Патенти з міткою «телуриду»

Номер патенту: 34225

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, оптимізованих, основі, сплавів, термоелектричних, олова, телуриду, р-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 32544

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: сплавів, отримання, матеріалів, покращеного, спосіб, складу, основі, термоелектричних, телуриду, олова

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних матеріалів на основі сплавів телуриду олова покращеного складу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщують у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки подрібнюють та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: n-типу, отримання, свинцю, провідності, телуриду, спосіб, термоелектричних, сплавів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: n-типу, свинцю, отримання, телуриду, основі, спосіб, оптимізованих, сплавів, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 27517

Опубліковано: 12.11.2007

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: свинцю, спосіб, телуриду, отримання, термоелектричного, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного матеріалу на основі телуриду свинцю, який включає розташування вихідної речовини у кварцовій вакуумній ампулі, поміщення у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, отриману синтезовану речовину піддають гомогенізаційному відпалу, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 80614

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Слинько Євген Іларіонович

МПК: C30B 23/02

Мітки: точок, спосіб, квантових, свинцю, телуриду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю, який включає випаровування матеріалу, що містить телурид свинцю, і його осадження в вакуумі на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що матеріал осаджують при температурі підкладки не менше 350 °С на нижню поверхню (111) підкладки, яку деформують зовнішніми силами і створюють в перпендикулярному до площини (111) напрямі направлену від...

Номер патенту: 24936

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, основі, сплавів, отримання, телуриду, термоелектричних, свинцю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю, який полягає у тому, що сплав синтезують у вакуумованих кварцових ампулах при температурах, вищих за температури плавлення вихідних речовин, для приведення у рівноважний стан здійснюють гомонізуючий відпал при температурах, нижчих за температуру плавлення сплаву, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи Рb, Те та Cd високого ступеня чистоти,...

Номер патенту: 24647

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C22C 1/00

Мітки: свинцю, телуриду, отримання, термоелектричного, легованого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного легованого телуриду свинцю, який полягає в тому, що наперед синтезований сплав подрібнюють в ударно-вихровому млині з наступним просіюванням через сито, потім порошок брикетують під тиском, отримані брикети спікають при температурі і тиску протягом певного часу і здійснюють екструзію при заданих температурі та тиску і ступені витягування, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, отримання, провідності, телуриду, монокристалів, спосіб, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, провідності, отримання, монокристалів, телуриду, меркурію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, монокристалів, отримання, провідності, меркурію, n-типу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 17438

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Воробець Георгій Іванович, Воробець Олександр Іванович

МПК: H01L 31/18

Мітки: основі, високоомного, діода, шотткі, телуриду, виготовлення, спосіб, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластин телуриду кадмію, створення бар'єра Шотткі та омічних контактів вакуумним напиленням та лазерного опромінювання, який відрізняється тим, що лазерне опромінювання з певною довжиною хвилі здійснюють в режимі модульованої добротності в квазіадіабатичних умовах при використанні серії з 20 імпульсів тривалістю

Номер патенту: 64282

Опубліковано: 16.02.2004

Автор: Луценко Вадим Григорович

МПК: C01B 19/00

Мітки: одержання, телуриду, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання телуриду кадмію шляхом взаємодії вихідних компонентів в середовищі розтоплених хлоридів лужних металів, який відрізняється тим, що процес проводять при температурі 735-755°С і концентрації діоксиду телуру 2-10 % мас.

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, спосіб, провідності, отримання, монокристалів, кадмію, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Номер патенту: 58024

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Скульський Михайло Юліанович, Лопатинський Іван Євстахович, Українець Валентин Остапович, Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, легування, телуриду, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб легування телуриду кадмію, який включає завантаження телуриду кадмію в ростовий контейнер, його відкачку, вміщення в піч і виведення на температурний режим, який відрізняється тим, що одночасно із телуридом кадмію завантажують порошкоподібний галогенід амонію.

Номер патенту: 50129

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Довгий Олег Ярославович, Фреїк Андрій Дмитрович, Никируй Любомир Іванович, Рувінський Борис Маркович, Павлюк Любомир Ростиславович

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, отримання, водню, рухливостями, телуриду, атмосфери, великими, спосіб, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом випаровування наперед синтезованої речовини і осадження пари на нагріті підкладки із слюди, який відрізняється тим, що плівки РbТе вирощують в атмосфері водню при тиску P(H2)=10-2-10 Па, температура випаровування наважки складає Тв=700-1100К, температура осадження плівок -...

Номер патенту: 43996

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, розчинів, спосіб, основі, германію, системі, телуриду, gete-agsbte2, твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання твердих розчинів на основі телуриду германію в системі GeTe-AgSbTe2, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і...

Номер патенту: 43994

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: розчинів, телуриду, спосіб, германію, отримання, основі, твердих

Формула / Реферат:

1.Спосіб отримання твердих розчинів на основі телуриду германію, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...

Номер патенту: 43950

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Пиц Михайло Васильович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C30B 11/02

Мітки: основі, сплавів, спосіб, отримання, телуриду, олова, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура нагріву якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують окремі елементи...

Номер патенту: 43963

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Іванишин Ірина Мирославівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Запухляк Руслан Ігорович

МПК: C22C 1/02, C30B 29/00, C22B 4/00 ...

Мітки: германію, отримання, основі, сплавів, свинцю, олова, термоелектричних, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Номер патенту: 43955

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Галущак Мар'ян Олексійович, Шперун Всеволод Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: термоелектричних, германію, отримання, олова, спосіб, сплавів, телуриду, свинцю, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини (~1250К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву...

Номер патенту: 43163

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Нижникевич Володимир Всеволодович

МПК: C22C 1/00, C22C 5/00, C22C 32/00 ...

Мітки: спосіб, свинцю, телуриду, отримання, тербію, термоелектричних, сплавів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...

Номер патенту: 36796

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: вертикальної, твердих, основі, перекристалізації, спосіб, вісмуту, зонної, монокристалів, розчинів, методом, телуриду, отримання

Текст:

...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...

Номер патенту: 35211

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна, Запухляк Руслан Ігорович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 11/02

Мітки: термоелектричних, телуриду, отримання, сплавів, олова, спосіб, свинцю, германію, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують в кварцевій вакуумованій ампулі і поміщають в двозонну піч, температура першої зони є вищою температури точки плавлення вихідної речовини (~1250 К), а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання...

Номер патенту: 28554

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Мітки: нагрівачем, очистки, зонним, пристрій, електропечі, парової, телуриду, фазі, спосіб, кадмію, здійснення

Формула / Реферат:

1. Способ очистки теллурида кадмия через паровую фазу в электропечи с зонным нагревателем, включающим загрузку исходного материала, герметизацию, продувку инертным газом и направленную подачу газа-носителя в зоны испарения, отличающийся тем, что процесс ведут в течении 24-26 часа, направляя поток теза- носителя в ограниченный объем зоны испарения при расходе его 2,5-3,5 л/мин и температурном режиме в зоне испарения

Номер патенту: 28555

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Степаненко Олег Пилипович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00

Мітки: телуриду, кадмію, парової, пристрій, здійснення, синтезу, фазі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ синтеза теллурида кадмия, из паровой фазы, включающий раздельную загрузку исходных компонентов, продувку инертньм газом, подачу газа-носителя и электропитания в зону испарения исходных компонентов, в зоны синтеза и кристаллизации, отличающийся тем, что процесс проводят в тепловом поле с градиентным профилем в зоне испарения для кадмия при 630-660°С и для теллура 760-800°С при расходе газо-носителя соответственно для кадмия 2,8...

Номер патенту: 25598

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Українець Наталія Андріївна, Українець Валентин Остапович

МПК: G01N 27/22

Мітки: підкладці, шару, телуриду, вимірювання, залишкового, структури, товщини, порушеної, монокристалічний, спосіб, діркового, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання товщини залишкового шару порушеної структури на монокристалічній підкладці діркового телуриду кадмію, який включає травлення механічно обробленої поверхні діркового телуриду кадмію, який відрізняється тим, що на поверхні діркового телуриду кадмію створюють бар'єр Шотткі із металів з низькою температурою плавлення, вимірюють залежність диференціальної ємності від регульованого постійного зміщення, по якій визначають...