Патенти з міткою «вирощування»

Сторінка 33

Спосіб гребеневої технології вирощування буряків і агрегат для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 20843

Опубліковано: 07.10.1997

Автор: Бахурський Григорій Григорович

МПК: A01C 7/08

Мітки: вирощування, здійснення, технології, буряків, агрегат, спосіб, гребеневої

Формула / Реферат:

1. Способ гребневой технологии выращивания свеклы, отличающийся тем, что путем совмещения выполнения в одном цикле подготовки почвы к посеву, измельчение и выращивание вспаханной почвы в процессе образования и выравнивания гребней, внесения почвенных гербицидов у торец образующихся гребней, посева семян у воронкообразованные лунки, образованных путем вдавливания почвы на вершинах гребней, выполняемых за один проход агрегата исключает...

Спосіб вирощування кукурудзи

Завантаження...

Номер патенту: 20961

Опубліковано: 07.10.1997

Автор: Анішин Леонід Андрійович

МПК: A01B 79/02

Мітки: спосіб, вирощування, кукурудзи

Формула / Реферат:

1. Способ возделывания кукурузы, включающий систему основной осенней и весенней подготовки почвы, посев, приемы ухода за посевами, отличающийся тем, что осенняя подготовка почвы дополняется позднеосенним выравниванием зяби с уничтожением сорняков, весенняя подготовка включает предпосевное мульчирующее выравнивание поверхностного слоя почвы, посев проводят на 7-10 дней раньше общепринятых для данного района оптимальных сроков, при...

Спосіб глибинної технології вирощування просапних культур та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 20706

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Гершкул Іван Павлович, Іванько Іван Павлович, Рогатинський Василь Іванович, Радзієвський Леонід Леонідович, Шмат Сергій Іванович

МПК: A01C 7/00

Мітки: культур, технології, спосіб, просапних, здійснення, пристрій, глибинної, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб глибинної технології вирощування просапних культур, що включає прорізування щілини та створення борозни, по якій проходить сошник, який відрізняється тим, що борозна утво­рюється перед проходом посівної секції і глибина її дорівнює глибині сухого прошарку грунту.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що при стерньовому посіві борозноутворговач встановлю­ють на глибину ходу сошника посівної секції.3. Пристрій для...

Спосіб вирощування амаранту в умовах посухи

Завантаження...

Номер патенту: 20996

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Шматько Іван Григорович, Юзбеков Ахмед Кадималієвич, Магомєдов Ісхан Магомєдовіч

МПК: A01B 79/02

Мітки: спосіб, посухи, вирощування, амаранту, умовах

Формула / Реферат:

Способ выращивания амаранта в условиях засухи, включающий широкорядный посев, последующий уход за посевами путем культивации и подкормки удобрениями, уборку растений, отличающийся тем, что удобрения вносят из расчета, кгд.в./га:азо-та - 100-140, фосфора - 100-140, калия -100-140, полив осуществляют однократно до появления всходов, двухкратно в период всходов, а также в фазы выметывания метелок, цветения и молочно-восковой спелости семян,...

Спосіб вирощування розсади суниці

Завантаження...

Номер патенту: 16755

Опубліковано: 29.08.1997

Автор: Панков Володимир Вікторович

МПК: A01G 1/00

Мітки: суниці, вирощування, розсади, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания рассады земляники, включающий посадку маточных растений на вы­ровненной поверхности почвы, уход, раскладку усов, выкопку рассады после укоренения розеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода стандартной рассады, раскладку усов осуществляют на склоны борозд, нарезаемых в начале усообразования, глубиной 15-20 см с пологими склонами, обра­зующими вершины в центре рядков.

Пристрій для вирощування монокристалів із розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 16729

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Колоколова Тамара Григорівна, Заславський Борис Григорович, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/00

Мітки: розплаву, пристрій, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристал­лов из расплава, включающее металлическую во-доохлаждаемую камеру роста, тигель для расплава, размещенный в камере, нагреватель, расположенный с внешней стороны тигля и имею­щий тепловые экраны, затравкодержатель, уста­новленный над тиглем на штоке, причем на внутреннюю поверхность камеры и поверхность штока нанесено защитное покрытие, отличающе­еся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства и...

Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів ниобату або танталату літія

Завантаження...

Номер патенту: 16591

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Салайчук Олена Констянтинівна, Федірова Надія Миколаївна, Моисеєнко Борис Іванович, Коток Людмила Анатоліївна, Романова Светлана Йосіфівна, Коршикова Тетяна Іванівна

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00

Мітки: шихти, вирощування, одержання, монокристалів, танталату, літія, ниобату, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития, включающий сухое смешивание исходной окиси ниобия или тантала и углекислого лития, взятых в стехчометрическом соотношении, и обжиг смеси при 1100-1150°С, отличающийся тем, что, с целью уменьшения отклонения от заданного сте-хиометрического соотношения и фазового состава смеси, перед смешиванием окись ниобия или тан­тала прокаливают при 1150-1200°С, а углекислый...

Спосіб вирощування активованих лужногалоідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16684

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Неменов Віктор Олександрович, Любинський Вадим Рувинович, Радкевич Олексій Вікторович, Ейдельман Лев Георгійович, Проценко Володимир Григорович

МПК: C30B 29/12, C30B 17/00

Мітки: активованих, спосіб, монокристалів, вирощування, лужногалоідних

Формула / Реферат:

Способ выращивания активированных ще­лочно-галоидных монокристаллов из расплава, включающий разращивание монокристалла до за­данного диаметра и вытягивание его цилиндриче­ской части при поддержании постоянным уровня расплава путем подпитки расплава шихтой с до­бавкой активатора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов за счет улучшения равномерности распределения ак­тиватора по высоте монокристалла, добавку...

Пристрій для вирощування кристалів із розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 16672

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Єфременко Галина Борисівна, Заславський Борис Григорович, Апілат Віталій Якович

МПК: C30B 15/20

Мітки: кристалів, пристрій, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

1. Устройство для выращивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру со смотровым окном, выполненным из оптически прозрачного элемента, установленного с помощью уплотняющих прокладок в корпусе камеры, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения очистки элемента в процессе роста, элемент установлен между уплотняющими прокладками с возможностью перемещения и имеет форму плоскопараллельной пластины, размер...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович, Катрич Микола Петрович, Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Єфімович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, оксидів, тугоплавких, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Бондаренко Станіслав Костянтинович, Тіман Беніамін Липович, Загвоздкін Борис Васильович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: монокристалів, германату, спосіб, вирощування, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Пристрій для вирощування профільованих кристалів з внутрішньою порожниною

Завантаження...

Номер патенту: 16728

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Андрєєв Євген Павлович, Пищик Валер'ян Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: внутрішньою, профільованих, пристрій, кристалів, вирощування, порожниною

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания профилиро­ванных кристаллов с внутренней полостью, вклю­чающее тигель с размещенным в нем пучком капилляров, и расположенный на его верхнем тор­це формпобразователь в виде коаксиальных колец с капиллярным зазором между ними, отличающе­еся тем, что, с целью улучшения качества кристал­лов и повышения производительности процесса, формообразователь снабжен соосным перфориро­ванным кольцом, установленным с капиллярным...

Пристрій для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16725

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Львович Валентин Анатолійович, Радкевич Олексій Вікторович, Неменов Віктор Олександрович, Проценко Володимир Григорович, Горілецький Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, пристрій, монокристалів

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее электропривод кристаллодержателя, датчик уровня расплава, связанный с блоком коррекции температуры расплава и блоком управления подпиткой, который соединен с питателем и блоком задания временных интервалов через блок сравнения, датчик перемещения кристаллодержателя, подключенный к блоку коррекции температуры расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и...

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16707

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Литвинов Леонід Аркадійович, Піщік Валеріан Володимирович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, монокристалів, профільованих, вирощування

Формула / Реферат:

1. Способ получения пластмассового сцинтиллятора, основанный на термической радикальной блочной полимеризации винил-ароматических мономеров, люминесцирующих добавок и металлсодержащих соединений, отличающийся тем, что, с целью повышения теплостойкости и прозрачности пластмассовых сцинтилляторов к свету собственной люминесценции при сохранении высокого светового выхода, в исходный состав в качестве металлсодержащих соединений вводят...

Пристрій для вирощування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16711

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пищик Валер'ян Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: B01D 9/00

Мітки: профільованих, пристрій, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Устройство для выращивания профилиро­ванных кристаллов, включающее тигель с крыш­кой, установленный в ней формообразователь, содержащий формообразующий элемент с отвер­стием в центре для затравливания и капилляры для подачи расплава в процессе роста, и механизм для вытягивания, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы и возможности выращи­вания кристаллов различного профиля, капилля­ры выполнены в виде отдельных трубок,...

Спосіб одержання моноалюмінату ітрію для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 16671

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Некрасова Лідія Миколаївна, Квічко Ліля Абрамівна, Коток Людмила Анатоліївна, Рамакаєва Разія Фяттяхдинівна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/24

Мітки: моноалюмінату, монокристалів, спосіб, одержання, ітрію, вирощування

Формула / Реферат:

Способ получения моноалюмината иттрия для выращивания монокристаллов, включающий смешивание соединений, содержащих исходные компоненты, в жидкой среде, отделение твердой фазы, последующую сушку и термообработку, от­личающийся тем, что, с целью улучшения стехи­ометрии состава, уменьшения содержания при­месей и упрощения процесса, в качестве исходных соединений берут предварительно прокаленные окислы иттрия и алюминия, смешивание ведут при их...

Спосіб вирощування оздоровленої розсади суниці

Завантаження...

Номер патенту: 16757

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Панков Володимир Вікторович, Гуляєв Анатолій Гаврилович, Панкова Наталя Володимирівна

МПК: A01G 1/00

Мітки: оздоровленої, розсади, спосіб, вирощування, суниці

Формула / Реферат:

Способ выращивания оздоровленной рассады земляники, включающий посадку маточных рас­тений построчно с изоляцией групп друг от друга и уход за растениями, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода оздоровленной рассады с единицы площади маточной плантации, изоля­цию групп растений осуществляют посредством наземного установления водонепроницаемых вер­тикальных экранов с заглублением в почву их нижней части до 10 см.

Спосіб вирощування розсади суниці

Завантаження...

Номер патенту: 16753

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Панков Володимир Вікторович, Панкова Наталя Володимирівна, Гуляєв Анатолій Гаврилович

МПК: A01G 1/00

Мітки: спосіб, суниці, розсади, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания рассады земляники, включающий предпосадочную подготовку почвы, посадку маточных растений и уход за ними, отли­чающийся тем, что, с целью повышения выхода стандартной рассады, при уходе за маточными рас­тениями в период массового укоренения розеток осуществляют скашивание листьев маточных рас­тений полосой 30-40 см.

Спосіб вирощування плодових дерев

Завантаження...

Номер патенту: 16749

Опубліковано: 29.08.1997

Автор: Панков Володимир Вікторович

МПК: A01G 1/00, A01G 1/06

Мітки: плодових, дерев, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания плодовых деревьев, включающий выполнение интеркалярных вставок на центральном проводнике и скелетных ветвях, отличающийся тем, что, с целью увеличения про­цента приживаемости прививок и снижения угнетания растения в процессе прививки, центральный проводник и скелетные ветви плодовых деревьев прививают полукольцом коры или получеренком интеркалярного сорта, или их частями, причем прививку выполняют последовательно по спирали...

Спосіб вирощування птиці

Завантаження...

Номер патенту: 20320

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Губа Григорій Кирилович, Куцак Станіслав Миколайович, Коваленко Віталій Петрович

МПК: A01K 31/00

Мітки: птиці, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания птицы, включающий контроль роста и развития птицы по живой массе и сопоставление фактической величины живой мас­сы с нормированной по возрастным периодам, от­личающийся тем, что выполняют нормированное распределение птицы по показателям живой массы в процентном соотношении 25:50:25 на три класса - минус вариант (М-), модальный класс (М°) и плюс вариант (М+), а затем подекадно производят определение распределения птицы в...

Спосіб вирощування монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 20590

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Віноград Едуард Львович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Вострецов Юрій Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вольфрамату, кадмію, спосіб, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов воль-фрамата кадмия, включающий наплавление ших­ты стехиометрического состава и выращивание вытягиванием из расплава на затравку в кислород­содержащей атмосфере, отличающийся тем, что в шихту, либо в расплав дополнительно вводят при­месь соединений трехвалентных металлов (Fe, Но, Bi, Eu, Gd и др.) в количестве (1 • 10-4 - 5 • 10-3) мас.%.

Спосіб вирощування ентомофагів роду тrісноgrамма

Завантаження...

Номер патенту: 20279

Опубліковано: 15.07.1997

Автор: Дрозда Валентин Федорович

МПК: A01K 67/033

Мітки: роду, ентомофагів, вирощування, спосіб, тrісноgrамма

Формула / Реферат:

Способ выращивания энтомофагов рода Trichogramma, включающий заражение энтомо-фагом яиц насекомого - хозяина из семейства шелкопрядов и их инкубирование, отличаю­щийся тем, что для заражения используют яйца хозяина, отложенные естественным пу­тем, гусеницам которых вскармливают водный раствор димилина в начале третьего возраста в период второго кормления, концентрация дими­лина составляет 10-4 –10-6%.

Спосіб вирощування шовкопрядів

Завантаження...

Номер патенту: 20278

Опубліковано: 15.07.1997

Автор: Дрозда Валентин Федорович

МПК: A01K 67/04

Мітки: вирощування, спосіб, шовкопрядів

Формула / Реферат:

Способ выращивания шелкопрядов, включа­ющий обработку их биологически активными ве­ществами, отличающийся тем, что для получения высокожизнсспособных стандартных по показате­лю массы куколок и плодовитости бабочек, яйца дубового, тутового и кольчатого шелкопрядов, об­рабатывают в период 2-6-го дней изатизоном из расчета 50-80 мг на 50 г яиц, гусениц шелкопрядов в 4-м возрасте, после линьки, подкармливают вод­ным раствором...

Спосіб вирощування ентомофагів

Завантаження...

Номер патенту: 20276

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Палій Лариса Олександрівна, Дрозда Валентин Федорович

МПК: A01K 67/033

Мітки: вирощування, спосіб, ентомофагів

Формула / Реферат:

Способ выращивания энтомофагов, включа­ющий заражение энтомофагами гусениц насеко­мых - хозяев и их инкубирования, отличающийся тем, что для увеличения продуктивности, длитель­ности жизни и плодовитости самок, выживаемости и заражающей способности, имаго энтомофагов подкармливают водным раствором амитозина в смеси с 10%-ным сахара, при этом оптимальные концентрации амитозина составляют 0,025-0,006%.

Комплекс по виготуванню субстрату для вирощування грибів

Завантаження...

Номер патенту: 15850

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Лук'янов Борис Олексійович, Кулик Валерій Мусійович, Ткаченко Яків Петрович, Кирдода Іван Єгорович, Кузнєцов Валерій Борисович

МПК: A01G 1/04

Мітки: виготуванню, субстрату, комплекс, вирощування, грибів

Формула / Реферат:

(57) Комплекс по приготовлению субстрата для выращивания грибов, содержащий узел по приготовлению субстрата, включающий соломорезку, ферментатор, барботер, расфасовочное устройство, отличающийся тем, что узел по приготовлению субстрата снабжен герметичными камерами для хра­нения компонентов субстрата в газовой сре­де, прессом, сушилкой, установленными после ферментатора, причем камера для хранения компонентов субстрата выполне­на в виде...

Теплиця для вирощування ананасів (ананасарій)

Завантаження...

Номер патенту: 15307

Опубліковано: 30.06.1997

Автор: Сизоненко Володимир Анісимович

МПК: A01G 9/24

Мітки: вирощування, теплиця, ананасів, ананасарій

Формула / Реферат:

Теплица для выращивания ананасов (ананасарий), содержащая основной источник обогрева, почвенный слой, обечайку и прозрачную крышу, причем внутренний объем теплицы сообщен с ос­новным источником обогрева, отличающаяся тем, что она выполнена в виде подземного сооружения, верхний уровень почвенного слоя в котором распо­ложен не выше уровня промерзания почвы, а обе­чайка выполнена из теплоизолирующего материала, например, пенопласта, и соединена...

Спосіб передпосівної обробки насіння зернових культур для вирощування на засолених грунтах

Завантаження...

Номер патенту: 15362

Опубліковано: 30.06.1997

Автор: Кабузенко Світлана Миколаївна

МПК: A01C 1/00

Мітки: спосіб, вирощування, насіння, засолених, культур, передпосівної, грунтах, зернових, обробки

Формула / Реферат:

Способ предпосевной обработки семян зерно­вых культур, выращиваемых на засоленных по­чвах, включающий замачивание семян в растворе биологически активного средства, отличающийся тем, что в качестве биологически активного сред­ства используют водный раствор 6-бензиламино-пурина в сочетании с гибберелловой кислотой в количественном отношении соответственно 1:1000, а упомянутого средства к воде - 1:200000.

Спосіб вирощування субтропічних рослин в умовах україни

Завантаження...

Номер патенту: 15232

Опубліковано: 30.06.1997

Автор: Гиндич Олег Васильович

МПК: A01B 79/02

Мітки: спосіб, субтропічних, україни, вирощування, умовах, рослин

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування субтропічних рослин в умовах України, при якому висаджують садженці рослини у відкритому грунті траншеї, доглядають по звичайній технології, при цьому при низьких температурах повітря прикривають їх укривним матеріалом, який відрізняється тим, що садженці лавра благородного висаджують весною у грунт траншеї глибиною від 20 до 30см на добре освітлених місцях, і перші три роки восени з наставанням ранньоосінніх приморозків...

Спосіб вирощування телят та препарат для його здійснення “реабіліт”

Завантаження...

Номер патенту: 17984

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Гончарук Вікторія Анатоліївна, Любецька Тетяна Валентинівна, Мельничук Дмитро Олексійович

МПК: A23K 1/16

Мітки: реабіліт, вирощування, телят, спосіб, здійснення, препарат

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування телят, який включає застосування телятам перорально лікувально-профілактичного препарату, який відрізняється тим, що телятам згодовують препарат у дозі 0,5-0,7 г на один кг маси їх тіла, тричі на добу протягом 10 діб, після того, як вони перехворіли на гострі розлади травлення.2. Препарат для вирощування телят, що включає суміш біологічно активних речовин, який відрізняється тим, що суміш біологічно активних...

Спосіб вирощування овочів

Завантаження...

Номер патенту: 17955

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Харсун Анатолій Іванович, Харсун Владлен Анатолійович, Іваненко Петро Пилипович

МПК: A01G 31/00, A01C 21/00

Мітки: овочів, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування овочів, який включає позакореневе та кореневе підживлення мінеральними добривами, які є складовою частиною водоутримуючого гелеподібного прошарку, створеного на основі метасилікату калію в шарі грунтового субстрату в межах кореневої системи рослин, який відрізняється тим, що подовження терміну та посилення фізіологічно активної дії у вегетуючих рослин системи кореневого живлення - в період літньої спеки - в грунтовому...

Спосіб вирощування ремонтних телиць

Завантаження...

Номер патенту: 17710

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Грушевець Інна Валер`ївна, Карташов Микола Іванович, Сейбу Тулеба Суману, Максаков Володимир Якович, Воловельський Лев Натанович, Натаров Валерій Володимирович

МПК: A23K 1/16, A01K 5/02

Мітки: вирощування, спосіб, ремонтних, телиць

Формула / Реферат:

Способ выращивания ремонтных телок, включающий кормление с добавлением антиокислителя и аминокислоты, отличающийся тем, что животным дополнительно имплантируют однократно препарат - суктир в дозе 200±25 мг/гол. в препубертатный период.

Спосіб вирощування рослин методом гідропоніки

Завантаження...

Номер патенту: 17659

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Синявський Олександр Юрійович, Наконечний Володимир Васильович, Корчемний Микола Олександрович

МПК: A01G 31/00

Мітки: спосіб, методом, гідропоніки, вирощування, рослин

Формула / Реферат:

Способ выращивания растений методом гидропоники, включающий контроль значения рН и общей концентрации раствора в смесительной емкости, при отклонении которых от номинальных значений производят добавление кислоты и заранее приготовленных концентрированных растворов, содержащих, по крайней мере, нитратный азот, калий, фосфор, кальций и магний, до достижения номинальных значений рН и общей концентрации питательного раствора, отличающийся тем,...

Спосіб вирощування овочів у теплицях без грунту

Завантаження...

Номер патенту: 17748

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Мокринський Владислав Михайлович, Дульнев Петро Георгієвич, Чернишенко Володимир Ільіч, Білогубова Олена Миколаївна, Коваленко Іван Антонович, Литвинчук Миколай Костянтинович, Вілесов Геннадій Іванович, Вешицький Вільям Анатольович, Куріпко Ніна Іванівна, Власишин Володимир Филипович, Давидова Ольга Евстафіївна, Мануїльський Володимир Дмитрович

МПК: A01G 1/00

Мітки: спосіб, теплицях, вирощування, овочів, грунту

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания овощей в теплице без почвы на искусственных средах путем дополнительного питания растений углеродом, отличающийся тем, что в состав питательного раствора вводят бикарбонат аммония - углеаммонийные соли, содержащие в своем составе двоукись углерода (50%).2. Способ по п. 1,отличающийся тем, что углеаммонийные соли вводят в состав питательного раствора вместо другого находящегося в растворе азотсодержащего...

Спосіб вирощування льону-довгунцю

Завантаження...

Номер патенту: 17567

Опубліковано: 06.05.1997

Автори: Давидова Ольга Євстафіївна, Хілєвич Василь Сергійович, Мокринський Владислав Михайлович, Корнієнко Галина Петрівна, Вілєсов Геннадій Іванович, Ковальов Віталій Борисович

МПК: A01B 79/02

Мітки: вирощування, спосіб, льону-довгунцю

Формула / Реферат:

Способ выращивания льна-долгунца, включающий подготовку почвы, внесение минеральных удобрений, посев, обработку посевов химическими препаратами и уборку урожая, отличающийся тем, что в качестве азотных удобрений используют аммиачные удобрения, а именно углеаммонийные соли (УАС) в дозе 50 - 80кг д.в. на 1га однократно в период предпосевной подготовки почвы, или дробно в дозах 30 - 50кг д.в. на 1га в период подготовки почвы под культивацию и 20...

Спосіб вирощування ентомофагів

Завантаження...

Номер патенту: 13969

Опубліковано: 25.04.1997

Автор: Дрозда Валентин Федорович

МПК: A01K 67/033

Мітки: спосіб, вирощування, ентомофагів

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания энтомофагов, предусматривающий заражение энтомофагом куколок чешуекрылых, отличающийся тем, что для заражения используют куколки дубового шелкопряда, а заражение осуществляют не позднее, чем за сутки до выхода имаго из куколки.

Субстрат для вирощування рослин

Завантаження...

Номер патенту: 13741

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Черевченко Тетяна Михайлівна, Заіменко Наталя Василівна, Свєшніков Сергій Миколайович, Чінчян Едуард Вартановіч,, Толотов Боріс Алєксандровіч,, Сандул Людмила Іванівна

МПК: A01G 31/00

Мітки: субстрат, рослин, вирощування

Текст:

...в Условия проведения опытов. Растения Уровень влажности субстрата после укоревыращивали в условиях защищенного груннения (12-27 дней) поддерживали на уровне та при естественном освещении, температу55% от полной влэгоемкости субстрата. Выре воздуха 22-25°С и влажности 60-70%. ращивание растений проводили по общеЧеренки высаживали в гранулированную 5 принятой технологии с еженедельным смесь субстрата при следующей норме: для внесением 0,15%...

Спосіб приготування основи для живильних середовищ для вирощування мікроорганізмів

Завантаження...

Номер патенту: 17391

Опубліковано: 15.04.1997

Автори: Руденко Адель Вікторівна, Малашенко Юрій Романович, Карпенко Валерій Іванович

МПК: C12N 1/00, C12N 1/38

Мітки: мікроорганізмів, приготування, середовищ, живильних, основі, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Способ приготовления основы для питательных сред для выращивания микроорганизмов, включающий анаэробную ферментацию куриного помета, разбавленного водой, отличающийся тем, что используют куриный помет, разбавленный водой в соотношении 50 - 100г на 1л воды, перед анаэробной ферментацией осуществляют аэробную ферментацию при 28 - 40°C в течение 48 часов, а анаэробную ферментацию осуществляют при 60°C в течение 3 - 5 суток с последующим...

Поживне середовище для вирощування peniophora gigantea (fr) mass

Завантаження...

Номер патенту: 17142

Опубліковано: 18.03.1997

Автори: Кроник Євгенія Георгіївна, Фільчаков Леонід Павлович, Негруцький Сергій Федорович, Гутіна Наталія Миколаївна

МПК: C12N 1/14

Мітки: вирощування, поживне, peniophora, gigantea, середовище

Формула / Реферат:

Питательная среда для выращивания Peniophora gigantea (Fr.) Mass, включающая лузгу семян подсолнечника, отходы хлопчатобумажной промышленности и воду, отличающаяся тем, что дополнительно содержит измельченные околоплодники граната обыкновенного (Punica granatum) при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Мінераловолокнистий субстрат для вирощування рослин

Завантаження...

Номер патенту: 13296

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Яремов Павел Степанович, Сердюк Виктор Юхимович, Черевченко Тетяна Михайлівна, Сандул Людмила Іванівна, Заіменко Наталія Василівна, Свешніков Сергій Миколайович, Рожнов Владімір Павловіч, Філін Іван Івановіч

МПК: A01G 31/00

Мітки: мінераловолокнистий, субстрат, рослин, вирощування

Формула / Реферат:

(57) Минераловолокнистый субстрат для выращивания растений, имеющий гофрированный мат, пропитанный гидрофильным веществом, отличающийся тем, что минеральные волокна гофрированного мата в точках пересечения скреплены полимерным связующим, а отношение толщины мата к расстоянию между вершинами соседних гофр составляет (6-10):(4-8), при этом на верхнюю и нижнюю поверхности гофрированного мата дополнительно нанесен слой стекловолокнистого...

Спосіб вирощування цукрових буряків

Завантаження...

Номер патенту: 13363

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Теслюк Віктор Васильович, Глуховський Владіслав Станіславович, Іоніцой Юрій Серафимович, Зуев Микола Михайлович, Кутя Петро Олександрович

МПК: A01G 7/00, A01B 79/02

Мітки: цукрових, вирощування, буряків, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ возделывания сахарной свеклы, включающий основную обработку почвы, внесение удобрений, подготовку почвы к посеву, посев на заданную глубину и заделку семян, отличающийся тем, что осенью, после полупаровой или улучшенной обработки почпы, выравнивают поверхность поля и вносят удобрения построчно под каждый будущий рядок свеклы, на глубину равную пяти-шестикратной глубине заделки семян, и над каждым рядком удобрений формируют гребни,...