C30B 35/00 — Пристрої взагалі, спеціально призначені для вирощування, одержання або подальшої обробки монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою

Номер патенту: 19071

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: алманіт

Формула / Реферат:

АЛМАНІТ - монокристали карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують монокристали особливо чистого карбіду кремнію із вмістом домішок 5х1015-5х1016 см-3, який має біля основи грань у вигляді багатогранника (наприклад, шестигранника, характерного для політипу 6Н) і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристала, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого,...

Номер патенту: 76573

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Андрєєв Євгеній Петрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/34

Мітки: внутрішньою, порожниною, кристалічних, спосіб, групового, вирощування, виробів, пристрій, профільованих

Формула / Реферат:

1. Пристрій для групового вирощування профільованих кристалічних виробів з внутрішньою порожниною, що містить тигель з розміщеним в ньому пучком капілярів і встановлений на його верхньому торці формоутворювач, який відрізняється тим, що формоутворювач має дві зв'язані формоутворюючі поверхні, розташовані під кутом одна до одної, причому поверхня для вирощування бічної частини виробу розташована горизонтально, а кут нахилу до неї...

Номер патенту: 70250

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Вишневський Сергій Дмитрович, Андрєєв Євгеній Петрович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 35/00

Мітки: спосіб, формоутворювачів, очистки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки деталей, який включає електроерозійне формоутворення поверхонь з подальшою абразивною обробкою, який відрізняється тим, що в якості абразивної обробки використовується доведення еластичними полімер-абразивними кругами, що складаються з полімер-абразивних волокон. При цьому зернистість абразивних часток у волокнах обирається у межах 10...40 від середнього арифметичного профілю шорсткості поверхні після електроерозійної...

Номер патенту: 72795

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Шульга Юрій Григорович, Повстяний Володимир Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: кремнію, чохральського, екрануючий, нього, спосіб, монокристалів, методом, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів кремнію за методом Чохральського, який включає камеру вирощування монокристала з розташованим у ній тиглем для одержання розплаву і витягування з розплаву монокристала кремнію і екрануючий пристрій, розташований співвісно вирощуваному монокристалу, який відрізняється тим, що екрануючий пристрій виконано у вигляді подвійного екрана - внутрішнього і зовнішнього, при цьому зовнішній екран має форму, що...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, контейнер, напівпровідникових, термообробки

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 66318

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Гребенюк Богдан Олегович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: пристрій, вирощування, алманіт, способу, кремнію, карбіду, здійснення, спосіб, монокристали

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію Алманіт, які відрізняється тим, що ці монокристали особливочистого карбіду кремнію містять домішки від 5х1015 до 5х1016 см-3, грань монокристалів біля основи має вигляд багатогранника, наприклад  шестигранника, характерного для політипу 6Н, і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристалу, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого...

Номер патенту: 64035

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Ігнатенко Степан Денисович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: монокристали, кремнію, способу, вирощування, спосіб, пристрій, здійснення, карбіду, алманіт

Формула / Реферат:

1. Монокристали карбіду кремнію, що отримані шляхом осадження парів карбіду кремнію і мають форму шестигранника на вершині та містять неконтрольовані домішки, які відрізняються тим, що вони мають велику кількість бокових дзеркальних площин, орієнтованих під різними кутами до осі зростання кристалів, а кількість неконтрольованих домішок в них не перевищує 1015-1016см-3.2. Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію шляхом...

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Бундаш Йосип Йосипович, Машков Андрій Іванович, Цифра Василь Іванович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович, Лук'янчук Олександр Ростиславович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 35/00, C30B 29/20, C30B 31/00 ...

Мітки: сплаву, алюмінію, a-оксид, спосіб, відновлення, монокристалів, вирощування, молібден-вольфрамового, корунду, тигля

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Воронкін Євген Федорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалізації, матеріалів, синтезу, установка, очищення

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Номер патенту: 35341

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Лук'янчук Олександр Ростиславович, Бундаш Йосип Йосипович, Машков Андрій Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович, Цифра Василь Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 35/00, C30B 31/00, C30B 29/20 ...

Мітки: альфа-оксид, сплаву, вольфрамового, монокристалів, алюмінію, молібден, корунду, вирощування, спосіб, відновлення, тигля

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду -оксид алюмінію, який включає нагрівання та витримування його у вакуумі при температурі 1400°С, який відрізняється тим, що несуцільності тигля перед вакуумуванням та нагріванням із внутрішньої сторони його стінок заповнюють дрібнодисперсним порошком, хімічний склад якого...

Номер патенту: 29878

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Давиденко Микола Іванович, Трохименко Володимир Васильович

МПК: C30B 35/00

Мітки: матеріалів, виробів, сцинтиляційних, виготовлення, спосіб, оптичних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення виробів із оптичних та сцинтиляційних матеріалів, включаючий різання циліндричної заготовки аксіально її бокової поверхні на оболонки товщиною h, нагрівання оболонки для переведення її в область пластичності і розгортання у виріб, який відрізняється тим, що оболонку вирізають довжиною І, причому І<4pR, де R - радіус оболонки, а розгортають оболонку за допомогою розгортаючого пристрою при цьому перемішують...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Март'янов Генадій Сергійович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 35/00

Мітки: термообробки, летких, контейнер, кристалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 11381

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Насипайко Олександр Васильович, Шпакович Роман Степанович, Новосядлий Степан Петрович, Маскович Степан Михайлович

МПК: C30B 35/00, C30B 25/02

Мітки: шару, лодочи, спосіб, кварцеві, нанесення, захисного

Формула / Реферат:

Способ нанесения защитного слоя на кварце­вые лодочки осаждением из газовой фазы, содер­жащей соединение кремния, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности структур, обрабатываемых в лодочках при формировании ди­электрических пленок, и повышения износостойкости лодочек, в качестве защитного слоя осаждают слой поликремния толщиной не менее 0,2 мкм из газовой смеси аргона с моносиланом или дихлорсиланом при 575-625°С и давлении...