H01L 21/00 — Способи і пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки напівпровідникових приладів або приладів на твердому тілі або їх частин

Номер патенту: 72966

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Ходаковський Микола Іванович, Золот Анатолій Іванович, Новіков Євген Іванович, Галстян Геворк Гакікович

МПК: H01L 21/00

Мітки: пристрій, формування, структур, продуктивністю, керування, наноелектронних

Формула / Реферат:

Пристрій керування продуктивністю формування наноелектронних структур, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока сканування зонда, вихід блока сканування зонда з'єднаний з входом блока реєстрації відхилень зонда, вхід-вихід блока реєстрації відхилень зонда зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що містить блок керування скануванням...

Номер патенту: 72667

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович, Форш Павєл Анатольєвіч

МПК: H01L 31/00, C23C 16/00, H01L 21/00 ...

Мітки: аморфного, плівок, кремнію, сонячних, отримання, наноструктурованих, спосіб, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованих плівок аморфного кремнію для сонячних елементів, що включає осадження кремнію на підкладку із газової фази, який відрізняється тим, що плівки аморфного кремнію освітлюють випромінюванням фемтосекундного лазера на основі калій-гадолінієвого вольфрамату ітербію або титан-сапфіру.

Номер патенту: 72405

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Сегін Михайло Ярославович, Ільницький Роман Васильович, Остафійчук Богдан Костянтинович, Будзуляк Іван Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: модифікації, струму, властивостей, електрохімічного, спосіб, джерела, матеріалу, електродного, літієвого

Формула / Реферат:

1. Спосіб модифікації властивостей електродного матеріалу для літієвого електрохімічного джерела струму, який містить як основну речовину нанодисперсний діоксид титану, ацетиленову сажу, як струмопровідний компонент та зв'язуючу речовину, причому основну речовину піддають лазерному опроміненню, який відрізняється тим, що енергія опромінення складає 0,02 Дж.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що час опромінення складає 1-15...

Номер патенту: 72404

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Угорчук Володимир Васильович, Яворський Юрій Васильович, Бойчук Андрій Михайлович, Гасюк Іван Михайлович

МПК: C01D 15/00, H01L 21/00

Мітки: класу, струму, катодний, джерела, літієвого, чотиривольтового, матеріал

Формула / Реферат:

Катодний матеріал літієвого джерела струму чотиривольтового класу, що складається із активної речовини шпінельної структури та зв'язуючої добавки, який відрізняється тим, що як активну речовину взято LiMn1,5Fe0,5О4.

Номер патенту: 72058

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: інтегральних, субмікронних, формування, схем, низькоомних, спосіб, контактів, великих, к-мон-структурах

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...

Номер патенту: 68204

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, теплостійкої, схем, субмікронних, металізації, великих, багатошарової, формування, інтегральних, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 67793

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: виготовлення, ізовалентного, спосіб, методом, гетероструктур, заміщення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетероструктур CdSe/CdTe шляхом ізовалентного заміщення, який відрізняється тим, що процес проводять у відкачаній до 10-4 тор і запаяній кварцовій ампулі, в якій знаходяться підкладинка CdTe і наважка Se при температурах 500-800 °C.

Номер патенту: 66596

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Демінський Петро Віталійович, Масол Ігор Віталійович, Ляхова Наталія Миколаївна, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: матрична, випромінююча, структура, гетероепітаксійна

Формула / Реферат:

1. Випромінююча матрична гетероепітаксійна наноструктура, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення, яка відрізняється тим, що підкладка виконана із кремнію, арсеніду галію, карбіду кремнію, алюмінію, міді, на підкладку нанесена перша контактна система додатного (+) та/або від'ємного (-) полюса джерела живлення, на наномайданчиках якої в нанопорах поверхневого шару, зокрема оксиду алюмінію, епітаксійно розташовані...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Ляхова Ніна Олегівна, Ляхова Наталія Миколаївна, Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: вирощування, напівпровідникових, епітаксійного, пристрій, гетероструктур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: модифікації, виготовлення, селеніду, гетерошарів, кадмію, кубічної, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Атаманюк Роман Богданович, Кіндрат Тарас Петрович, Сорохтей Тарас Романович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, вісь, субмікронних, металевої, інтегральних, великих, структур, схем, планаризації, розводки

Формула / Реферат:

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 64429

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Гнатів Іван Іванович, Лоцько Олександр Павлович, Комарь Віталій Корнійович, Дубина Наталія Георгіївна, Вахняк Надія Дмитрівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, х-випромінювання, g-та, xte-детектора, виготовлення, cd1-xzn

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...

Номер патенту: 63926

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Островський Ігор Петрович, Нічкало Степан Ігорович, Дружинін Анатолій Олександрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 21/00, C30B 29/00

Мітки: кремнію, нанокристалів, одержання, масивів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання масивів нанокристалів кремнію, який включає осадження на напівпровідникову кремнієву підкладку р-типу провідності шару плівки золота, вирощування за механізмом пара-рідина-кристал нанокристалів кремнію, який відрізняється тим, що перед вирощуванням нанокристалів кремнію додатково здійснюють термічний відпал напівпровідникової кремнієвої підкладки.

Номер патенту: 62573

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристалографічно, фосфіду, спосіб, орієнтації, поверхні, визначення, індію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію, який включає електрохімічну обробку кристала в розчинах плавикової чи соляної кислот з подальшим спостереженням ямок травлення на скануючому електронному мікроскопі, за формою ямок травлення визначають орієнтацію напівпровідника.

Номер патенту: 62412

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Галстян Георгій Георгійович, Ходаковський Микола Іванович, Золот Анатолій Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: наноструктур, зондового, пристрій, анодного, окислення

Формула / Реферат:

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...

Номер патенту: 56872

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович, Скрипник Микола Володимирович

МПК: C30B 31/00, C30B 25/00, H01L 21/00 ...

Мітки: спосіб, електронною, телуриду, цинку, отримання, провідністю, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50 °С.

Номер патенту: 92773

Опубліковано: 10.12.2010

Автор: Бюргер Норберт

МПК: H01L 21/00

Мітки: об'єктів, пристрій, зокрема, очищення, спосіб, тонких, дисків

Формула / Реферат:

1. Пристрій для очищення тонких пластин (6), в якому пластини (6) закріплені однією стороною на несучому пристрої (2), і при цьому утворений проміжок (7) між двома суміжними пластинами (6), причому пристрій по суті складається з:промивального пристрою (15), за допомогою якого текуче середовище вводиться у відповідні проміжки (7), і бака (14), який може наповнюватися текучим середовищем і виконаний з такими розмірами, що вміщає несучий...

Номер патенту: 54800

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Коноваленко Анатолій Анатольович, Балан Олександр Сергійович, Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: H01L 21/00

Мітки: підкладці, шару, спосіб, поруватого, отримання, плівки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP, що здійснюють методом радикало-променевої епітаксії, який відрізняється тим, що плівку InN отримують методом радикало-променевої епітаксії у потоці чистого аміаку при температурі 300-400 °С протягом 1,5 години на підкладках поруватого фосфіду індію, отриманого електрохімічним травленням.

Номер патенту: 54021

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Хуснутдінов Сергій Володимирович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, отримання, оксиду, цинку, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетерошарів оксиду цинку, що включає підготовку базових підкладинок халькогенідів цинку (ZnTe, ZnSe і ZnS) та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що перед відпалом на повітрі підкладинки легують 3d-елементами методом дифузії у закритому об'ємі з парової фази.

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: отримання, провідністю, шарів, дірковою, селеніду, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Номер патенту: 91578

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/04, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, p-і-n, структура, процесі, генерації, діодів, рекомбінації, визначення, параметрів, тестова

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації носіїв заряду в процесі виготовлення р-і-n діодів, що має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад р+-область, розташовану на напівпровідниковій основі n-типу провідності, область керованого збіднення (3), що прилягає до р+-області (1), шар ізолятора (5), що покриває р+-область та частину напівпровідникової основи, нанесений...

Номер патенту: 91576

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00, G01T 1/00

Мітки: шотткі, діод, рентгеночутливий, гамма

Формула / Реферат:

1. Гамма-, рентгеночутливий діод Шотткі, що має основу та шар матеріалу (2), на якому розташований контактний електрод, який відрізняється тим, що основа діода Шотткі виконана з селеніду цинку, легованого телуром, а шар матеріалу (2) виконаний здатним до ефективного поглинання квантів випромінювання з довжиною хвилі lс, і його ширина забороненої зони менше або дорівнює енергії вторинних фотонів, породжених матеріалом основи, при цьому...

Номер патенту: 91532

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: Микитюк Павло Дмитрович

МПК: H01L 21/00, B21D 53/02, B23H 9/00, H01L 35/32 ...

Мітки: спосіб, спіральних, елементів, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення спіральних елементів, що включає виготовлення заготовки та її розрізання з утворенням принаймні одного спірального елемента, який відрізняється тим, що процес розрізання заготовки здійснюється за рахунок поступального руху співвісно розташованого із заготовкою ріжучого інструмента вздовж повздовжньої осі заготовки, де остання здійснює обертальний рух навколо повздовжньої осі; або за рахунок поступального руху заготовки...

Номер патенту: 50855

Опубліковано: 25.06.2010

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: H01L 21/00

Мітки: отримання, матеріалу, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу РbТе, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, як вихідні використовують високочисті свинець, телур, взяті у таких масових співвідношеннях: Рb - 58,38 мас. %, Те - 41,62 мас. % відповідно, і поміщають у піч, який відрізняється тим, що температуру нагріву печі підвищують у кілька етапів: спочатку нагрівають до 500 °С і витримують 2 год., знову...

Номер патенту: 90884

Опубліковано: 10.06.2010

Автор: Микитюк Павло Дмитрович

МПК: H01L 35/00, H01L 21/00

Мітки: спірально, спосіб, виготовлення, термобатареї, високонадійної

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення багатоелементної високонадійної термобатареї, що включає виготовлення із термоелектричного матеріалу заготовки з р-n переходом і отвором, виконаним вздовж поздовжньої осі симетрії заготовки, та розрізання заготовки з утворенням багатовиткової спіральної термобатареї, який відрізняється тим, що перед розрізанням заготовки на її поверхню наносять шар високоомного матеріалу, який має електричний контакт з тілом заготовки,...

Номер патенту: 90571

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Золот Анатолій Іванович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: наноелектронних, формуванням, структур, пристрій, керування

Формула / Реферат:

Пристрій керування формуванням наноелектронних структур, який містить блок керування параметрами пристрою, вхід якого є входом пристрою, а вихід з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, другий вихід блока керування параметрами пристрою з'єднаний з входом блока сканування вістрям структури, вихід блока сканування вістрям структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вихід блока керування тунельним струмом...

Номер патенту: 46501

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Плахотнюк Максим Миколайович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: носіїв, пристрій, дифузійної, мікроелектронний, довжини, напівпровідниках, заряду, неосновних, визначення

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, який містить лазерне джерело світла, розташоване над діафрагмою та оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючих лінз, а також з джерела живлення і системи контактів, з'єднаних із зразком, та паралельно з'єднаних з опором навантаження, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу,...

Номер патенту: 88834

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: inas-ingaas, елементів, n-p-переходом, активних, спосіб, виготовлення, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення активних елементів з p-n- або n-р-переходом на основі InAs-lnGaAs, який включає приготування насиченого розчину-розплаву індій-галій-миш'як, приведення його в контакт з лицевою стороною підкладки із арсеніду індію, вимушене охолодження системи, формування p-n- або n-р-переходів, який відрізняється тим, що приготування насиченого розчину-розплаву ідентичного складу здійснюють одночасно на двох підкладках арсеніду індію...

Номер патенту: 45321

Опубліковано: 10.11.2009

Автори: Клімов Всеволод Валентинович, Бронников Анатолій Никифорович, Штонда Олексій Сергійович, Селікова Нелля Іванівна

МПК: C04B 35/00, H01L 21/00

Мітки: свинцю, керамічний, основі, п'єзоелектричний, цирконату-титанату, матеріал

Формула / Реферат:

1. П'єзоелектричний керамічний матеріал, що містить цирконат-титанат свинцю з частковим заміщенням свинцю на стронцій та барій з добавками оксидів вісмуту, цинку, марганцю, лантану, який відрізняється тим, що разом з оксидами вісмуту та марганцю додатково містить оксиди ніобію, магнію, які введені зверх стехіометрії, оксид заліза та фторид свинцю при наступному співвідношенні компонентів (мол. %): оксид вісмуту ...

Номер патенту: 88531

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Бут Андрій Володимирович, Фомін Олександр Сергійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: матеріалів, п'єзоелектричних, кристалічних, електроакустичної, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб електроакустичної обробки п’єзоелектричних кристалічних матеріалів шляхом збудження найбільш нестабільних власних пружних коливань з використанням генератора сигналів довільної форми та вимірювання при цьому їх частоти, амплітуди та стабільності в часі, який відрізняється тим, що з частот найбільш нестабільних власних пружних коливань, шляхом суперпозиції, синтезують хвильовий пакет, форма якого подібна до короткої хвилі - вейвлету,...

Номер патенту: 87654

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Кучеренко Євген Трохимович, Бедюх Олександр Радійович

МПК: H01L 21/00, C23C 16/00, C23C 14/00 ...

Мітки: пористих, плівок, спосіб, нанесення

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення пористих плівок шляхом прискорення кластерів в електричному полі і осадження заряджених кластерів у вакуумі на підкладку, який відрізняється тим, що кластери до прискорення вносять до розряду низькотемпературної плазми, де вони отримують від'ємний заряд, а потім їх вилучають з плазми.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кластери вилучають з плазми за допомогою металевої сітки з великою прозорістю, на яку...

Номер патенту: 42435

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Мержвинський Павло Анатолійович, Карпінський Константин Борисович, Воронько Андрій Олександрович, Русанов Анатолій Григорьєвич, Ларкін Сергій Юрійович, Москаленко Михайло Андрійович, Мержвинський Анатолій Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: лазерів, пристрій, тестування, змінним, світлодіодів, драйвером

Формула / Реферат:

1. Пристрій зі змінним драйвером для тестування лазерів та світлодіодів, який містить модулятор, перший вхід якого є входом даних, джерело напруги зміщення, джерело струму зміщення, вихід якого з'єднаний з виходом модулятора, схему корекції струму зміщення, схему контролю лазера, перший вхід якої з'єднаний з входом схеми корекції, блок тестового випромінювача, електричний вхід якого з'єднаний з виходом модулятора, перший електричний вихід...

Номер патенту: 41229

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Михащук Юрій Сергійович, Голяка Роман Любомирович, Воронько Андрій Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович, Круковський Семен Іванович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/00

Мітки: лазерних, спосіб, гетероструктур, кристалізації, квантовими, точками

Формула / Реферат:

Спосіб кристалізації лазерних гетероструктур InGaAs/Іn0,2Al0,3Ga0,5As, з квантовими точками InAs/InGaAs, що включає послідовне нарощування на підкладці GaAs метаморфного буфера InGaAs, p- та n-емітерів Іn0,2Al0,3Ga0,5As, який відрізняється тим, що формування квантових точок на поверхні епітаксійних шарів InGaAs (Іn0,2Al0,3Ga0,5As) здійснюється в присутності атомів гадолінію в кількостях від 5,0∙1010см-2 до 2,0∙1011см-2.

Номер патенту: 40001

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Пуд Олександр Аркадієвич, Дімітрієв Олег Петрович, Смертенко Петро Семенович, Осипьонок Микола Михайлович

МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...

Мітки: гнучкого, омічного, спосіб, нанесення, основі, полікристалічного, структур, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Мельник Павло Вікентієвич, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: нанокластерної, фотолюмінесцентної, кремнієвої, спосіб, виготовлення, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 39552

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Золот Анатолій Іванович, Воронько Андрій Олександрович, Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: мікроскопі, сіль, структур, основі, пристрій, еталонних, виготовлення, атомно-силової, електростатичних

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення еталонних структур на основі атомно-силової мікроскопії електростатичних сил, що містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід зв'язаний з входом блока прецизійного контролю форми верхівки вістря зонда, другий вихід блока керування параметрами зв'язаний з входом блока сканування вістряної структури, вихід блока сканування вістряної структури з'єднаний з входом блока прецизійного контролю...

Номер патенту: 38842

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: процесі, p-і-n, генерації, рекомбінації, структура, параметрів, виготовлення, діодів, тестова, визначення

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації в процесі виготовлення p-i-n діодів для реєстрації зворотного струму через р-n перехід керованого полем діода, яка має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад, р+ область, розташовану на основі n-типу, область керованого збіднення (3), що примикає до області (1), шар ізолятора (5), що покриває основу зі сторони згаданої р+...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович, Гамов Дмитро Вікторович, Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: кремнієвої, структури, нанокластерної, спосіб, фотолюмінесцентної, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 85312

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Крисюк Олена Ігорівна, Касумов Анатолий Мухтарович, Андреєва Ася Фантинівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: плівок, knbo3, діелектричної, проникності, сегнетоелектричних, складу, спосіб, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення діелектричної проникності сегнетоелектричних плівок складу KNbO3 шляхом легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом термо- або електродифузії міді у кількості від 1 до 12 мас. %.

Номер патенту: 37598

Опубліковано: 10.12.2008

Автор: Кугушов Олександр Сергійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: прилад, аморфізації, о.кугушова, металів

Формула / Реферат:

1. Прилад аморфізації металів, що містить: генератор (Г), призначений для виробляння електроенергії високої напруги низького струму, дросель (Др) з обмотками по струму, з'єднаною послідовно з Г, і по напрузі, з'єднаною паралельно з Г, електронно-променеву установку (піч), призначену для плавки металів та їх сплавів, який відрізняється тим, що Др вмонтований в морозильну камеру з рідинним газом гелієм, температура якого складає -267,9 °С,...