H01L 21/00 — Способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки напівпровідникових приладів або приладів на твердому тілі або їх частин

Номер патенту: 37213

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Скірдіна Інна Костянтинівна, Бронников Анатолій Никифорович, Селікова Нелля Іванівна, Штонда Олексій Сергійович, Клімов Всеволод Валентинович

МПК: H01L 21/00, C04B 35/00

Мітки: багатошарових, одержання, елементів, спосіб, основі, цирконату-титанату, свинцю, п'єзоелектричних, товстоплівкових

Формула / Реферат:

Спосіб одержання багатошарових товстоплівкових п'єзоелектричних елементів на основі цирконату-титанату свинцю, який включає отримання наповнювача на основі дрібнодисперсної синтезованої шихти п'єзоелектричного матеріалу ЦТССт-3 із добавкою 2 мас. % Ві2О3 у пристроях з високим рівнем енергетичної дії, змішування наповнювача з органічним зв'язуючим, отримання сегнетоелектричної пасти, нанесення сегнетоелектричної пасти та срібловмісної пасти...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: свинцю, отримання, спосіб, телуриду, n-типу, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 34592

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: inas-ingaas, елементів, основі, виготовлення, спосіб, активних, переходом

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення активних елементів з р-n- або n-p-переходами на основі InAs-ІnGaAs, який включає приготування насиченого розчину-розплаву індій-галій-миш'як, приведення його в контакт з лицевою стороною підкладки із арсеніду індію, вимушеного охолодження системи, формування р-n- або n-р-переходів, який відрізняється тим, що приготування насиченого розчину-розплаву однакового складу проводять одночасно на двох підкладках арсеніду індію...

Номер патенту: 32528

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: мікровакуумного, автоемісійного, катодом, планарно-торцевим, спосіб, виготовлення, випромінювача

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення мікровакуумного автоемісійного випромінювача з планарно-торцевим емісійним катодом, утвореним круглим отвором в тонкому шарі провідного матеріалу і циліндричним екстракційним електродом, який розміщується нижче емісійного катода на підкладці так, що бокова поверхня циліндра співпадає з краєм отвору емісійного катода по вертикалі, який відрізняється тим, що формується планарно-торцевий екстракційний електрод, утворений...

Номер патенту: 31870

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Махній Віктор Петрович, Хуснутдінов Сергій Володимирович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: цинку, виготовлення, гетерошарів, спосіб, оксиду

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал, який відрізняється тим, що підготовка підкладинок здійснюється шляхом механічної та хімічної обробок підкладинок, а їх відпал проводять на повітрі при температурах 650-1150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал підкладинок ZnTe проводять при температурах 650 – 850 °С.3....

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: n-типу, спосіб, сплавів, телуриду, основі, отримання, оптимізованих, свинцю, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 21939

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: поруватого, спосіб, шару, плівки, підкладці, отримання, кубічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 77015

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Ходаковський Микола Іванович, Шкляр Михайло Петрович, Золот Анатолій Іванович, Коржинський Федор Йосипович, Ларкін Сергій Юрійович, Мержвинський Павло Анатолійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: формування, структур, пристрій, нанорозмірних, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю формування нанорозмірних структур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістря, вихід блока подачі вістря з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що містить блок керування нанесенням іонів, вхід-вихід...

Номер патенту: 14375

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Коломзаров Юрій Вікторович, Маслов Володимир Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 27/15, H01L 25/00 ...

Мітки: металічних, фотоприймач, контактів, матеріалу, нанесення, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...

Номер патенту: 74306

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Гутекунст Юрген

МПК: B65G 39/07, B65G 39/02, B65G 21/20 ...

Мітки: вантажів, притискний, транспортуючої, варіанти, застосування, плоских, елемент,транспортуюча, система, системі

Формула / Реферат:

1. Притискний елемент для притискування по суті плоских вантажів, що транспортуються, причому по суті циліндричний притискний елемент виконаний щонайменше з двох частин і складається з осі і щонайменше з однієї гільзи, при цьому внутрішній діаметр гільзи більший, ніж зовнішній діаметр осі, який відрізняється тим, що вісь (8) і гільза (13) з'єднані, і до осі (8) прикріплений виступаючий з неї повідок в формі штифта, який входить в паз (16)...

Номер патенту: 72073

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26

Мітки: спосіб, отримання, мдн-транзистора, кремнієвого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу шляхом дифузії бору і формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 і формування затворного електрода, проведення процесів пасивації, який відрізняється тим, що отриману транзисторну структуру з довжиною каналу 3-10 мкм і шириною 50 мкм опромінюють рентгенівськими...

Номер патенту: 69980

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: основі, гетеропереходів, спосіб, сульфоселенідів, кадмію, виготовлення, цинку

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гетеропереходів на основі сульфоселенідів кадмію або цинку, що включає відпал кристалів сульфіду кадмію або сульфіду цинку в парі селену, який відрізняється тим, що відпал проводять в атомарній парі селену.2. Спосіб за п. 1, в якому перевід пари молекулярного селену в атомарний стан здійснюють ультрафіолетовим випромінюванням.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал кристалів сульфіду кадмію...

Номер патенту: 70207

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович, Стусь Наталія Вікторівна, Смірнова Тамара Іванівна

МПК: H01L 21/00, B01J 39/00

Мітки: спосіб, li3namo3p5o22, отримання, провідника, іонного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання іонного провідника Li3NaMo3P5O22, який передбачає змішування фосфоровмісного, натрієвмісного, літієвмісного та молібденовмісного компонентів, нагрівання отриманої суміші до температури утворення іонного провідника Li3NaMo3P5O22, який відрізняється тим, що при змішуванні як фосфоровмісний, натрієвмісний та літієвмісний компоненти використовують порошок лужно-фосфатного скла, що містить Li2O (27-30 % моль), Na2O...

Номер патенту: 62757

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Клименко Ігор Андрійович, Сулима Сергій Віталійович, Фомін Олександр Сергійович, Мигаль Валерій Павлович, Чугай Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/263

Мітки: матеріалів, кристалічних, акустичної, п'єзоелектричних, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом послідовного збудження найбільш нестабільних власних пружних коливань та вимірювання при цьому їх частоти, амплітуди та стабільності в часі, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку збуджують високочастотні власні пружні коливання, які промодульовані прямокутними імпульсами при одночасному монохроматичному підсвічуванні з області максимуму домішкової...

Номер патенту: 57542

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Гончаренко Таїсія Іванівна, Євдокимов Володимир Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Шеревеня Андрій Григорович, Ляхова Наталія Миколаївна, Вербицький Володимир Григорович

МПК: H01L 21/67, H01L 21/00

Мітки: супер'яскраве, джерело, світла, білого

Формула / Реферат:

1. Супер’яскраве джерело білого світла, чіп якого містить один, два або три випромінюючі n-р гетеропереходи із твердих розчинів нітридів, фосфідів, арсенідів алюмінію, галію та індію, виготовлені методами молекулярно-променевої, МОС-гідридної або хлоридно-гідридної епітаксії, яке відрізняється тим, що воно містить надгратку  із випромінюючих n-р гетеропереходів різного...

Номер патенту: 55788

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Скубілін Міхаіл Дємьяновіч, Аврамєнко Анатолій Васільєвіч, Пісьмєнов Алєксандр Владіміровіч

МПК: H01L 21/66, H01L 21/00, G01J 5/58 ...

Мітки: пірометричного, вимірювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб пірометричного вимірювання, який полягає в тому, що він передбачає прийом теплового випромінювання об'єкта і його спектральну фільтрацію, який відрізняється тим, що вимірювання інтенсивностей випромінювання здійснюють на двох фіксованих довжинах хвиль, а температуру поверхні об'єкта розраховують як частку від ділення відносної різниці інтенсивностей випромінювань на відрізних довжинах хвиль на різницю довжин цих хвиль.

Номер патенту: 54007

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Мартинюк Роман Валентинович, Матюшин Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/223, H01L 21/00

Мітки: напівпровідникових, виготовлення, спосіб, структур

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникових структур, що полягає в нанесенні плівок дифузанту на монокристалічні напівпровідникові пластини і проведенні твердофазного дифузійного легування, який відрізняється тим, що дифузію легуючої домішки проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-57°С.

Номер патенту: 40800

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Клименко Ігор Андрійович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/26

Мітки: матеріалів, спосіб, кристалічних, п'єзоелектричних, обробки, акустичної

Формула / Реферат:

1. Спосіб акустичної обробки п'єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом збудження акустичних коливань, який відрізняється тим, що в кристалічному зразку, вміщеному в змінне електричне поле, за рахунок зворотного п'езоефекту збуджують низькочастотні власні пружні коливання, вимірюючи при цьому їх частоти, амплітуди та стабільність в часі, далі визначають сильні п'езорезонанси, швидкість зміни частоти яких з часом максимальна, і послідовно...

Номер патенту: 19958

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Садовий Йосиф Тадейович, Лозовий Орест Михайлович

МПК: H01L 21/68, H01L 21/67, H01L 21/00 ...

Мітки: приладу, напівпровідникового, контактними, монтажними, кріплення, пристрій, друкований, отворами, плати, площадками

Текст:

...печатной платы 1. При 25 ройства заключается в снижении трудонеобходимости возможна установка поемкости изготовления, сборки и монталупроводникового прибора с теплообжа за счет повышения его технологичменником 10, Геометрические размеры ности и уменьшения количества требуепластины 4 установочного элемента мых для реализации устройства техпровыбирают соответственно с размерами цессов. 30 корпуса полупроводникового прибора, а количество штырей 5...

Номер патенту: 17421

Опубліковано: 06.05.1997

Автори: Бунда Віктор Варфоломійович, Марійчук Руслан Тарасович, Семрад Омелян Омелянович, Сливка Володимир Юлійович

МПК: H01L 21/00, C04B 35/64, C04B 35/505 ...

Мітки: одержання, надпровідника, спосіб, високотемпературного, фторвмісного

Текст:

...трубку 10 в стінці реактора.Сполучення балону з системою здійснюють силіконовою трубкою 8.Відведений газ пропускають через дрексель 11 з рідиною (водою) для підтримки певного парціального тиску.Реактор поміщають в силітову піч 12.Температуру вимірюють ХА-термопарою 4 і приладом 5. Режим синтезу:суміш вихідних речовин нагрівають до температури 940-960°С з швидкістю 320°С/год,витримують 10-12 годин.Потім з швидкістю 20-50°С/год нагрівають до...

Номер патенту: 9306

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Горлов Олександр Михайлович, Тетерьвов Валерій Іванович, Кальянов Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/00, F01L 25/00

Мітки: двухкоординатний, стіл

Формула / Реферат:

1. Двухкоординатный стол, содержащий ос­нование, продольную каретку с направляющими, закрепленными на основании, поперечную карет­ку с направляющими, закрепленными на продоль­ной каретке, шаговые приводы продольной и поперечной кареток, выполненные в виде пневмо- или гидроцилиндров с подвижными в осевом на­правлении ползунами с установленными в них с возможностью поперечного перемещения повод­ковыми штырями, и шаговые рейки продольной и...

Номер патенту: 1269

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Жданов Альберт Миколайович, Шаповалова Тетяна Іванівна

МПК: C04B 41/89, C04B 41/88, H01L 21/00 ...

Мітки: спосіб, нанесення, підкладку, струмопровідного, шара, керамічну

Формула / Реферат:

1. Способ нанесення токопроводящего слоя на керамическую подложку для получения микросхем, включающий последовательное ваку­умное напыление слоев титана и меди и термооб­работку, отличающийся тем, что, с целью обеспе­чения стабильного удельного сопротивления то­копроводящего слоя, на слой меди дополнительно вакуумным напылением наносят слои молибдена и меди, а термообработку проводят в вакууме при 850-900 °C.2. Способ по п.1,...