосіб

Текст:

...замер пробивного напряжения (фиг. 1, где для ИС N: 1, 2 и 3 на кривых ВАХ 1, 2, 3 соответствующими пробивными напряжениями являют- 45 ся Ui\ U2' и из'). Полученные результаты сравнивают с имеющимся (для каждого типа приборов) эталонным пробивным напряжением UN. ИС со значениями пробивного наполнения меньшим U N отбраковываются 50 (например, кривая 2 на фиг. 1, где U2' < UN). На втором этапе замеряют пробивные напряжения при...

Номер патенту: 5301

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Коваленко Олег Васильович, Скрипник Юрій Олексійович, Соловйов Іван Іванович

МПК: H01H 1/00, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, відбракування, спосіб, приладів

Формула / Реферат:

Способ отбраковки полупроводниковых приборов, включающий воздействие на контролируемый прибор тренирующими электропотенциалами и импульсом греющей мощности величиной не менее 1,5 максимально допустимой рассеиваемой мощности, определение изменения параметров контролируемого прибора и сравнение этого изменения с эталонным значением, отличающийся тем, что после воздействия на контролируемый прибор импульсом греющей мощности и в процессе...

Номер патенту: 3489

Опубліковано: 27.12.1994

Автор: Ботвінік Михайло Овсійович

МПК: G01R 31/26, G11C 29/00

Мітки: спосіб, шотткі, діодами, мікросхем, контролю, логіки, транзисторно-транзисторної

Формула / Реферат:

Способ контроля микросхем транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки, включающий измерение статических параметров и проверку функционирования, отличающийся тем, что контролируют три дополнительных параметра каждого вентиля: максимальный ток нагрузки при открытом состоянии выхода при заданном уровне выходного напряжения, обеспечивающем максимальный ток базы выходного транзистора, ток утечки выхода при максимальном напряжении питания и...

Номер патенту: 2800

Опубліковано: 26.12.1994

Автор: Папуш Василь Гаврилович

МПК: G01R 31/26

Мітки: елементів, пристрій, безкорпусних, вимірювання, параметрів, контактний

Формула / Реферат:

Контактное устройство для измерения параметров бескорпусных элементов, включающее контактные элементы, отличающееся тем, что контактные элементы выполнены в виде шариков диаметром, не большим меньшей стороны контактной площадки измеряемого элемента, из электропроводящего материала с твердостью, равной или меньше твердости покрытия контактных площадок, закрепленных на концах проводников из отожженной проволоки.