H01C — Резистори

Номер патенту: 23825

Опубліковано: 11.06.2007

Автор: Ротнер Сергій Михайлович

МПК: H01C 1/02

Мітки: резистор

Формула / Реферат:

Резистор, який містить корпус, виконаний у вигляді об'ємної геометричної фігури, з кріпильним елементом, розташованим у периферійній частині корпусу, контактна поверхня якого частково виконана з керамічної підкладки, внутрішня поверхня якої містить резистивний елемент з клемами, який відрізняється тим, що ділянка контактної поверхні, яка виконана з керамічної підкладки, додатково містить шар з еластичного і теплопровідного матеріалу.

Номер патенту: 22719

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Мнухін Анатолій Григорович, Горошко Ігор Петрович, Мнухін Владислав Анатолійович

МПК: H01T 1/00, H01C 7/12

Мітки: комутаційних, обмежувач, рудниковий, нелінійний, перенапруг

Формула / Реферат:

Нелінійний рудниковий обмежувач комутаційних перенапруг, що містить підпружинену колонку варисторів, поміщену в ізоляційний корпус, закритий з обох кінців струмопровідними заглушками з отворами для виводів, який відрізняється тим, що пружину вмонтовано в струмопровідний стакан, який виконано з можливістю осьового переміщення і встановлено між заглушкою й одним з торців колонки, при цьому між заглушкою з боку пружини і стаканом встановлено...

Номер патенту: 19879

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Гончарко Володимир Семенович, Демченко Валентина Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: тонкоплівкових, виготовлення, резистивний, резисторів, матеріал

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить нікель, хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 30,00-35,00 кремній 2,0-3,0 нікель решта.

Номер патенту: 19878

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Гончарко Володимир Семенович, Демченко Валентина Андріївна

МПК: H01C 7/00

Мітки: матеріал, тонкоплівкових, резистивний, виготовлення, резисторів

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він містить зазначені речовини у вигляді чистих елементарних речовин, при наступному вмісті компонентів, мас. %: хром 25,0-28,0 кремнію решта.

Номер патенту: 19877

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Сафронов Сергій Антонович, Демченко Валентина Андріївна, Гончарко Володимир Семенович

МПК: H01C 7/00

Мітки: тонкоплівкових, резистивний, матеріал, виготовлення, резисторів

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал для виготовлення тонкоплівкових резисторів у вигляді твердого розчину, який містить хром і кремній, який відрізняється тим, що він додатково містить ванадій, при цьому зазначені речовини використовують у вигляді вільних елементів, при наступному вмісті компонентів, мас. %: ванадій 13,0-17,0 кремнію 50,00-55,00 хрому ...

Номер патенту: 19573

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович, Баганов Євген Олександрович

МПК: H01C 17/00

Мітки: спосіб, шарів, отримання, аiii, неорієнтуючій, підкладці, аморфний, полікристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких полікристалічних шарів сполук АIII BV на неорієнтуючій аморфній підкладці, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III і V групи, нагрівання структури у градієнті температури до температури розплавлення розчину-розплаву, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що застосовується аморфна підкладка з...

Номер патенту: 18157

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Максимов Володимир Миколайович, Шибаєв Володимир Олександрович, Тельніков Євгеній Якович

МПК: H01C 7/00

Мітки: резистивний, елемент, товстоплівковий

Формула / Реферат:

Товстоплівковий резистивний елемент, що містить підкладку з послідовно розміщеним на ній резистивними шаром, за який використана паста для товстоплівкових резисторів, яка містить провідну фазу з боридів та оксидів металів та склозв'язуюче, та захисним шаром, за який використана паста на основі кварцевого піску, керамічного наповнювача та скла, що кристалізована і не містить лугу, який відрізняється тим, що підкладка виконана з діелектричного...

Номер патенту: 76524

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Целлер Петер, Барлаге Ютта, Хоффарт Стефан, Ріхтер Бернхард, Шітцш Фалько

МПК: H01C 7/12, H01C 1/06, H02H 9/04 ...

Мітки: обмеження, перенапруг, пристрій, короткочасних, довготривалих

Формула / Реферат:

1. Пристрій для обмеження короткочасних або довготривалих перенапруг (U), який містить варистор (1), розвантажувальний ланцюг, що підключений до варистора (1) та містить розподільний пристрій (4), і керуючий пристрій (5) з першим входом (6) для реєстрації струму (ІV), що пропускається у варисторі (1), магнітного поля (Н) цього струму, залишкової напруги (UR), що прикладається до варистора (1), або температури (ТV), що виникає на варисторі...

Номер патенту: 16916

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Шибаєв Володимир Олександрович, Максимов Володимир Миколайович, Тельніков Євгеній Якович

МПК: H01C 7/18

Мітки: елемент, товстоплівковий, резистивний

Формула / Реферат:

Товстоплівковий резистивний елемент, що містить металеву підкладку з послідовно розміщеними на ній ізоляційним шаром , в якості якого використана паста на основі скла, що кристалізується і не містить лугу, резистивним шаром, в якості якого використана паста для товстоплівкових резисторів, що містить провідну фазу та склозв'язку, та захисний шар, в якості якого використана паста на основі скла, що кристалізується і не містить лугу, та...

Номер патенту: 60009

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Каурковська Вероніка Миколаївна, Горбик Петро Петрович, Чуйко Олексій Олексійович

МПК: A61K 38/43, A61K 36/28, A61K 31/7016 ...

Мітки: терморезистивного, оксидів, матеріалу, спосіб, ванадію, основі, виготовлення

Формула / Реферат:

Переобладнаний транспортний засіб є наземним колісним транспортним засобом, який після спеціального переобладнання переобладнується в кафе або інший подібний заклад для приймання їжі і короткочасного відпочинку. Причому переобладнання транспортного засобу відбувається, як на стадії збирання нових транспортних засобів в умовах складального цеху, заводу так і після певного періоду експлуатації транспортного засобу, наприклад на стадії...

Номер патенту: 75850

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Бондарук Артур Богданович, Гринькович Орест Степанович, ОЛІЯРНИК БОГДАН ОЛЕКСІЙОВИЧ, Іванов Володимир Іванович, Смулка Ігор Степанович, Татарінов Костянтин Костянтинович

МПК: G01B 7/30, H01C 10/00

Мітки: датчик, механізмів, вала, кутового, положення, обертання

Формула / Реферат:

1. Датчик кутового положення вала обертання механізмів, який містить корпус, в якому жорстко закріплений потенціометр, на осі якого розміщена шестірня, встановлений в опорі вихідний вал, рознім, який відрізняється тим, що вихідний вал встановлений в двох опорах, а на його кінці, що знаходиться в корпусі, жорстко закріплений плоский зубчатий сегмент зовнішнього зчеплення, зуби якого взаємодіють з зубами шестірні, по обидві сторони якої...

Номер патенту: 75288

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Башев Валерій Федорович, Брехаря Григорій Павлович, Большаков Володимир Іванович, Рябцев Сергій Іванович, Доценко Федір Федорович, Білецька Ольга Євгенівна

МПК: C21D 10/00, H01C 7/10, C22C 38/00 ...

Мітки: сплав, резисторів, одержання, спосіб, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

1. Сплав для тонкоплівкових резисторів, що містить залізо та вуглець, який відрізняється тим, що він містить залізо та вуглець у такому співвідношенні компонентів (ат.%):вуглець - 65,0 - 75,0, залізо - решта.2. Спосіб одержання сплаву для тонкоплівкових резисторів, який включає триелектродне іонно-плазмове розпилення набірних мішеней, які складаються зі статистично рівномірно розташованих квадратів чистих елементів, що...

Номер патенту: 12849

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Пучкова Надія Сергіївна, Сидорець Ростислав Григорович, Смирнов Анатолій Миколайович, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01C 17/06, C03C 14/00

Мітки: резисторів, товстоплівкових, скло

Формула / Реферат:

1. Скло для товстоплівкових резисторів, яке містить PbO, SiO2 і Ві2О3, яке відрізняється тим, що воно додатково містить CdO і Аl2О3 при наступному співвідношенні компонентів, мас %:PbO                55-65SiO2                20-30Ві2О3                1-3CdO                  4-7Аl2О3                5-10.2. Скло за п. 1, яке відрізняється тим, що після подрібнення (помелу) на планетарному млині воно...

Номер патенту: 67312

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Пімченко Юрій Петрович, Кім Єн Дар, Кошелєв Геннадій Миколайович, Злаказов Олександр Борисович, Козуб Борис Володимирович

МПК: H01C 7/12, H01T 1/00

Мітки: захисту, перенапруг, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для діагностики колісних пар рухомого складу, що містить датчик положення колеса, підключений до комп'ютера, лазерний генератор, цифрову камеру, до якої підключена оптична система, причому вихід цифрової камери приєднаний до комп'ютера, сталеву плиту, який відрізняється тим, що пристрій оснащено п'єзоелектричним перетворювачем, встановленим на сталевій плиті і з'єднаним через комутатор з кодером і високочастотним генератором, причому...

Номер патенту: 10404

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Саріков Андрій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович, Чернов Андрій Юрійович

МПК: H01C 17/00

Мітки: спосіб, тонких, шарів, ііі, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів сполук АІІІВV, що включає формування на підкладці шару насиченого розчину-розплаву шляхом термічного напилення у вакуумі елемента III групи, нагріву структури у градієнті температури до температури початку епітаксії, гомогенізацію розчину-розплаву і примусове охолодження, який відрізняється тим, що насичення розчину-розплаву здійснюють із шару термічно напиленого елемента V групи в градієнті температури,...

Номер патенту: 54789

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Адейкін Ігор Олександрович, Кошелєв Геннадій Петрович, Шумілов Юрій Миколайович, Остополець Валентин Іванович, Пімченко Юрій Петрович

МПК: H01C 7/12

Мітки: перенапруг, виготовлення, захисту, спосіб, пристрій

Формула / Реферат:

Корисна модель відноситься до вугільного машинобудування і може бути використана у вугільній промисловості, переважно для механізації очисних робіт при підземному вийманні вугілля з тонких пластів.Відомий очисний комбайн EDW-170-LN, [див. загальні види комбайна EDW-170-LN за технічною документацією фірми "Eickhoff"], що прийнятий за аналог. Комбайн містить виконавчі органи, редуктори й електродвигун.Основні вузли...

Номер патенту: 49730

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Артюх Володимир Степанович, Денисенко Віктор Романович, Браташ Віктор Олександрович

МПК: H01C 3/00

Мітки: резисторів, блок, пускогальмівних

Формула / Реферат:

Пульт керування, що містить каркас, панелі інформації і командоапаратів і панелі керування, який відрізняється тим, що поверхня пульта керування з панелями інформації і командоапаратів утворюють коритоподібний профіль з нерівними сторонами, які утворені трапеціями, з'єднаними між собою під кутами 90°<α<180°, при цьому поверхня пульта з панелями керування обмежена також коритоподібним профілем.

Номер патенту: 5339

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Готра Зенон Юрьєвич, Плотніков Федор Анатолійович, Лозинський Юрій Теодорович

МПК: H01C 10/00

Мітки: резистор, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

Тонкоплівковий резистор, що містить резистивну плівку, розміщену на діелектричній підкладці, та контактні майданчики, яка відрізняється тим, що резистивна плівка виготовлена в вигляді двох прямокутників різної площі, які накладені один на одний, причому нижня права частина одного перекриває верхню праву частину другого.

Номер патенту: 71916

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Гоффарт Штефан, Гагемайстер Міхаєль, Ріхтер Бернгард

МПК: H01C 7/12

Мітки: захисту, розрядник, перенапруг

Формула / Реферат:

1. Розрядник для захисту від перенапруг, який містить корпус, два струмопідводи, які виходять з корпусу (16, 17), і щонайменше один розташований у корпусі розрядника шайбоподібний варистор з двома передбаченими на торцевих поверхнях місцями контактування, кожне з яких знаходиться в електропровідному з'єднанні з одним з двох струмопідводів (16, 17), який відрізняється тим, що варистор містить неметалізовану активну частину (12), а також два...

Номер патенту: 3859

Опубліковано: 15.12.2004

Автор: Бергал Михайло Юхимович

МПК: H01C 3/00, H01C 17/00

Мітки: резистора, опору, спосіб, номіналу, припасовування

Формула / Реферат:

Спосіб припасовування номіналу опору резистора, що включає операції включення токових виводів резистора в розрив ланцюга навантаження, а потенційних виводів резистора у вимірювальний ланцюг, закріплення одного з потенційних виводів на резисторі на початку шляху проходження струму по ньому і зміни величини опору резистора у вимірювальному ланцюзі, який відрізняється тим, що попередньо вимірюють поточне значення струму через резистор, для цього...

Номер патенту: 67527

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Ротнер Сергій Михайлович, Нікітін Вадим Едуардович

МПК: H01C 17/00

Мітки: покриття, спосіб, отримання, резистивного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання резистивного покриття, який здійснюється шляхом плазмохімічного синтезу алмазоподібної плівки з вуглецевмісного матеріалу на підігрітій підкладці з одночасним легуванням її металом, який відрізняється тим, що синтез здійснюють при температурі підкладки 550-900°С, а отриману алмазоподібну плівку піддають двостадійному відпалюванню, причому на першій стадії відпалювання проводять при температурі синтезу, а на другій стадії...

Номер патенту: 66844

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Шмідт Вальтер

МПК: H01C 7/12

Мітки: перенапруг, захисту, розрядник

Формула / Реферат:

1. Розрядник захисту від перенапруг, що містить дві розташовані на відстані одна від одної уздовж осі струмопровідні арматури (4, 5), розташовану між обома струмопровідними арматурами (4, 5) вісесиметричну активну частину (2), яка містить встановлені стопою один на одного циліндричні варисторні елементи (12), корпус (1) для розміщення активної частини і кріплення, що містить петлі та навантажує активну частину (2) контактним зусиллям, який...

Номер патенту: 59637

Опубліковано: 15.09.2003

Автор: Шафоростов Володимир Якович

МПК: C10G 9/00, H01C 13/00

Мітки: джерело, нагрівач, світла

Формула / Реферат:

1. Джерело світла і нагрівач, який містить корпус, наприклад балон, пристрій нагрівання, наприклад електроди, спіраль чи пальник і джерело живлення, який відрізняється тим, що електроди, спіраль чи пальник поміщені в розплав рідких легкоплавких солей і лугів з частками окислів та металів, причому температура в факелі нагрівання досягає 10000°С, а у корпусі - 900°С.2. Джерело світла і нагрівач за п. 1, який відрізняється тим, що він...

Номер патенту: 59786

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Немеш Віктор Георгійович, Мітіна Наталія Євгенівна, Осєчкін Сергій Іванович, Заіченко Олександр Сергійович, Примович Михайло Антонович

МПК: H01B 1/06, H01C 7/00

Мітки: резистивний, матеріал

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал, що містить дрібнодисперсний порошок сажі і здатну до затвердіння органічну зв'язку на основі епоксидної смоли, який відрізняється тим, що додатково містить дрібнодисперсний порошок діоксиду олова, попередньо модифікований кополімером вінілацетату-2-трет-бутилперокси-2-метил-5-гексен-3-іну-бутилакрилату при співвідношенні дрібнодисперсний порошок сажі : дрібнодисперсний порошок діоксиду олова : органічна зв'язка = 15-65 :...

Номер патенту: 58687

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Самсоненко Микола Демидович, Носанов Микола Ілліч, Самсоненко Сергій Миколайович

МПК: H01C 7/10

Мітки: кераміки, виготовлення, спосіб, основі, варисторів, алмазної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення варисторів на основі алмазної кераміки, який відрізняється тим, що необхідні електричні характеристики досягаються легуванням бором з концентрацією 0,001-1,0 масових % алмазних частинок з дисперсністю зерен 1÷50 мкм в процесі їх синтезу із вуглеводнів і компактуванням у диски діаметром 3-5 мм, товщиною 3-5 мм при температурі 1773-2273 К і тиску 8,0-9,0 ГПа.

Номер патенту: 55150

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Самсоненко Микола Демидович, Самсоненко Сергій Миколайович, Носанов Микола Ілліч

МПК: H01C 7/00

Мітки: виготовлення, дрібних, алмазів, спосіб, варисторів, основі, природних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення варисторів на основі дрібних природних алмазів, який відрізняється тим, що варистори виготовляють із порошку дрібних природних алмазів дисперсністю 10-20 мкм без будь-якої попередньої ообробки і без зв'язуючої речовини, пресують у диски при кімнатній температурі і тиску 6 ГПа, а потім при цьому тиску обпікають їх при температурі 1773 К.

Номер патенту: 50899

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: В'юнов Олег Іванович, Білоус Анатолій Григорович, Коваленко Леонід Леонідович

МПК: H01C 7/02

Мітки: матеріал, позисторний, керамічний

Формула / Реферат:

Позисторний керамічний матеріал, що включає BaCO3, TiO2, Y2O3, взятих у співвідношенні відповідно формули (Ba1-xYx)TiyO3 (0,001<x<0,005), який відрізняється тим, що містить додатково A1N, BN при такому співвідношенні компонентів, мол.%: BaCO3 45,93-48,63 TiO2 48,0-49,8 Y2O3 0,02-0,12 A1N 0,1-2,0 ...

Номер патенту: 49069

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Стадник Юрій Володимирович, Гореленко Юрій Кирилович, Ткачук Андрій Володимирович, Бодак Оксана Іванівна

МПК: H01C 7/00, C22C 22/00

Мітки: матеріал, резистивний

Формула / Реферат:

Резистивний матеріал у вигляді сплаву титану, марганцю, який відрізняється тим, що додатково містить олово при наступному співвідношенні компонентів (мас.%)титан                      6,810,3 марганець           47,250,9 олово                     решта.

Номер патенту: 49335

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: В'юнов Олег Іванович, Коваленко Леонід Леонідович, Янчевський Олег Зігмонтович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01C 7/02, C04B 35/468, C04B 35/46 ...

Мітки: барію, матеріал, керамічний, позисторний, основі, титанату

Формула / Реферат:

Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, що включає ВаСО3, СаСО3, SrСО3, Y2О3 та ТіО2 кваліфікації "особливо чисті", взяті у співвідношенні відповідно до формули (Ва1-x-y-y'СаySrу'Yх)ТіО3 (0.002<х<0.006; 0.05y0.15; 0.05

Номер патенту: 47534

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Ваків Микола Михайлович, Кравців Микола Михайлович, Шпотюк Олег Йосипович, Ковальський Андрій Павлович, Гадзаман Іван Васильович, Мруз Оксана Ярославівна

МПК: C04B 35/00, C04B 35/01, H01C 7/04 ...

Мітки: терморезистивний, матеріал

Формула / Реферат:

Терморезистивний матеріал, що містить в складі катіони трьох металів Cu, Mn, Ni,  який відрізняється тим, що в його склад введені катіони четвертого металу Co, синтезований твердий розчин із структурою кубічної шпінелі має склад CuxNi1-x-yCo2yMn2-yO4, де ; ,  при цьому терморезистивний матеріал є...

Номер патенту: 45352

Опубліковано: 15.04.2002

Автор: Подоляк Сергій Юрійович

МПК: H01B 7/30, H01C 1/02, H01H 1/00 ...

Мітки: струмопровідного, спосіб, виконання, елемента

Формула / Реферат:

Номер патенту: 43403

Опубліковано: 17.12.2001

Автори: Денкс Імре Дж., Севейдж Френк У.

МПК: H01C 7/02

Мітки: становить, леткого, вузла, поповнювальний, собою, частину, пристрій, поповнювального, повітря, інгредієнта, видільний, проникного, субстрату, вузол, виділяння, активного, проникний

Формула / Реферат:

1. Видільний пристрій для виділяння леткого активного інгредієнта з проникного для повітря субстрату, що становить собою частину поповнювального вузла, який включає до свого складукожух з впускним і випускним отворами, внутрішніми поверхнями якого утворений канал для повітряного потоку, який проходить між впускним і випускним отворами,опорний засіб поповнювального вузла, для від'ємного підтримування поповнювального вузла з...

Номер патенту: 43550

Опубліковано: 17.12.2001

Автори: Янчевський Олег Зігмонтович, В'юнов Олег Іванович, Коваленко Леонід Леонідович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: C03C 3/062, C04B 35/00, C04B 35/46 ...

Мітки: матеріал, високотемпературний, керамічний, позисторний

Формула / Реферат:

Високотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі твердого розчину Ва1-хРbхТіО3, де незначна частина іонів барію заміщена іонами РЗЕ, наприклад іонами ітрію, який відрізняється тим, що додатково містить скло хімічного складу Рb9В16Si3О39 при такому співвідношенні компонентів, мол. %: ВаСО3 46,10-30,02 ТіО2 48,54-32,43 Y2O3 ...

Номер патенту: 42176

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Мазурик Станіслав Васильович, Глот Олександр Борисович

МПК: H01C 7/10

Мітки: спосіб, нелінійних, багатошарових, виготовлення, резисторів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатошарових нелінійних резисторів, який включає приготування шихти змішуванням оксиду цинку з оксидами кобальту і бору, отримання з шихти шлікера на органічному зв'язуючому, формування плівок сирої кераміки, нанесення електродної пасти на плівки сирої кераміки, пресування заготовок нелінійних резисторів з плівок сирої кераміки, і випал заготовок в окислювальній атмосфері, який відріз­няється тим, що при приготуванні...

Номер патенту: 36096

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Бугайчук Володимир Іванович, Кузьмінов Віталій Іванович

МПК: H01C 1/00

Мітки: спосіб, захисту, контактних, пристроїв, струмоз'ємних, реостатів, підгоряння

Текст:

...5 до точки 3 реостата контакт 6 розмикається. Процес зміни напрямку струм у в реостаті відбувається при розімкнутих контактах 6 і 7. Відразу після встановлення нового напрямку струму від точки 5 до точки 3 замикається контакт 7, який повинен бути розімкнутий безпосередньо перед новою зміною напрямку струму в реостаті. При зносі контактів 2 струмоз'ємного пристрою, і навіть при їх повному розмиканні, струм електричного поля, в який...

Номер патенту: 33147

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Набитович Йосиф Дмитрович, Сусол Петро Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: H01C 17/075, C23C 14/26

Мітки: тонких, отримання, ванадієвих, плівок, нагрівом, спосіб, термічним, резистивним

Текст:

...заповнюють двома І більше ванадієвими стрічками,при цьому температуру випар-* нику задають в межах 1850 - 20S0 °С» температуру підкладки * ЗЬО - *Ю0 °С ,а глибина вакууму складав 9,3« І О" 5 Па, запропонована конструкція випарника дозволяв проводити процес випаровування при температурах 1850 - 20Ь0 °С»розміщення наваж* ки » ванадієвої стрічки по всі* довжині робочої частини вольфра* у О/ тервалі температур І швидкосте* випарру:вання...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Венгер Евген Федорович, Варшава Славомир Степанович, Возний Орест Зеновійович, Прохорович Анатолій Вікторович, Шкумбатюк Петро Степанович

МПК: G01N 27/12, G01K 7/00, G01N 19/00 ...

Мітки: датчика, виготовлення, напівпровідникового, спосіб, терморезистивного

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...

Номер патенту: 30694

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Бистрий Анатолій Іванович, Тереховський Павло Борисович, Ганефельд Роланд Вільгельмович, Стрелкова Галина Георгіївна, Корчевий Юрій Петрович, Шидловський Анатолій Корнійович, Бржезицький Володимир Олександрович, Тереховський Борис Іванович

МПК: H01C 7/12, H01C 7/10

Мітки: металооксидних, спосіб, виготовлення, варисторів

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення металооксидних варисторів шляхом змішування порошків вихідних матеріалів із оксидів цинку, сурми, кобальту, марганцю і вісмуту, пресування з них заготовок варисторів та їх випалу у режимі з максимальною температурою 1100-1200°С, який відрізняється тим, що до вихідної суміші матеріалів замість оксиду вісмуту додають металевий вісмут, що окислюється до оксиду вісмуту у процесі термообробки заготовок...

Номер патенту: 25924

Опубліковано: 26.02.1999

Автор: Муракамі Івао

МПК: H01C 7/02

Мітки: двигуна, вентилятора, пристрій, резистивний

Формула / Реферат:

1. Резистивное устройство для двигателя вентилятора, содержащее множество резистивных элементов с положительным температурным коэффициентом сопротивления, отличающееся тем, что резистивные элементы имеют две боковые поверхности и расположены рядом друг с другом по существу в одной плоскости, причем каждый резистивный элемент имеет электрод, образованный на каждой из двух боковых поверхностей, и множество клеммных пластин, охватывающих...

Номер патенту: 25923

Опубліковано: 26.02.1999

Автор: Муракамі Івао

МПК: H01C 7/02

Мітки: пристрій, вентилятора, резистивний, двигуна

Формула / Реферат:

1. Резистивное устройство для двигателя вентилятора, содержащее резистивный элемент с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТК-элемент), отличающееся тем, что ПТК элемент выполнен в виде пластины, имеющей две боковые поверхности и множество электродов, расположенных по меньшей мере на одной из двух боковых поверхностей.2. Резистивное устройство по п.1, отличающееся тем, что в нем лицом к электродам пластины...