Рижиков Володимир Діомидович

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: очищення, матеріалів, установка, кристалізації, синтезу

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Номер патенту: 29938

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Даншин Євген Олександрович, Філімонов Олександр Євгенович

МПК: G01T 1/36, G01T 1/02

Мітки: випромінювання, портативний, спектрометр-дозиметр, іонізуючого

Формула / Реферат:

Портативний спектрометр-дозиметр іонізуючого випромінювання, який містить з'єднані послідовно блок детектування, блок керування, перетворювач сигналу та електронно-обчислювальну машину, який відрізняється тим, що перетворювач сигналу виконаний у вигляді перетворювача "амплітуда-тривалість", як електронно-обчислювальну машину обрано комп'ютер класу "Notebook", а вихід перетворювача "амплітуда-тривалість"...

Номер патенту: 29131

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Манько Владіслав Івановіч, Півень Леонід Олексійович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович

МПК: C30B 33/00

Мітки: характеристик, спосіб, відновлення, основі, свинцю, робочих, сцинтиляторів, вольфрамату

Формула / Реферат:

Спосіб відновлення робочих характеристик сцинтиляторів на основі вольфрамату свинцю, що включає опромінювання їх видимим світлом, який відрізняється тим, що опромінювання проводять на довжині хвилі 530-580 нм з енергетичною освітленістю 0,15-0,2 мВт/см2 на протязі 25-30 хвилин.

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Носачов Борис Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: кристалів, телуром, спосіб, термообробки, одержання, активованій, сировини, селеніду, цинку

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 25308

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович

Мітки: детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Сцинтилляционный детектор, содержащий кристаллический сцинтиллятор со световодом, оптически связанным с регистратором излучения, отличающийся тем, что в него введены (n - 1) световодов, расположенных в сцинтилляторе на расстоянии друг от друга, равном длине свободного пробега фотонов, выходами оптически связанных с регистратором излучения.

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Март'янов Генадій Сергійович, Гурін Вячеслав Анатолійович

МПК: C30B 35/00

Мітки: контейнер, термообробки, кристалів, напівпровідникових, летких

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 25484

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Соломатин Юрій Петрович, Пирогов Євген Миколайович, Табачний Леонід Якович, Коваль Олександр Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Хара Георгій Іванович, Бурчас Станіслав Феліксович, Грінчук Іван Романович, Півень Леонід Олексійович

МПК: G01T 1/20

Мітки: активності, спосіб, питомої, пробах, амеріцію-241, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення питомої активності америцію-241 у пробах, що включає реєстрацію гамма-квантів детектором, аналіз і селекцію електричних імпульсів детектора по амплітуді, вимірювання середніх швидкостей лічіння імпульсів у вікнах фотопіку гамма-випромінювання америцію-241 з енергією квантів 59,5кеВ і безперервного розподілу, зсунутого від фотопіку америцію-241 у бік високих енергій при наявності проби та без неї, визначення завади від...

Номер патенту: 19641

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Востецов Юрій Якович, Мартинов Валерій Павлович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вольфраму, одержання, спосіб, сцинтиляційних, свинцю, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающий наплавление исходного сырья в тигель, выравнивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что предварительно исходное сырье нагревают до температуры 450°-500°С, затем сырье нагревают до Тпл + (30-40)°С (где Тпл - температура плавления исходного сырья) при давлении в...

Номер патенту: 16681

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Сілін Віталій Іванович, Вербицький Олег Петрович, Рижиков Володимир Діомидович, Селегенев Євген Михайлович

МПК: H01L 31/04, G01T 1/24, G01T 1/20 ...

Мітки: іонізуючих, одержання, спосіб, детектор, напівпровідниковий, випромінювань, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений, содержащий выполненные из соединений АIIВVI сцинтиллятор и интегрально нанесенный на него фотоприемник, образующий р-n-переход с материалом сцинтиллятора, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности детектора и ее стабильности во времени, р-n-переход состоит из твердого раствора соединений АIIВVI, покрывающего поверхность сцинтиллятора.2. Детектор по п. 1,...

Номер патенту: 16675

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Говорова Римма Олександрівна, Горішній Юрій Васильович, Квітницька Валентина Захарівна, Романенко Лариса Андріївна

МПК: G01T 1/20

Мітки: детектування, іонізуючого, блок, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Блок детектирования ионизирующего из­лучения, содержащий сцинтилляторы, фотопри­емные устройства и отражатели, нанесенные на свободные от фотоприемного устройства плоско­сти, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и разрешающей способности, каждый из сцинтилляторов выполнен в виде трех­гранной прямоугольной призмы, в которой фото­приемное устройство подсоединено к той ее грани, основание которой является гипотенузой...

Номер патенту: 16730

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович, Сенчишин Віталій Георгійович, Битеман Віктор Борисович

МПК: C30B 29/48, G01T 1/20

Мітки: матеріал, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал для детек­торов ионизирующих излучений, состоящий изкристаллов сцинтиллятора и органической диспер­сионной среды, отличающийся тем, что, с целью расширения вида регистрируемого ионизирующе-го излучения при повышении его радиационной стойкости, он содержит в качестве сцинтиллятора поликристаллы твердого раствора соединений А^В^ с размером 0,01-1,00 мм при следующем соотношении компонентов, об. %:...

Номер патенту: 16689

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гуляєв Фелікс Євгенійович, Вербицький Олег Петрович

МПК: G01T 1/202, G01N 23/02

Мітки: детектор, обчислювальної, рентгенівської, комбінований, томографії

Формула / Реферат:

1. Комбинированный детектор для рентге­новской вычислительной томографии, содержа­щий чувствительный элемент, сцинтиллятор с отражающим покрытием, оптически связанный с фотодиодом, отличающийся тем, что, с целью улучшения разрешения изображения по контрасту за счет уменьшения зависимости амплитуды сиг­нала детектора от спектрального состава излуче­ния при сохранении высокой эффективности рентгенопреобразования и малого послесвечения, в...

Номер патенту: 16688

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Литичевський Маркс Ізрайлович, Горішній Юрій Васильович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Загвоздкін Борис Васильович

МПК: C30B 29/22, C30B 11/00

Мітки: германоевлитину, наплавлення, синтезу, здійснення, шихти, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза и наплавления шихты гер-маноэвлинита для выращивания кристаллов, включающий загрузку исходного сырья и нагрев его в печи, твердофазный синтез при нагреве со скоростью 10-20 град/мин, выдержку и охлажде­ние в тигле, отличающийся тем, что. с целью обес­печения полноты синтеза, улучшения качества кристаллов и снижения их себестоимости, сырье загружают в бункер, устанавливают его над тиглем и помещают в печь, предварительно...

Номер патенту: 16669

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Вербицький Олег Петрович, Носачов Борис Григорійович

МПК: C30B 29/48, G01T 1/202

Мітки: матеріал, сциhтиляційhий, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый сцинтилляционный ма­териал на основе соединения А В с активирую­щей добавкой одного из компонентов, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения эффективно­сти и расширения спектрального диапазона люми­несценции, материал дополнительно содержит вторую добавку одного из компонентов, образую­щую с исходным соединением твердый раствор за­мещения, при этом в качестве активатора и замещающей добавки выбраны компоненты, обра­зующие...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: селеніду, спосіб, кристалічних, обробки, основі, цинку, елементів

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Номер патенту: 16665

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Селегенев Євген Михайлович, Семиноженко Володимир Петрович, Вербицький Олег Петрович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/15, G21H 5/00

Мітки: контролю, радіаційного, пристрій

Формула / Реферат:

1. Устройство для радиационного контроля, содержащее сцинтиллятор и фотодиод, выпол­ненный непосредственно на поверхности сцин­тиллятора, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона регистрируемых мощно­стей доз радиации, в устройство дополнительно введен фотодиод, оптически соединенный со сцин­тиллятором, работающий в лавинном режиме, а сцинтиллятор и фотодиоды выполнены на основе соединений А^В^.2. Устройство по п.1,...

Номер патенту: 16710

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Файнер Михайло Шайович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Мітки: термообробки, селеніду, елементів, цинку, оптичних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ термообработки оптических элемен­тов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглоще­ния в инфракрасной области, термообработку про­водят в атмосфере насыщенного пара теллура при нагреве до 1000-1050°С в течение 40-44 ч.

Номер патенту: 15327

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Бондарьков Михайло Дмитрович, Садовников Леонід Володимирович, Пирогов Євген Миколайович, Желтоножський Віктор Олександрович, Півень Леонід Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Літічевський Маркс Ізраільович

МПК: G01T 1/20, G01T 1/202

Мітки: альфа-випромінювання, пристрій, гамма, реєстрації, м'якого

Формула / Реферат:

Устройство для регистрации мягкого гамма- и альфа-излучения, содержащее корпус, размещенные в нем оптически соединенные фотоприемник и сцинтиллятор в виде пластины, а также отражатель, отличающееся тем, что сцинтиллятор выполнен из монокристалла силиката гадолиния с селективно повышенной чувствительностью к гамма-излучению америция-241 с энергетическим разрешением не более 33%, при этом толщина пластины составляет 0,5 - 1мм, а корпус со...

Номер патенту: 15083

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Говорова Ріма Олександрівна, Квітницька Валентина Захарівна, Селегенев Євген Михайлович

МПК: G01T 1/20, G01T 1/202

Мітки: випромінювань, іонізуючих, комбінований, детектор

Формула / Реферат:

Комбинированный детектор ионизирующих излучений, состоящий из сцинтилляторов и фотоприемника, отличающийся тем, что сцинтилляторы на основе монокристаллов  выполнены в виде чередующихся пластин, установленных перпендикулярно к фотоприемнику, между которыми расположены световоды из высокопрозрачного полимерного материала, при этом общая площадь сцинтилляторов и световодов равна рабочей площади фотоприемника, все элементы оптически связаны...

Номер патенту: 17930

Опубліковано: 03.06.1997

Автори: Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Волошин Василь Олексійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: складних, оксидів, спосіб, монокристалів, шихти, наплавління

Формула / Реферат:

Способ наплавлення шихты монокристаллов сложных оксидов, включающий загрузку шихты в тигель, помещение тигля в узел наплавлення, нагрев тигля индукционным методом до полного расплавления шихты при постоянной номинальной подводимой к индуктору мощности, догрузку и доплавление шихты и охлаждение тигля до затвердевания расплава, отличающийся тем, что после полного расплавления шихты увеличивают подводимую к индуктору мощность на 10-20% от...

Номер патенту: 17738

Опубліковано: 20.05.1997

Автори: Спасов Володимир Григорович, Бондар Валерій Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Мартинов Валерій Павлович

МПК: C30B 15/00

Мітки: свинцю, спосіб, кристалів, одержання, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов вольфрамата свинца, включающий их выращивание из расплава и последующую термообработку, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов осуществляют в среде, содержащей кислород в количестве 0,02-0,3% объема, а термообработку проводят при содержании кислорода 0,001-0,03% объема.

Номер патенту: 13972

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Дідаш Інеса Микитівна, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Долгих Тамара Миколаївна, Ткаченко Валентин Федорович, Кривошеїн Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: германоевлитину, синтезу, спосіб, шихти

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза шихты германоэвлитина, предусматривающий обезвоживание исходных ок­сидов германия и висмута, сухое смешивание их в стехиометрическом соотношении, гомогенизацию, нагрев и двухстадийное твердофазное взаимодей­ствие, отличающийся тем, что стадии твердофазного взаимодействия осуществляют непрерывно:при температуре 730-810°С в течение 3-7 часов до получения фазы силленита, и при 870-910°С в те­чение 12-24 часов до...

Номер патенту: 11008

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Дідаш Інеса Микитівна, Пирогов Євген Миколайович, Долгих Тамара Миколаївна, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C01G 17/00, C01G 29/00

Мітки: відходів, переробки, германату, спосіб, вісмуту

Формула / Реферат:

1. Способ переработки отходов германата висмута, включающий их кислотную обработку и последующее выделение соединений металлов, от­личающийся тем, что проводят обработку отходов германата висмута смесью соляной и фосфорной кислот в соотношении 2:1 при температуре 60-80°С и соотношении твердого к жидкому 1:4.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исполь­зуют соляную и фосфорную кислоты с концентра­цией 20% и 50% соответственно.

Номер патенту: 10522

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новікова Інна Гаврилівна, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Коневський Віктор Семенович, Видай Юрій Трохимович, Жуков Олександр Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Загарій Людмила Борисівна

МПК: G01T 1/20

Мітки: комбінований, детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

Комбинированный сцинтиляционный детек­тор, состоящий из помещенных в корпус с боковым отражателем сцинтилляторов BGO и CsI(Te) со­члененных между собой посредством несцинтиллирующего прозрачного для света сцинтилляций материала, отличающийся тем, что в качестве несцинтиллирующего материала использована лей-косапфировая пластина, имеющая жесткий оптический контакт с BGO и толщиной не менее длины свободного пробега b-частиц фонового из­лучения...

Номер патенту: 10560

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Квітницька Валентина Захарівна, Бороденко Юрій Афанасійович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Говорова Ріма Олександрівна, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: G01T 1/20, G01T 1/00

Мітки: детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтнлляционный детектор, содержа­щий фотоприемник, сцинтиллятор, отражатель и световод, отличающийся тем, что световод, распо­ложенный между сцинтиллятором и отражателем, выполнен в виде прозрачного для света радиолю­минесценции и прилегающего к поверхности сцинтиллятора слоя, толщина которого выбрана из соотношениягде t - толщина слоя, ммrc - радиус сцинтиллятора, ммrф - радиус рабочей части фотоприемиика,...

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Катрунов Костянтин Олексійович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 33/00

Мітки: сцинтиляторів, монокристалів, вольфрамату, виготовлення, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бондар Валерій Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович, Мартинов Валерій Павлович, Пирогов Євген Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вирощування, вольфрамату, монокристалів, спосіб, сцинтиляційних, кадмію

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кристалів, термообробки, кадмію, спосіб, вольфрамату

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Каневський Віктор Семенович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/06, C30B 29/22

Мітки: спосіб, оксидів, з'єднування, нерознімного, монокристалів

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: термообробки, вісмуту, спосіб, кристалів, германату

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...