Студеняк Ігор Петрович

Номер патенту: 99176

Опубліковано: 25.07.2012

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 7/00, G01N 21/59

Мітки: тіл, залежності, ширини, псевдощілини, оптично, спосіб, визначення, температурної, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної залежності ширини оптичної псевдощілини твердих тіл, який включає дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що проводять температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл при двох значеннях коефіцієнта поглинання  та

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Кайла Маріанна Іванівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: pxas1-x)s5i, транспортних, пентатіофосфату-арсенату, реакцій, хімічних, спосіб, монокристалів, купрум, розчинів, твердих, вирощування, допомогою, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, пентатіофосфату, вирощування, монокристалів, твердих, cu6ps5(cl1-xix, транспортних, реакцій, спосіб, допомогою, хімічних, йодиду, купрум-хлорид

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 98864

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18

Мітки: композиту, спосіб, основі, полікристалічного, міді, cu6ps5cl, одержання, хлорид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композиту на основі полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl, який включає синтез сполуки Cu6PS5Cl, який відрізняється тим, що синтезовану сполуку Cu6PS5Cl подрібнюють до стану мікрокристалічного порошку з середнім діаметром частинок 50 мкм, який змішують з полівінілацетатом, пресують під тиском 150 МПа в таблетки діаметром 8 мм та товщиною 0,2-2 мм і висушують при кімнатній температурі протягом 15 годин з...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату, купрум, спосіб, твердих, cu6ps5(br0,5i0,5, допомогою, броміду-йодиду, хімічних, вирощування, монокристалів, транспортних, реакцій, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Паньков Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: допомогою, хімічних, монокристалів, спосіб, 6ps5(cl1-xbrx, твердих, реакцій, купрум, розчинів, пентатіофосфату, вирощування, транспортних, хлориду-броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 98198

Опубліковано: 25.04.2012

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/00, G01M 11/00, G01N 21/59 ...

Мітки: спосіб, тіл, урбахівської, твердих, визначення, енергії

Формула / Реферат:

Спосіб визначення урбахівської енергії твердих тіл, який включає температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл проводять при двох значеннях коефіцієнта поглинання  та ,...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Мінець Юрій Васильович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, матеріалу, плівки, джерела, аморфної, йодид-пентатіофосфату, твердоелектролітичного, міді, основі, енергії, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: броміду-йодиду, твердих, допомогою, хімічних, розчинів, реакцій, монокристалів, пентатіофосфату, cu6ps5(br1-xix, транспортних, купрум, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 64545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: джерела, основі, cu6pse5i, енергії, йодид-пентаселенофосфату, твердоелектролітичного, міді, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I, який відрізняється тим, що активний елемент матеріалу виготовлено із монокристалу суперіонного провідника Cu6PSe5I.

Номер патенту: 64541

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Сусліков Леонід Михайлович, Бучук Роман Юрійович, Неймет Юрій Юрійович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18

Мітки: кераміки, твердоелектролітичного, матеріалу, міді, йодид-пентатіофосфату, нанокристалічного, суперіонної, енергії, основі, джерела, застосування, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу іонну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00

Мітки: йодид-пентатіофосфату, міді, суперіонної, cu6ps5i, матеріал, твердоелектролітичного, джерела, основі, кераміки, енергії

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: полікристалічного, твердоелектролітичного, енергії, міді, джерела, cu6ps5cl, матеріалу, хлорид-пентатіофосфату, композиту, застосування

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 58716

Опубліковано: 26.04.2011

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 7/08, G01N 21/59

Мітки: тіл, температурної, псевдощілини, спосіб, залежності, ширини, оптично, визначення, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної залежності ширини оптичної псевдощілини твердих тіл, що включає дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що проводять температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл при двох значеннях коефіцієнта поглинання  та

Номер патенту: 58674

Опубліковано: 26.04.2011

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: спосіб, твердих, тіл, урбахівської, енергії, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення урбахівської енергії твердих тіл, який включає температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл проводять при двох значеннях коефіцієнта поглинання  та ,...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/10 ...

Мітки: йодиду-пентатіоарсенату, транспортних, монокристалів, cu6ass5i, спосіб, купрум, допомогою, вирощування, реакцій, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: вирощування, купрум, допомогою, хімічних, спосіб, реакцій, йодиду-пентатіоарсенату, монокристалів, транспортних, cu6ass5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, матеріалу, джерела, основі, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, застосування, твердоелектролітичного, кераміки, міді, суперіонної, мікрокристалічного

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 91876

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Стасюк Юрій Михайлович

МПК: G01N 27/333

Мітки: розчинів, монокристалів, твердих, міді, матеріалу, електрода, визначення, cu7(si0,7ge0,3)s5i, іоноселективного, мембрани, застосування, кислих, розчинах

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів твердих розчинів Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах.

Номер патенту: 90712

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/02, G01N 21/59

Мітки: зміни, урбахівську, визначення, розупорядкування, твердого, внесків, температурного, кристалічного, структурного, роду, фазовому, переході, першого, тіла, енергію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл , який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії

Номер патенту: 90688

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 21/59, G01N 25/02, G01N 21/00 ...

Мітки: переході, кристалічного, спосіб, структурного, роду, зміни, твердого, другого, тіла, внесків, урбахівську, енергію, температурного, розупорядкування, визначення, фазовому

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, який включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Номер патенту: 89385

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сливка Олександр Георгійович

МПК: G01K 17/00

Мітки: неспівмірної, фазі, температурної, існування, визначення, області, спосіб, фероїках

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування неспівмірної фази в фероїках, який включає експериментальні дослідження оптичних властивостей фероїків, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання в фероїках і представляють енергетичну ширину  краю оптичного поглинання у вигляді

Номер патенту: 88830

Опубліковано: 25.11.2009

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 21/00

Мітки: вмісту, визначення, кількісного, домішок, тілах, твердих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кількісного вмісту домішок у твердих тілах, що включає кількісний аналіз досліджуваних матеріалів, який відрізняється тим, що кількісний вміст домішок у твердих тілах визначають оптико-рефрактометричним аналізом, при цьому проводять дослідження краю оптичного поглинання та дисперсії показників заломлення n твердих тіл, знаходять експериментальне значення ширини оптичної псевдощілини

Номер патенту: 88829

Опубліковано: 25.11.2009

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 11/00, G01N 25/02

Мітки: спосіб, першого, визначення, переходу, фазового, температури, тілах, твердих, роду, розмитого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури розмитого фазового переходу першого роду у твердих тілах, що включає температурні дослідження твердих тіл, який відрізняється тим, що проводять температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання твердих тіл, при цьому із експериментально отриманої температурної залежності ширини псевдозабороненої зони  спочатку розраховують...

Номер патенту: 88417

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Панько Василь Васильович, Коперльос Богдан Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, cu6ps5cl, основі, хлорид-пентатіофосфату, матеріал, енергії, джерела, міді

Формула / Реферат:

Матеріал для твердоелектролітичного джерела енергії на основі хлорид-пентатіофосфату міді, який відрізняється тим, що хлорид-пентатіофосфат міді Cu6PS5Cl є монокристалом.

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: монокристалів, оптоелектроніки, напівпровідникового, функціональних, розчину, твердого, основі, селеніду, пристроїв, матеріал, галію-індію

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87523

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Шпак Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/59, G01N 25/00 ...

Мітки: температурної, області, визначення, існування, спосіб, проміжного, склоподібних, порядку, напівпровідниках

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді

Номер патенту: 87498

Опубліковано: 27.07.2009

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01L 21/66, G01N 25/00, G01N 21/59 ...

Мітки: оптичну, спосіб, типу, розчинів, кристалічних, розупорядкування, внеску, ширину, забороненої, визначення, зони, окремого, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб визначення внеску окремого типу розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони кристалічних твердих розчинів, який включає експериментальне визначення внесків температурного та структурного розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих розчинів, визначення за результатами температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих розчинів оптичної ширини...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/29

Мітки: селеніду, оптоелектроніки, твердого, пристроїв, галію-індію, напівпровідникового, основі, розчину, матеріал, функціональних

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: функціональних, галію-індію, напівпровідникового, монокристалів, оптоелектроніки, твердого, основі, розчину, матеріал, селеніду, пристроїв

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 40029

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01L 45/00

Мітки: енергії, застосування, матеріалу, джерела, cu6ps5cl, твердоелектролітичного, міді, хлорид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85678

Опубліковано: 25.02.2009

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/02

Мітки: визначення, фазового, порядку, твердих, тілах, спосіб, переходу, параметра, температурної, залежності

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної залежності параметра порядку фазового переходу у твердих тілах, який включає визначення параметра порядку  шляхом температурних ізоабсорбційних досліджень краю оптичного поглинання, який відрізняється тим, що із експериментально отриманої температурної залежності оптичної ширини забороненої зони

Номер патенту: 39078

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Стасюк Юрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: G01N 27/333

Мітки: іоноселективного, кислих, електрода, монокристал, купруму, розчинах, розчину, cu7(si0,7ge0,3)s5i, твердого, матеріал, визначення, мембрани

Формула / Реферат:

Монокристал твердого розчину Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Коперльос Богдан Михайлович, Бучук Роман Юрійович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пріц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, матеріалу, cu6ps5i, міді, полікристалічного, джерела, йодидпентатіофосфату, енергії, застосування, композита

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: міді, енергії, йодид-пентатіогерманату, матеріалу, cu7ges5i, твердоелектролітичного, джерела, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 85054

Опубліковано: 25.12.2008

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/02

Мітки: індекса, порядку, твердих, переходу, параметра, критичного, тілах, спосіб, фазового, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення критичного індекса параметра порядку фазового переходу у твердих тілах, який включає температурні ізоабсорбційні дослідження краю оптичного поглинання, який відрізняється тим, що із експериментально отриманої температурної залежності ширини псевдозабороненої зони  спочатку розраховують приріст ширини псевдозабороненої зони

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Пріц Іван Павлович, Бучук Роман Юрійович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01L 29/00

Мітки: полікристалічного, матеріалу, енергії, застосування, джерела, міді, cu6ps5i, твердоелектролітичного, композита, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 84438

Опубліковано: 27.10.2008

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01D 21/00

Мітки: розупорядкування, твердих, визначення, вкладів, тіл, ширину, різних, типів, оптично, спосіб, псевдощілини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення вкладів різних типів розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони кристалічних твердих тіл, який включає визначення вкладів температурного та структурного розупорядкування в оптичну ширину забороненої зони шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання, який відрізняється тим, що за результатами температурних досліджень краю оптичного поглинання кристалічних твердих тіл визначають оптичну ширину забороненої...

Номер патенту: 35524

Опубліковано: 25.09.2008

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 21/00

Мітки: кількісного, визначення, вмісту, твердих, домішок, тілах, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кількісного вмісту домішок у твердих тілах, що включає кількісний аналіз досліджуваних матеріалів, який відрізняється тим, що для кількісного визначення домішок у твердих тілах використовують оптико-рефрактометричний аналіз, а саме: проводять дослідження краю оптичного поглинання та дисперсії показників заломлення n, знаходять експериментальне значення ширини оптичної псевдощілини E*g,експ, визначають розрахункову молярну...

Номер патенту: 84215

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Ковач Степан Калманович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Стасюк Юрій Михайлович, Гречин Михайло Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: купруму, монокристалів, застосування, розчинах, купрум, кислих, електрода, йодиду-пентатіосилікату, cu7sis5i, мембрани, іоноселективного, визначення, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів купрум йодиду-пентатіосилікату Cu7SiS5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення Купруму в кислих розчинах.