Патенти з міткою «вирощування»

Номер патенту: 69037

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Степанова Ірина Миколаївна, Філіп'єв Іван Давидович, Ківер Геннадій Федорович

МПК: A01B 79/02

Мітки: грунті, плодів, томата, вирощування, якістю, посівного, темно-каштановому, підвищеною, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування посівного томата з підвищеною якістю плодів на темно-каштановому грунті, що включає основний обробіток грунту, внесення добрив, посів, догляд за посівом, збирання врожаю, який відрізняється тим, що вносять по поверхні ділянки перед зяблевою оранкою разом подрібнене зелене добриво 25 т/га (горохо-вівсяна суміш) і мінеральні добрива в дозі N120P60K60, одержуючи продукцію з вмістом сухої речовини на рівні 6,58 %, загального...

Номер патенту: 69285

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Антрапцева Надія Михайлівна, Трокоз Віктор Олександрович, Пономарьова Ірина Геннадіївна, Аретинська Тетяна Борисівна

МПК: A01K 67/04

Мітки: спосіб, дубового, вирощування, шовкопряда

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування дубового шовкопряда, що включає вигодовування гусениць молодшого віку обробленим хімічним препаратом листям дуба, який відрізняється тим, що для обробки корму використовують двозаміщені фосфати мангану (II) - цинку тригідрати із загальною формулоюMn1-xZnxHPO4.3H2O(0<х<0,07), якими, із розрахунку 5,0-17,0 мг на 100 г корму, обпилюють листя перед згодовуванням.

Номер патенту: 68535

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Бабич Вікторія Леонідовна, Гамаюнова Валентина Василівна

МПК: A01B 79/00

Мітки: спосіб, грунті, темно-каштановому, вирощування, жита, озимого

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування озимого жита на темно-каштановому ґрунті, що включає основний обробіток ґрунту, внесення мінеральних добрив, посів, догляд за посівом, збирання врожаю, який відрізняється тим, що мінеральні добрива вносять під основний обробіток ґрунту в дозі N76 без зрошення та N101 кг/га діючої речовини при зрошенні.

Номер патенту: 69194

Опубліковано: 16.08.2004

Автор: Мороз Микола Сергійович

МПК: A01K 67/04

Мітки: вирощування, лускокрилих, живильне, штучне, середовище

Формула / Реферат:

Штучне живильне середовище для вирощування лускокрилих, що містить порошок з листя дуба черешкового, порошок з соєвого шроту, глюкозу, вітамін С, порошок з целюлози, цинкову сіль 3-метилпіридину, сорбінову кислоту, агар-агар, ретанолацетат, рибофлавін, тіамінбромід, нікотинамід, біологічно активну суміш і воду, яке відрізняється тим, що додатково містить порошок з листя бука європейського, порошок з листя граба звичайного, порошок з листя...

Номер патенту: 68963

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Ківер Геннадій Федорович, Гамаюнова Валентина Василівна, Куц Галина Марківна

МПК: A01B 79/00

Мітки: ґрунту, томата, темно-каштанового, спосіб, сівозміні, зрошуваній, родючості, зерно-овочевій, вирощування, посівного, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування посівного томата і покращення родючості темно-каштанового ґрунту в зрошуваній зерно-овочевій сівозміні, що включає основний обробіток ґрунту, внесення органічних і мінеральних добрив, посів, догляд за посівом, збирання врожаю, який відрізняється тим, що після збирання попередників у короткоротаційній зерно-овочевій сівозміні (кукурудза МВС, озима пшениця) проводять безполицевий обробіток ґрунту на глибину 28-30 см, посів...

Номер патенту: 68201

Опубліковано: 15.07.2004

Автор: Семінський Іван Петрович

МПК: A01C 1/00

Мітки: заплавних, спосіб, землях, вирощування, картоплі

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування картоплі в умовах заплавних земель, який включає голландську технологію вирощування картоплі, а також попереднє нарізання борозен для майбутніх рядків картоплі, який відрізняється тим, що для запобігання гніздування капустянок в кущах картоплі, доступ до кореневої системи картоплі з нижніх шарів ґрунту перекритий непроникною для капустянок перегородкою, яка виконана, наприклад, із стебел комишу, розстелена по дну борозни і...

Номер патенту: 68114

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Чабан Віктор Олександрович, Ушкаренко Віктор Олександрович, Федорчук Михайло Іванович

МПК: A01C 1/00

Мітки: спосіб, рослин, лікарських, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування  рослин шавлії лікарської, що включає намочування насіння у водному розчині, який постійно насичують киснем, який відрізняється тим, що додатково використовується барботування насіння шавлії лікарської в середовищі води стиснутим повітрям.

Номер патенту: 68293

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Саворовський Федір Григорович, Авраменко Сергій Федорович, Кисельов Віталій Семенович, Маслов Володимир Петрович

МПК: H01L 21/205, H01L 21/36

Мітки: кремнію, карбіду, кристалів, зливків, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування зливків монокристалів карбіду кремнію, що включає завантаження в графітовий реактор порошку сировини карбіду кремнію, закріплення на графітовому тримачі затравочного кристала карбіду кремнію, вакуумування, напуск інертного газу, нагрівання вихідного матеріалу до температури сублімації карбіду кремнію 22502350°С, а затравочного кристала - до температури...

Номер патенту: 36794

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Прокопенко Олександр Васильович, Войтенко Юрій Васильович

МПК: C12M 1/04

Мітки: вирощування, пристрій, мікроорганізмів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування мікроорганізмів, що включає корпус з патрубками для вводу сировини, газу для аерації, виходу готового продукту і відпрацьованих газів, охолодну сорочку, аератор, циркуляційну трубу, який відрізняється тим, що аератор виконано у вигляді колектора з радіальними патрубками, оснащеними форсунками для виходу газу, причому форсунки установлені під кутом 10-25о до горизонталі і розташовані в патрубках за межами...

Номер патенту: 67198

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Золкіна Людмила Вікторівна

МПК: H01L 21/20

Мітки: напівпровідникових, шарів, епітаксією, спосіб, рідкофазною, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових шарів рідкофазною епітаксією, у якому вирощування проводять з розчину, поміщеного в графітовий тигель, на монокристалічну пластину в циліндричній кварцовій ампулі шляхом лінійного охолодження зі швидкістю 0,5 К/хв, який відрізняється тим, що в розчин вводять ультразвукові хвилі з частотою від 0,3 до 5 МГц у напрямку, перпендикулярному поверхні пластини, а процес кристалізації здійснюють зі швидкістю від...

Номер патенту: 2541

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Гамаюнова Валентина Василівна, Назарчук Сергій Анатолійович

МПК: A01B 79/00

Мітки: посіві, темно-каштановому, вирощування, зрошення, основному, грунті, суданської, трави, умовах, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування суданської трави на темно-каштановому ґрунті при основному посіві в умовах зрошення включає основний обробіток ґрунту, внесення мінеральних добрив, посів, догляд за посівом, режим зрошення, збирання врожаю, який відрізняється тим, що мінеральні добрива вносять під основний обробіток ґрунту в дозі  N133 кг/га діючої речовини.

Номер патенту: 67147

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Холодняк Олег Георгійович

МПК: A01C 5/00, A01B 79/02

Мітки: спосіб, насіння, товарні, суходолі, голонасінного, вирощування, цілі, використання, гарбуза

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування голонасінного гарбуза на суходолі для використання його на насіння та товарні цілі, що включає основний і передпосівний обробіток грунту, посів, догляд за посівами, збирання врожаю насіння, який відрізняється тим, що другу передпосівну культивацію і посів голонасінного гарбуза проводять на глибину заробки насіння 4-6 см, коли верхній десятисантиметровий шар грунту прогріється до 10-12°С, з площею живлення однієї...

Номер патенту: 67356

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00

Мітки: вирощування, монокристалів, вузол, кристалізаційний, форми, a-al2o3, заданої, корунду

Формула / Реферат:

Кристалізаційний вузол для вирощування монокристалів корунду α - Al2O3 заданої форми, який включає вакуумну камеру, нагрівник, тигель із розташованим в його порожнині формоутворювачем, систему вертикально та горизонтально розташованих екранів, один з яких знаходиться безпосередньо на тиглі, який відрізняється тим, що горизонтальний екран, який знаходиться на тиглі, містить п'ять теплових вікон, при цьому середнє з яких має форму...

Номер патенту: 67377

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Лимар Анатолій Остапович, Книш Володимир Іванович

МПК: A01B 79/02

Мітки: попередник, баштанному, використовується, озимої, пару, вирощування, спосіб, пшениці, кавуна

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кавуна в баштанному пару, який використовується як попередник озимої пшениці, який включає основний і передпосівний обробіток ґрунту, внесення добрив, посів, догляд за посівами і збирання плодів, який відрізняється тим, що мінеральні добрива в дозах N60P50K30 вносять під основний обробіток ґрунту та при посіві - Р10, висівають кавун в зайнятому баштанному пару з міжряддями 280 см або 350 см.

Номер патенту: 67499

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кириченко Валентина Василівна, Григоренко Тетяна Олександрівна, Фролов Олександр Кирилович

МПК: A01G 1/04

Мітки: lentinus, склад, edodes, вирощування, грибів, субстрату, шиітаке

Формула / Реферат:

Склад субстрату для вирощування грибів шиітаке (Lentinus edodes), що складається з рослинної сировини, мінеральної та органічних добавок, який відрізняється тим, що як рослинну сировину використовують солому пшениці та лушпиння соняшника, а як органічні добавки - висівки пшениці і/або кукурудзяну муку в такому співвідношенні, мас. %: солома пшениці 60-70 лушпиння соняшника ...

Номер патенту: 67505

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Кащеєв Олександр Якович, Лимар Володимир Анатолійович, Книш Володимир Іванович, Лимар Світлана Михайлівна

МПК: A01B 79/02

Мітки: спосіб, новітньої, вирощування, насіннєві, цілі, продовольчі, гарбуза, техніки, широкозахватної, використанням

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування гарбуза на насіннєві та продовольчі цілі з використанням новітньої широкозахватної техніки включає основний і передпосівний обробіток ґрунту, внесення добрив, посів, догляд за рослинами, збирання плодів і виділення насіння, який відрізняється тим, що посів проводять з міжряддями 420 см з площею живлення 4 м2 для одержання плодів продовольчого призначення та з площею живлення 2 м2 для одержання насіння.

Номер патенту: 66645

Опубліковано: 17.05.2004

Автори: Бісько Ніна Анатоліївна, Омелаєнко Олег Вікторович, Шевчук Олена Юріївна

МПК: A01G 1/04

Мітки: міцелію, субстрат, спосіб, базидіоміцета, вищого, їстивного, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування міцелію вищого їстівного базидіоміцета, який передбачає виготовлення субстрату із зерна зернової культури, крейди та гіпсу, інокулювання міцелію вищого їстівного базидіоміцета в субстрат, культивування міцелію вищого їстівного базидіоміцета, який відрізняється тим, що при виготовленні субстрату в нього додатково додають солодові ростки або зародки зернової культури та тирсу дерева листяної породи у масовому...

Номер патенту: 66318

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Гребенюк Богдан Олегович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: карбіду, спосіб, здійснення, способу, кремнію, монокристали, алманіт, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад  шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...

Номер патенту: 66154

Опубліковано: 15.04.2004

Автор: Лимар Володимир Анатолійович

МПК: A01B 79/02

Мітки: арахісу, зрошенні, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування арахісу при зрошенні, що включає основну і передпосівну підготовку ґрунту, сівбу, догляд за посівами, зрошення, збирання врожаю, який відрізняється тим, що під основну підготовку ґрунту вносять мінеральні добрива в дозі N45Р45К30 при диференційованому режимі зрошення з підтримуванням вологості ґрунту на рівні 65-75-60% при крапельному зрошенні.

Номер патенту: 66153

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Кащеєв Олександр Якович, Книш Володимир Іванович, Лимар Анатолій Остапович

МПК: A01B 79/02

Мітки: вирощування, кавуна, спосіб, столового

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування столового кавуна, що включає ступінь насичення ним сівозміни, основний і передпосівний обробіток ґрунту, внесення мінеральних і органічних добрив, посів, догляд за рослинами, збирання врожаю, який відрізняється тим, що ступінь насичення сівозміни кавуном визначено до 25 %, внесення мінеральних добрив в дозі N90Р135К60 перед основним обробітком ґрунту без зрошення та при зрошенні - в дозах N110P180 або 25 т/га гною +...

Номер патенту: 64977

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Канішевський Станислав Михайлович, Петрушевський Іван Іванович, Левко Анатолій Михайлович, Терентьєв Андрій Володимирович

МПК: A01G 9/14, A01G 31/02

Мітки: теплиця, вирощування, грибів

Формула / Реферат:

Теплиця для вирощування грибів, яка містить каркас, теплоізоляційне покриття, систему вентиляції і засоби розташування і вегетації рослин, яка відрізняється тим, що каркас виконано двоскатним і його верхні і нижні прогони - трубчатими, а теплоізоляційне покриття - у вигляді брезентової тканини, яка має обладнані клапанами того ж матеріалу і торцеві двері з фрамугами, нижні із яких покриті сітками, і вентиляційні вікна і отвори, засоби ж...

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Ігнатенко Степан Денисович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: монокристали, кремнію, вирощування, пристрій, спосіб, алманіт, карбіду, здійснення, способу

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...

Номер патенту: 64223

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Фіалко Олександр Йосипович, Сухомлінов Юрій Олексійович, Шевченко Микола Борисович, Дроздовська Аліса Акимівна

МПК: C01B 31/06, B01F 5/00

Мітки: кристалів, алмазу, метастабільних, спосіб, синтезу, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу і вирощування метастабільних кристалів алмазу з вуглецевмісного газу при високій температурі з використанням періодичних імпульсів температури тривалістю від 10-5 до 1 с і проміжками між імпульсами тривалістю від 10-5 до 1 с, який відрізняється тим, що синтез і вирощування метастабільних кристалів алмазу відбувається у кавітаційно-флуктуаційному реакторі, до якого подається водний розчин під початковим тиском 100-1000 ат і...

Номер патенту: 64219

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Сергєєв Володимир Петрович, Чуйко Олексій Олексійович, Брей Володимир Вікторович, Назаренко Микола Олексійович, Ященко Ольга Михайлівна, Михайлишин Дмитро Володимирович, Божко Василь Іванович, Іванова Лариса Іванівна, Шпарик Михайло Миколайович

МПК: A01G 31/00

Мітки: рослин, субстрат, вирощування

Формула / Реферат:

Субстрат для вирощування рослин, що містить мінеральні волокна, перліт та додаток, який відрізняється тим, що в ньому як мінеральні волокна використовують суміш базальтових тонких та базальтових супертонких волокон, а як додаток використовують глину при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: базальтові тонкі волокна 18 - 96 базальтові супертонкі волокна 1 - 27 ...

Номер патенту: 63345

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Макаров Ігор Леонідович, Скорий Микола Вікторович, Макаров Леонід Харитонович

МПК: A01B 79/02

Мітки: ліній, вирощування, спосіб, сорізу

Формула / Реферат:

Винахід відноситься до сільського господарства, до технології вирощування ліній сорізу.Відомий спосіб вирощування батьківських ліній соргових культур передбачає посів, догляд за посівами, збір урожаю. Строк посіву, коли середньодобова температура ґрунту на глибині заробки насіння становитиме 14-160С в співвідношенням батьківських ліній від 2:6 до 6:30, збирання вологого зерна в волотіях з послідуючим досушуванням (Н.А.Шепель. Сорго....

Номер патенту: 63333

Опубліковано: 15.01.2004

Автор: Жарінов Валерій Іванович

МПК: A01B 79/02

Мітки: вирощування, насіння, спосіб, люцерни

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування люцерни на насіння, що включає в першому укосі  ранньовесняне боронування, розпушування ґрунту в два сліди, міжрядний обробіток ґрунту культиватором, триразову обробку травостою інсектицидом (фостаком, фазолоном), збирання насіння у фазі повного його достигання на корені; в другому укосі - дві обробки травостою вказаними інсектицидами, позакореневе підживлення біостимулятором росту фероцином і борною кислотою, десикацію...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тигель, вирощування, аiibvi, кристалів

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Номер патенту: 63190

Опубліковано: 15.01.2004

Автор: Шульга Іван Федорович

МПК: A01C 11/04

Мітки: дернини, маскування, авіаційної, вирощування, спосіб, обвалування, техніки

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування дернини для маскування обвалування для авіаційної техніки, при якому вирощують дернину на субстраті у вигляді торфо-дернинної ковдри, згортають торфо-дернинну ковдру в рулон, транспортують у рулонах, розгортають рулони на схилах, який відрізняється тим, що вирощують дернину на субстраті у вигляді торфо-дернинної ковдри, яка додатково має стикові доріжки з розрідженою густотою дернини, згортають торфо-дернинну ковдру в рулон...

Номер патенту: 63266

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Корженко Микола Павлович, Роік Микола Володимирович, Корженко Анна Миколаївна, Кулік Олександр Георгійович

МПК: A01C 7/00

Мітки: спосіб, капусти, рослин, коренеплодних, насіння, вирощування, безвисадкового

Формула / Реферат:

Спосіб безвисадкового вирощування насіння коренеплодних рослин і капусти, який включає передпосівний обробіток ґрунту, сівбу в борозни стрічковим способом, полив, підгортання рослин на зиму ґрунтом, формування густоти насадження, вирощування рослин, внесення добрив та збирання насінників, який відрізняється тим, що сівбу моркви, селери, пастернаку проводять у кінці червня, а буряків і капусти - в першій половині серпня в борозни з...

Номер патенту: 63175

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Євтушок Іван Мусійович, Герасименко Станіслав Михайлович, Зінченко Володимир Олександрович, Гусік Володимир Ростиславович, Пономаренко Сергій Платонович, Боровикова Галина Семенівна

МПК: A01N 25/02, A01N 65/00, A01P 21/00 ...

Мітки: умовах, екологічної, картоплі, вирощування, спосіб, забруднення, чистої, радіоактивного

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування екологічно чистої картоплі в умовах радіоактивного забруднення, що включає підготовку ґрунту, внесення мінеральних і органічних добрив, висаджування посадкового матеріалу, обприскування насаджень засобами захисту проти хвороб та шкідників, вирощування картоплі в природних умовах до збору врожаю, який відрізняється тим, що рослини картоплі додатково обприскують у фазі бутонізації регуляторами росту рослин Емістим С або...

Номер патенту: 63696

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Санін Геннадій Анатолійович, Надикто Володимир Трохимович

МПК: A01B 79/02

Мітки: культур, вирощування, просапних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування просапних культур, що включає основний осінній обробіток ґрунту та сівбу, який відрізняється тим, що осінній обробіток ґрунту ведуть смугами, крок яких дорівнює ширині міжрядь, а сівбу просапних культур здійснюють посередині оброблених з осені смуг.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що ширина кожної обробленої восени смуги ґрунту дорівнює половині ширини міжрядь просапної культури.

Номер патенту: 62899

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Кушнарьов Андрій Васильович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/14

Мітки: пристрій, градієнта, регулювання, вирощування, процесі, кристали, температури

Формула / Реферат:

Пристрій для регулювання градієнта температури в кристалі в процесі його вирощування, що містить усередині штока трубку з діаметром меншим, ніж внутрішній діаметр штока, який відрізняється тим, що на штоці закріплено циліндричний нагрівач із внутрішнім діаметром від 2 до 3 діаметрів штока і встановленому на відстані від 5 до 10 діаметрів штока щодо рівня розплаву.

Номер патенту: 62246

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Пархоменко Сергій Миколайович, Білоконь Олександр Петрович, Рябота Олександр Миколайович

МПК: A01H 1/02, A01G 13/02

Мітки: вирощування, соняшнику, насіння, гібридного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику, що включає підготовку поля, посів ділянок розмноження батьківських форм гібридів, виконання в період їх масового цвітіння групової ізоляції у вигляді споруд з сітчастим покриттям та роздільне збирання врожаю, який відрізняється тим, що восени при підготовці поля розмітку і монтаж елементів тунельних споруд виконують у вигляді рівновіддалених паралельних рядів стояків з повздовжніми гнучкими...

Номер патенту: 61223

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: sr4b14o25, спосіб, стронцію, кристалів, борату, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.

Номер патенту: 61303

Опубліковано: 17.11.2003

Автор: Фінько Сергій Володимирович

МПК: C12N 1/14, A01H 15/00

Мітки: грибів, вирощування, дереворуйнівних, міцелію, живильне, середовище

Формула / Реферат:

Живильне середовище для вирощування міцелію дереворуйнівних грибів, яке містить безбілковий концентрат картопляного соку, джерела вуглецю, азоту, мінеральних солей та факторів росту у вигляді післядріжджової бражки і кукурудзяного екстракту та воду, яке відрізняється тим, що як додаткове джерело вуглецю та азоту воно містить вуглеамонійну сіль при наступному співвідношенні компонентів, мас.ч.: безбілковий концентрат...

Номер патенту: 61230

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C30B 29/20, C30B 28/00

Мітки: лейкосапфіру(a-al2o3, вихідної, сировини, вирощування, підготовки, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту: сокова основа, кг 35,0-45,0 цукор, кг ...

Номер патенту: 61075

Опубліковано: 17.11.2003

Автор: Джонстоун Пітер

МПК: B29C 55/04, A01G 13/02, B29C 55/02 ...

Мітки: варіанти, культурних, розсади, вирощування, рослин, плівка, спосіб, покриття, пластикова, ділянки, грунту

Формула / Реферат:

1. Пластиковая пленка для покрытия засеянной почвы или почвы, предназначенной для проращивания семян, отличающаяся тем, что вытянута, по меньшей мере, в локализованных областях по длине пленки выше предела текучести пленки для достижения уменьшенной толщины пленки в вытянутой области или областях, в результате чего при применении пленка будет разрушаться для обеспечения проросшему сеянцу прохода через нее.2. Пленка по п.1, отличающаяся...

Номер патенту: 61257

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Ванцовський Анатолій Антонович, Жарінов Валерій Іванович, Судін Валерій Михайлович, Мунтян Сергій Варікович

МПК: A01G 16/00, A01C 21/00

Мітки: рису, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування рису, що включає рядовий спосіб посіву його насіння з нормою висіву та дозоване внесення добрив діючої речовини на 1 га, який відрізняється тим, що насіння рису розподіляють по групах стиглості – ранньостиглі, середньостиглі та пізньостиглі сорти рису, посів рису проводять при нормах висіву схожих зерен на 1 га, які становлять 8 млн., 6 млн., 8 млн. відповідно, та дозах внесення добрив N120P60K30, N90P60K30, N90P60K30 кг...

Номер патенту: 61480

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Білоконь Олександр Петрович, Пархоменко Сергій Миколайович

МПК: A01H 1/02

Мітки: вирощування, соняшнику, гібридного, спосіб, насіння

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику, що включає посів ділянок гібридизації, відповідний догляд за рослинами, монтаж в період цвітіння групових сітчастих ізоляторів, який відрізняється тим, що посів виконують стрічково-широкорядним способом з розміщенням рослин батьківської та материнської форм за шаховою схемою у роздільні борозенки дворядкових стрічок, а їх сумісну ізоляцію здійснюють окремо сформованими блоками за допомогою...

Номер патенту: 61276

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Печенюк Василь Іванович, Остапенко Інна Віталіївна, Дудчак Віталій Петрович, Фурман Тетяна Віталіївна

МПК: A01B 49/04

Мітки: конструкція, здійснення, спосіб, квасолі, виткої, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування виткої квасолі, що включає операції передпосівної підготовки грунту, внесення органічних і мінеральних добрив, закладання їх у грунт, висівання та догляд за рослинами, який відрізняється тим, що висівання проводять рядами з відстанню 2,7 м один від одного, причому кожен ряд має три стрічки з віддалю між стрічками 0,8 м, а в стрічках між кущами - 0,7 м.2. Конструкція, до складу якої входять металеві смуги, які...